Claims (3)
반도체 소자의 소자분리막 형성방법에 있어서, 실리콘기판상에 패드산화막 및 질화막을 순차적으로 형성한 후 소자분리영역의 상기 패드산화막이 노출되도록 상기 질화막을 패터닝하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 패터닝된 질화막의 양측벽에 소정 두께의 질화막 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 소자분리영역의 실리콘기판을 산화시켜 상기 소자분리영역에 제1산화막을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 질화막 및 질화막 스페이서를 식각방지층으로 이용하여 노출된 부분의 상기 제1산화막을 식각하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 질화막, 질화막 스페이서 및 잔류된 제1산화막을 식각방지층으로 이용하여 노출된 실리콘기판을 소정 깊이 식각하는 단계와, 상기 단계로부터 노출된 실리콘기판상에 버퍼산화막을 형성한 후 상기 버퍼산화막 하부의 실리콘기판에 채널스톱영역을 형성하기 위하여 채널스톱 이온을 주입하는 단계와, 상기 단계로부터 전체 상부면에 제2산화막을 형성한 후 상기 질화막의 표면이 노출되는 시점까지 상기 제2산화막을 전면식각하는 단계와, 상기 단계로부터 잔류되는 상기 질화막 및 질화막 스페이서를 제거시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 형성방법.A method of forming a device isolation film of a semiconductor device, the method comprising: sequentially forming a pad oxide film and a nitride film on a silicon substrate, and then patterning the nitride film to expose the pad oxide film in a device isolation region. Forming a nitride film spacer having a predetermined thickness on both side walls, oxidizing a silicon substrate of the device isolation region from the step, and forming a first oxide film in the device isolation region, and forming the nitride film and nitride film spacer from the step Etching the exposed first oxide film by using the etch stop layer, and etching the exposed silicon substrate by using the nitride film, the nitride spacer and the remaining first oxide film as an etch stop layer from the step; , Forming a buffer oxide film on the silicon substrate exposed from the step And implanting channel stop ions to form a channel stop region in the silicon substrate under the buffer oxide film, and forming a second oxide film on the entire upper surface from the step until the surface of the nitride film is exposed. A method of forming a device isolation film of a semiconductor device, comprising: etching the entire oxide film and removing the nitride film and the nitride spacer remaining from the step.
제1항에 있어서, 상기 버퍼산화막은 열산화공정으로 성장시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 형성방법.The method of claim 1, wherein the buffer oxide film is grown by a thermal oxidation process.
제1항에 있어서, 상기 제2산화막은 화학 기상 증착 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 형성방법.The method of claim 1, wherein the second oxide film is formed by a chemical vapor deposition method.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.