KR930014768A - 상보형 금속 산화물 반도체 (cmos)-에미터 결합 논리(ecl)레벨 트랜슬레이터 - Google Patents

상보형 금속 산화물 반도체 (cmos)-에미터 결합 논리(ecl)레벨 트랜슬레이터 Download PDF

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KR930014768A
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cmos
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ecl
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bipolar transistor
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람 님쵸
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원본미기재
내쇼날 세미컨덕터 코포레이션
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Abstract

출력 레벨 트랜슬레이터로서 사용하기에 매우 적합한 저전력 CMOS-ECL 레벨 트랜슬레이터는 CMOS 전압레벨(VDD, VSS)에 접속된 N-채널 MOSFET 트랜지스터 및 P-채널 MOSFET 트랜지스터를 갖는 CMOS 스위치, 와동화회로를 통해 상기 CMOS 스위치의 출력에 접속된 베이스 ECL 전위(Vcc)에 접속된 콜렉터, 및 ECL 전위(VEE) 출력은 상기 바이폴라 트랜지스터의 에미터로부터 직접 취해진다. 상기 동화 회로는 VCC및 상기 바이폴라 트랜지스터의 베이스 사시에 접속되어 있으며 상기 CMOS 스위치출력에 접속된 게이트나 복수개의 게이트를 갖는 제1의 PMOS 트랜지스터(또는 보다 큰사이즈가 필요한 경우 병렬 트랜지스터 어레이), 및 상기 바이폴라 트랜지스터의 베이스 및 에미터사이에 접속되어 있으며 DATA 단자에 접속된 게이트를 갖는 제2의 PMOS트랜지스터를 포함한다. CMOS 레벨이 논리 0일 경우, 상기 등화 회로는 VCC로 부터 상기 바이폴라 트랜지스터의 베이스를 분리시키고 상기 바이폴라 트랜지스터의 에미터를 단락시키므로써 상기 바이폴라 트랜지스터를 역방향으로 바이어스시키는 것을 방지하면서 상기 레벨 트랜슬레이터를 효과적으로 3상태로 이룬다. CMOS 레벨이 논리 1일 경우 상기 등화 회로는 상기 에미터로부터 베이스를 분리시키고 상기 베이스를 VCC로 상승시킴으로써 ECL 출력 단자를 구성시킨다. 상기 레벨 트랜슬레이터의 이네이블 회로도 또한 기술되어 있다. 상기 레벨 트랜슬레이터는 출력 트랜슬레이터로서 2지향성 출력 트랜슬레이터의 요소로서 및 클램프 회로와 결합될 경우 내부 레벨 트랜슬레이터로서 사용하기에 적합하다.

Description

상보형 금속 산화물 반도체(CMOS)-에미터 결합 논리(ECL)레벨 트랜슬레이터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 CMOS-ECL 레벨 트랜슬레이터를 개략적으로 도시한 회로 다이어그램.
제3도는 제2도의 트랜슬레이터를 합체한 2지향성 레벨 트랜슬레이터를 개략적으로 도시한 회로 다이어그램.
제4도는 제2도의 레벨 트랜슬레이터의 변형 종단부를 개략적으로 도시한 회로 다이어그램.

Claims (1)

  1. 제1및 제2 CMOS 전력버스, CMOS 신호입력, 상기 CMOS전력 버스 및 상기 CMOS 신호 입력에 접속되어 있는 CMOS버퍼, ECL 전력버스, ECL 신호출력, 및 상기 CMOS 버퍼에 접속된 베이스, 상기 ECL 전력버스에 접속된 콜렉터, 및 상기 ECL 출력에 접속된 에미터를 갖는 바이폴라 트랜지스터를 포함하는 레벨 트랜슬레이터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920024440A 1991-12-17 1992-12-16 상보형 금속 산화물 반도체 (cmos)-에미터 결합 논리(ecl)레벨 트랜슬레이터 KR930014768A (ko)

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JPH05268048A (ja) 1993-10-15
US5311082A (en) 1994-05-10
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