KR930018264A - 분광측정 장치를 표준화하고 교정하는 방법 - Google Patents
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Abstract
예리한 분광 라인에 대해 고유 프로파일을 나타내는 광측정 장치는 좁은 분광라인에 대해 프로파일 데이터를 처리한다. 분광 라인들은, 금으로 피복된 중합체의 고급의 미세 에탈론으로 실행된다. 변환 필터가 프로파일 데이터를 가우스 곡선형 프로파일로 변환시키도록 계산된다. 파장 교정은, 샘플 데이터에 인가되어 교정된 표준화 데이터를 발생시키는 수정 매트릭스를 달성하도록 필터에 결합된다. 수정 매트릭스가 교정 데이터에 반복적으로 인가되어 파장 교정을 위해 사용된 표준화된 교정 데이터를 발생시킨다.광학 표준, 간섭 에탈론 및 줄무늬 방정식에 의해 교정이 달성된다. 먼저 에탈론 유효두께가 계산되고 정확히 측정되므로써 줄무늬 피크들이 파장을 교정한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명을 합체한 분광 사진 시스템의 개략도, 제2도는 분광 사진측정 장치의 고유 프로파일, 본 발명에 따라 선택된 타겟 프로파일, 및 관련된 변환필터를 예시하는 분광 프로트(plot), 제3도는 본 발명에 이용된 컴퓨터 프로그램용 플로우챠트.
Claims (55)
- 고유 특성을 갖는 분광 측정 장치를 표준화시키되, 상기 분광측정장치에 의해 영향을 받은 분광측정장치 데이터를 왜곡시키는 고유 특성을 갖는 분광측정장치를 표준화시키는 방법으로서 분광 표준화 데이터용 타겟 특성을 구체화하되, 고유특성과 비교될 수 있는 타겟 특성을 구체화하는 단계, 상기 고유특성을 상기 타겟 특성으로 변화시키도록 변화 함수를 결정하는 단계, 및 상기 변화 함수를 장치 데이터에 사용하여 교정된 표준화 데이터를 생성시키는 단계를 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 장치용 파장 교정을 설정하는 단계, 상기 파장교정을 상기 변환 함수와 결합시켜 수정 함수를 이루는 단계, 및 상기 수정함수를 장치 데이터로 사용하여 교정된 표준화 데이터를 생성시키는 단계를 부가적으로 포함하는 단계.
- 선택된 분광범위의 각 세그먼트를 이루는 얇은 가상 분광라인용 특성 고유 프로파일을 지니며 각각의 고유 프로파일이 그와 관련된 고유폭을 갖는 특성 고유 프로파일을 갖는 분광측정장치를 표준화시키되, 상기 분광범위 중 적어도 하나의 선택된 세그먼틀르 이루는 적어도 하나의 좁은 분광라인의 라인 소오스를 포함하고, 각각의 좁은 분광라인이 해당선택 세그먼트에 대한 고유폭보다 상단히 좁은 관련 라인폭을 갖는 좁은 분광라인중 적어도 하나의 좁은 분광라인의 라인 소오스를 포함하는 분광측정장치를 표준화시키는 방법으로서, 각기 선택된 세그먼트를 이루는 예리한 가상 분광라인용 타겟 프로파일을 구체화하는 단계, 초기에 상기 장치를 라인 소오스로 가상 분광라인용 타겟 프로파일을 구체화하는 단계, 초기에 상기 장치를 라인 소오스로 작동시켜 각각의 좁은 분광라인에 대하여 한세트의 포르파일 데이터를 생성시킴으로써 각 세트의 프로파일 데이터가 해당 선택 세그먼트용 고유 프로파일을 나타내는 단계, 각 세트의 프로파일 데이터를 각각의 선택 세그먼트의 해당 타겟 프로파일로 변환시키도록 변환 필터를 계산하는 단계, 및 추후의 샘플 데이터 사용을 위해 상기 변환 필터를 세이브(save)시키는 단계를 포함하는 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 장치를 샘플 소오스와 정상적으로 작동시켜 샘플 스펙트럼을 나타내는 샘플 데이터를 생성시키는 단계, 및 상기 변환 필터를, 각각의 선택 세그먼트를 이루는 샌플 데이터에 사용하여 상기 샘플 스펙트럼을 나타내는 표준화된 샘플 데이터를 생성시키는 단계를 부가적으로 포함하는 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 장치를 예비 작동시켜 공칭 배경 데이터를 저장하는 단계, 및 상기 프로파일 데이터 및 상기 샘플 데이터를 상기 공칭 배경 데이터로 수정하는 단계를 부가적으로 포함하는 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 수정단계는 상기 프로파일 데이터와 상기 샘플 데이터를 상기 공칭 배경 데이터로 분할하는 단계를 포함하는 단계.
- 제5항에 있어서, 상기 정상 작동 단계는 상기 장치를 부가적으로 작동시켜 상기 샘플 데이터와 관련된 정상 배경 데이터를 생성시키는 단계를 포함하고, 상기 변환 필터를 사용하는 단계는 상기 변환 필터를 상기 정상 배경 데이터에 부가적으로 사용하여 표준화된 배경 데이터를 생성시키는 단계를 포함하며, 상기 표준화된 샘플 데이터를 상기 표준화된 배경 데이터로 수정하는 단계를 부가적으로 포함하는 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 계산 단계이전에 미리 선택된 분광 강도 교정에 따라 상기 프로파일 데이터를 교정하는 단계, 및 상기 변환 필터를 사용하는 단계이전에 상기 강도 교정에 따라 상기 샘플 데이터를 교정하는 단계를 부가적으로 포함하는 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 타겟 프로파일은 고유폭과 공칭적으로 동일한 프로파일 폭을 갖는 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 타겟 프로파일은 가우스(gaussion)곡선 형태인 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 적어도 하나의 선택 세그먼트는 상기 선택된 분광범위를 가로지르는 복수개의 직렬(tandem)세그먼트를 포함하고, 각각의 직렬 세그먼트는 적어도 하나의 좁은 분광라인을 갖는 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 라인소오스는 고급의 미세 파브리-패롯 에탈론(Fabry-Perot etalon)인 방법.
- 제13항에 있어서, 상기 장치용 파장 교정을 설정하는 단계, 및 상기 파장교정을 상기 변환 필터와 결합시켜 수정 매트릭스를 이루는 단계를 부가적으로 포함하고, 상기 세이브시키는 단계는 추후의 샘플 데이터 사용을 위해 상기 교정 매트릭스를 세이브시키는 단계를 포함하는 방법.
- 제13항에 있어서, 상기 장치를 샘플 소오스로 정상 작동시켜 샘플 스펙트럼을 나타내는 샘플 데이터를 생성시키는 단계, 및 상기 수정 매트릭스를 상기 샘플 데이터에 사용하여 상기 샘플 스펙트럼을 나타내는 교정된 표준화 데이터를 생성시키는 단계를 부가적으로 포함하는 방법.
- 제13항에 있어서, 상기 설정단계는 상기 장치를 방사선의 파장 교정소오스로 작동시켜 고정 데이터를 생상시키는 단계, 및 상기 변환 필터를 상기 교정데이터에 사용하여 상기 파장 교정을 구성하는 표준화된 교정 데이터를 생성시키는 단계를 포함하는 방법.
- 제15항에 있어서, 상기 장치를 예비 작동시켜 공칭 배경 데이터를 저장하는 단계, 및 상기 교정 데이터, 상기 프로파일 데이터 및 상기 샘플 데이터를 상기 공칭 배경 데이터로 수정하는 단계를 부가적으로 포함하는 방법.
- 제16항에 있어서, 상기 수정단계는 상기 교정 데이터, 상기 프로그램 데이터 및 상기 샘플 데이터를 상기 공칭 배경 데이터로 분할하는 단계를 포함하는 방법.
- 제13항에 있어서, 상기 장치는 상기 분광 범위에 내재하는 분광위치대 분광 파장의 공칭 교정을 갖고, 정확히 식별된 파장의 1차 분광 피크의 교정 소오스 및 상기 분광 범위를 가로질러 이격된 다수의 2차 피크의 다중 소오스를 부가적으로 포함하며, 각각의 2차 피크는 상관 상수에 따른 피크 파장의 상관 함수에 의해 식별되는 정수 순서번호를 갖고, 상기 파장 교정을 설정하는 단계는, 상기 장치를 상기 교정 소오스로 부가 작동시켜 상기 1차 분광 피크를 나타내는 교정 데이터를 생성시키고, 상기 장치를 상기 다중 피크 소오스로 또 다르게 부가작동시켜 상기 다수의 2차 피크를 나타내는 2차 데이터를 생성시키는 단계, 상기 분광위치와 관련하여 상기 교정 데이터 부터 1차 피크위치를 확인하고, 상기 분광위치와 관련하여 한세트의 2차 피크위치를 상기 2차 데이터로 부터 부가적으로 확인하는 단계, 상기 공칭 교정에 의해 결정되는 적어도 2개의 피크파장에 대한 차동 순서번호에 따라 상기 상관상수를 상기 상관 함수로 평가하는 단계, 상기 1차 피크에 인접 배치되어 있는 적어도 하나의 선택된 2차 피크에 대한 교정 순서번호를 상기 상관함수로 식별하는 단계로서, 상기 공칭 교정에 의해 선택된 2차 피크에 대하여 선택된 예비파장 및 상기 평가된 상관 상수에 따라 달성되는 식별 단계, 상기 상관함수를 사용하여 상기 교정 배열 번호, 상기 정밀 식별 파장 및 상기 상대 위치로부터 정밀한 상관 상수를 계산하는 단계, 상기 정밀 상관 상수를 상기 상관 함수로 사용하여 고정된 파장을 해당 배열 번호, 결과적으로는 상기 분광 위치에 대한 2차 피크 위치에 할당하는 단계를 포함하는 방법.
- 제18항에 있어서, 상기 다중 소오스는 방사선 소오스 및 상기 방사선 소오스에 삽입된 제1의 광학 요소를 포함하고, 상기 제1의 광학 요소는 파장과 관련된 굴절율(n)을 지니며, 상기 배열 번호(m)는 상기 상관함수에 의한 상과 상수(T´)에 따른 피크 파장(L)(m=nT´/L)으로 식별되는 방법.
- 제19항에 있어서, 상기 다중 소오스는 다수의 2차 피크를 포함하는 줄무늬 패턴(fringe pattern)으로 상기 방사선을 전달하도록 배치된 파브리-페롯의 저급 미세 에탈론인 방법.
- 제20항에 있어서, 상기 저급 미세 에탈론은 피복되지 않은 융합 실리카 플레이트를 포함하는 방법.
- 제18항에 있어서, 상기 교정 데이터는 교정 프로파일을 한정하며, 상기 확인 단계는 상기 교정 프로파일을 저장하는 단계, 상기 분광위치에 대하여 상기 교정 프로파일의 중심 파장을 평가하는 단계, 상기 중심 파장에 대하여 상기 교정 프로파일을 반전시켜 반전된 프로파일을 형성하는 단계, 및 상기 교정 데이터를 상기 결합된 프로파일과 정합시켜 상기 평가된 중심 파장과 상기 1차 분광 피크사이의 오프셋을 결정함으로써 상기 오프셋이 상기 분광 위치에 대하여 상기 1차 피크위치를 한정하는 단계를 포함하는 방법.
- 제22항에 있어서, 광학 표준은 네오디뮴이 도우프된 이트륨 알루미늄 석류석 필터인 방법.
- 정밀하게 식별된 파장의 분광 피크의 교정 소오스를 포함하는 분광측정장치에서 정밀 파장 지점을 설정하고, 상기 분광측정장치가 분광범위에 존재하는 분광위치대 분광파장의 공칭교정을 갖는 방법으로서, 상기 장치를 상기 교정 소오스로 작동시켜 적어도 하나의 분광피크를 나타내는 교정 프로파일을 생성하는 단계, 상기 교정 프로파일을 저장하는 단계, 상기 분광위치에 대하여 상기 교정 프로파일의 중심 파장을 평가하는 단계, 상기 중심 파장에 대하여 상기 교정 프로파일을 반전시켜 반정된 프로파일을 형성하는 단계, 상기 교정 프로파일 및 상기 반전된 프로파일을 부가하여 결합된 프로파일을 형성하는 단계 및 상기 교정 데이터를 상기 결합된 프로파일에 정합시켜 상기 평가된 중심 파장과 상기 1차 분광 피크사이의 오프셋을 결정함으로써 상기 오프셋이 상기 분광위치에 대하여 상기 1차 피크위치를 한정하는 단계를 포함하는 방법.
- 제24항에 있어서, 상기 광학 표준은 네오디뮴이 도우프된 이트륨 알루미늄 석류석 필터인 방법.
- 선택된 분광범위에 존재하는 분광위치대 분광파장의 공칭교정을 갖는 부노강측정 장치에서 파장을 정밀하게 교정하되, 정밀하게 식별된 파장의 1차 분광피크의 교정 소오스 및 상기 분광범위를 가로질러 이격되어 있으며 상관 상수에 따른 피크 파장의 상관함수에 의해 식별되는 정수 순서번호를 각각 갖는 다수의 2차 피크의 다중 소오스를 포함하는 분광측정장치에서 파장을 정밀하게 교정하는 방법으로서, 파장 교정을 설정하는 단계는, 상기 장치를 상기 교정 소오스로로 부가작동시켜 상기1차 분광피크를 나타내는 교정 데이터를 생성시키고, 상기 장치를 상기 다중 피크 소오스로 또 다르게 부가작동시켜 상기 다수의 2차 피크를 나타내는 2차 데이터를 생성시키는 단계, 상기 분광위치와 관련하여 상기 교정 데이터로 부터 1차 피크위치를 확인하고, 상기 분광위치와 관련하여 상기 2차 데이터로 부터 한세트의 2차 피크우치를 부가적으로 확인하는 단계, 상기 공칭 교정에 의해 결정되는 적어도 2개의 피크 파장에 대한 차동배열 번호에 따라 상기 상관 상수를 상기 상관함수로 평가하는 단계, 상기 1차 피크에 인접 배치되어 있는 적어도 하나의 선택된 2차 피크에 대한 교정 순서번호를 상기 상관함수로 식별하는 단계로서, 상기 공칭 교정에 의해 선택된 2차 피크에 대하여 결정된 예비 파장 및 상기 평가된 상관상수에 따라 달성되는 식별 단계, 상기 선택된 2차 피크 및 상기 1차 피크의 정밀한 상대 위치를 상기 선택된 2차 피크로부터 보간하는 단계, 상기 상관함수를 사용하여 상기 교정 순서번호, 상기 정밀 식별 파장 및 상기 상대 위치로부터 정밀한 상관 상수를 계산하는 단계, 상기 정밀 상관 상수를 상기 상관함수로 사용하여 고정된 파장을 해당순서번호, 결과적으로 상기 분광위치에 대한 2차 피크위치에 할당하는 단계를 포함하는 방법.
- 제26항에 있어서, 상기 다중 소오스는 방사선 소오스 및 상기 방사선 소오스에 삽입된 제1의 광학요소는 파장과 관련된 굴절율(n)을 지니며, 상기 순서번호(m)는 상기 상관함수에 의한 상관상수(T′)에 따른 피크파장(L)(m=nT′/L)으로 식별되는 방법.
- 제27항에 있어서, 상기 다중 소오스는 다수의 2차 피크를 포함하는 줄무늬 패턴으로 상기 방사선을 전달하도록 배치된 파브리-페롯의 저급 미세 에탈론인 방법.
- 제28항에 있어서, 상기 저급 미세 에탈론은 피복되지 않은 융합 실리카 플레이트를 포함하는 방법.
- 제26항에 있어서, 상기 교정 데이터는 교정 프로파일을 한정하며, 상기 확인 단계는 상기 교정 프로파일을 저장하는 단계, 상기 분광위치에 대하여 상기 교정 프로파일의 중심파장을 평가하는 단계, 상기 중심파장에 대하여 상기 교정 프로파인을 반전시켜 반전된 프로파일을 형성하는 단계, 상기 교정 프로파일과 상기 반전된 프로파일을 부가하여 결합된 프로파일을 형성하는 단계, 및 상기 교정 데이터를 상기 결합된 프로파일과 정합시켜 상기 평가된 중심 파장과 상기 1차 분광 피크사이의 오프셋을 결정함으로써 상기 오프셋이 상기 분광위치에 대하여 상기 1차 피크위츠를 한정하는 단계를 포함하는 방법.
- 제30항에 있어서, 광학 표준은 네오디뮴이 도우프된 이트륨 알루미늄 석류석 필터인 방법.
- 선택된 분광범위의 각 세그먼트를 이루는 얇은 가상 분광라인에 대한 특성 고유 프로파일을 지니되, 관연된 고유폭을 각각 갖는 특성 고유 프로파일을 지니며, 상기 분광 범위의 적어도 하나의 선택된 세그먼트를 이루는 적어도 하나의 좁은 분광라인의 라인 소오스를 포함하되, 해당하는 선택 세그먼트에 대한 고유폭보다 상당히 좁은 관련된 라인 폭을 각각 갖는 좁은 분광라인중 적어도 하나의 좁은 분광라인의 라인 소오스를 포함하는 분광측정장치로서, 각각의 선택 세그먼트를 이루는 얇은 가상 분광라인에 대하여 타겟 프로파일을 구체화하는 구체화 수단, 초기에 상기 장치를 상기 라인 소오스로 작동시켜 각각의 좁은 분광라인에 대하여 한세트의 프로파일 데이터를 생성함으로써 각세트의 프로파일 데이터가 해당하는 선택 세그먼트에 대한 고유 프로파일을 나타내게 하는 개시수단, 각 세트의 프로파일 데이터를 각각의 선택 세그먼트에 대하여 타겟 프로파일로 변화시키도록 변환 필터를 계산하는 계산수단, 상기 장치를 샘플 소오스로 생성시켜 샘플 스펙트럼을 나타내는 샘플 데이터를 생성하는 작동수단, 및 상기 변환 필터를, 각각의 선택 세그먼트를 이루는 샘플 데이터에 사용하여 상기 샘플 스펙트럼을 나타내는 표준화 샘플 데이터를 생성시키는 응용수단으로 구성되어 있는 표준화 시스템을 부가적으로 포함하는 분광측정장치.
- 제32항에 있어서, 상기 장치를 예비작동시켜 공칭 배경 데이터를 저장하는 수단, 및 상기 프로파일 데이터와 상기 샘플 데이터를 상기 공칭 배경 데이터로 수정하는 수단을 부가적으로 포함하는 분광측정장치.
- 제32항에 있어서, 상기 라인 소오스는 고급의 미세 파브리-페롯 에탈론을 구비한 에탈론 구조인 분광측정장치.
- 제34항에 있어서, 상기 에탈론은 각 측면상에 반 투명한 금 피박을 갖는 얇은 플리머 피막을 포함하며, 각각의 피막은 1%내지 10%의 투과율을 제공하기에 충분한 분광측정장치.
- 제35항에 있어서, 상기 피막은 대략 10내지 25마이크로미터의 두께인 분광측정장치.
- 제35항에 있어서,상기 피막은 니트로셀룰로오스인 분광측정장치.
- 제35항에 있어서, 상기 에탈론 구조는 사이에 샌드위치된 에탈론을 갖는 한쌍의 플래너 글라스 윈도우를 부가적으로 포함하는 분광측정장치.
- 제32항에 있어서, 상기 장치용 파장 수정을 설정하는 교정수단, 상기 파장교정을 상기 변형 필터와 결합시켜 수정 매트릭스를 이루는 결합수단, 상기 장치를 샘플 소오스로 작동시켜 샘플 스펙트럼을 나타내는 샘플 데이터를 생성하는 수단, 및 상기 수정 매트릭스를 상기 샘플 데이터에 사용하여 상기 샘플 스펙트럼을 나타내는 교정된 표준화 데이터를 생성시키는 수단을 부가적으로 포함하는 분광측정장치.
- 제35항에 있어서, 상기 장치는 방사선의 파장 교정 소오스를 부가적으로 포함하며, 상기 교정수단은 상기 장치를 상기 파장 교정 소오스로 작동시켜 고정 데이터를 생상시키는 수단, 및 상기 변환 필터를 상기 교정 데이터에 사용하여 상기 파장 교정을 구성하는 표준화된 교정 데이터를 생성시키는 수단을 부가적으로 포함하는 분광측정장치.
- 제40항에 있어서, 상기 장치를 예비작동시켜 공칭 배경 데치터를 저장하고, 상기 교정 데이터, 상기 프로파일 데이터 배경 데이터 및 상기 샘플 데이터를 상기 공칭 배경 데이터로 수정하는 배경수단을 부가적으로 포함하는 분광측정장치.
- 제39항에 있어서,상기 장치는 상기 분광범위를 이루는 분광위치대 분광파장의 공칭 교정을 갖고, 정밀하헤 식별된 파장의 적어도 하나의 1차 분광피크의 교정소오스와 상기 분광범위를 가로질러 이격된 다수의 2차 피크의 다중 소오스를 부가적으로 포함하되, 각각의 2차 피크는 상관 상수에 따른 피크 파장의 상관함수에 의해 식별된 정수 순서번호를 갖으며, 상기 교정수단은, 상기 장치를 상기 교정 소오스로 부가작동시켜 상기 1차 분광피크를 나타내는 교정 데이터를 생성시키고, 또 다르게 상기 장치를 상기 다중 피크 소오스로 부가 작동시켜 상기 다수의 2차 피크를 나타내는 2차 데이터를 생성시키는 부가수단, 상기 분광위치와 관련하여 상기 교정 데이터로 부터 1차 위치를 확인하고, 상기 분광위치와 관련하여 상기 2차 데이터로 부터 한 세트의 2차 피크 위치를 부가적으로 확인하는 확인수단, 상기 공칭 교정에 의해 결정되는 적어도 2개의 피크 파장에 대한 차동 순서번호에 따라 상기 상관 상수를 상관 함수로 평가하는 평가수단, 상기 1차 피크에 인접 배치되어 있는 적어도 하나의 선택된 2차 피크에 대한 교정 순서번호를 상기 상관 함수로 식별하는 식별수단으로서, 상기 공칭 교정에 의해 선택된 2차 피크에 대하여 결정된 예비파장 및 상기 평가된 상관 상수에 따라 달성되는 식별수단, 상기 선택된 2차 피크 및 상기 피크의 정밀한 상대위치를 상기 선택된 2차 피크로부터 보간하는 단계, 상기 상관함수를 사용하여 상기 교정 순서번호, 상기 정밀 식벽 파장 및 상기 상대 위치로부터 정밀한 상관 상수를 계산하는 계산수단, 및 상기 정밀 상관 상수를 상기 상관 함수로 사용하여 교정된 파장을 관련 순서번호, 결과적으로 상기 분광위치에 대한 2차 피크위치로 할당하는 이용수단을 포함하는 분광측정장치.
- 제42항에 있어서, 상기 다중 소오스는 상기 다수의 2차 피크를 포함하는 줄무늬 패턴으로 상기 방사선을 전달하도록 배치된 파브리-페롯의 저급 미세에탈론인 분광측정장치.
- 제43항에 있어서, 상기 저급 미세 에탈론은 피복되지 않은 융합 실리카 플레이트를 포함하는 분광측정장치.
- 제42항에 있어서, 상기 교정 소오스는 네오디뮴이 도우프된 이트륨 알루미늄 석류석 필터인 분광측정장치.
- 정밀하게 식별된 파장의 적어도 하나늬 1차 분광 피크의 교정 소오스, 및 분광 범위를 가로질러 이격된 다수의 2차 피크의 다중 소오스를 포함하되, 각각의 2차 피크는 상관 상수에 따른 피크 파장의 상관 함수에 의해 식별된 정수 순서번호를 갖고, 선택된 분광범위에 존재하는 분광위치대 분광파장의 공칭 교정을 갖는 분광측정장치로서, 상기 장치를 상기 교정소오스로 부가 작동시켜 상기 1차 분광 피크를 나타내는 교정 데이터를 생성하고, 또 다르게 상기 장치를 상기 다중 피크 소오스로 부가작동시켜 상기 다수의 2차 피크를 나타내는 2차 데이터를 생성하는 부가수단, 상기 분광위치와 관련하여 상기 교정 데이터로 부터 1차 피크위치를 확인하고, 상기 분광위치와 관련하여 상기 2차 데이터로부터 한세트의 2차 피크위치를 부가적으로 확인수단, 상기 공칭 교정에 의해 결정되는 적어도 2개의 피크파장에 대한 차동 순서번호에 따라 상기 상관상수를 상기 상관함수로 식별하는 식별수단으로서, 상기 공칭교정에 의해 선택된 2차 피크에 대하여 결정된 예비 파장 및 상기 평가된 상관 상수에 따라 달성되는 식별수단, 상기 선택된 2차 피브 및 상기 1차 피크의 정밀한 상대위치를 상기 선택된 2차 피크로부터 보간하는 보간수단, 상기 상관함수를 사용하여 상기 교정 순서번호, 상기 정밀 식별 파장 및 상기 상대위치로부터 정밀한 상관 상수를 계산하는 계산수단, 및 상기 정밀 상관 상수를 상기 상관함수로 사용하여 교정된 파장을 관련 순서번호, 결과적으로는 상기 분광위치에 대한 2차 피크위치로 할당하는 이용수단으로 구성되어 있는 고정수단을 부가적으로 포함하는 분광측정장치.
- 제46항에 있어서, 상기 다중 소오스는 방사선 소오스 및 상기 방사선 소오스에 삽입된 제1의 광학 요소를 포함하며, 상기 제1의 광학 요소는 파장과 관련된 굴절율(n)을지니고, 상기 배열 변호(m)는 상관함수에 의한 상관 상수(T´)에 따른 피크 파장(L)(m0mT´/L)으로 식별되는 분광측정장치.
- 제47항에 있어서, 상기 다중 소오스는 상기 다수의 2차 피크를 포함하는 줄무늬 패턴으로 상기 방사선을 전달하도록 배치된 파브리-페롯의 저급 메세에 탈론인 분광측정장치.
- 제48항에 있어서, 상기 저급 미세 에탈론은 피복되지 않은 융합 실리카 플레이트를 포함하는 분광측정장치.
- 제46항에 있어서, 광학 표준은 네오디뮴이 도우프된 이트륨 알루미늄 석류석 필터인 광학측정장치.
- 근접 적외선 분광라인을 통과시키는 고급의 미세 에탈론을 포함하되, 각각이 1%내지 10%투과율을 제공하기에 충분한 반투명한 금 피막을 각각의 측면상에 갖는 얇은 폴리머 피막으로 구성되어 있는 고급의 미세 에탈론을 포함하는 에탈론 구조물.
- 제51항에 있어서, 상기 피막은 대략 10내지 25마이크로미터인 두께인 에탈론 구조물.
- 제51항에 있어서, 상기 피막은 니트로셀룰로오스인 에탈론 구조물.
- 제51항에 있어서, 사이에 샌드위치인 에탈론을 갖는 한쌍의 플레너 글라스 위노우를 부가적으로 포함하는 에탈론 구조물.
- ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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