KR930010752B1 - Ejector pin holl processing method of semiconductor molding cavity block - Google Patents
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Abstract
Description
제1도는 반도체 금형의 캐비티 블럭(CAVITY BLOCK)부위에 대한 예시도.1 is an exemplary view of a cavity block portion of a semiconductor mold.
제2도는 종래의 반도체 팩키지에 대한 측면구성 예시도.2 is a side view illustrating a conventional semiconductor package.
제3도는 숄더(SHOULDER)가 개량된 반도체 팩키지(PACKAGE)에 대한 예시도.3 is an exemplary diagram of a semiconductor package in which a shoulder is improved.
제4도는 이젝터 핀이 팩키지를 캐비티블럭으로부터 분리시킬 때에 잔폐물이 형성되는 이유를 설명하기 위한 도면.4 is a view for explaining why residue is formed when the ejector pin separates the package from the cavity block.
제5도는 제4도에 의해 반도체 팩키지상에 왕관 모양의 잔폐물(RESIN BLEED )이 형성됨을 나타낸 사시도.FIG. 5 is a perspective view showing that crown residues are formed on the semiconductor package by FIG.
제6도는 제4도에서 이젝터 핀에 의해 캐비티블럭에서 분리된 패키지에 잔폐물이 형성됨을 예시한 도면.FIG. 6 illustrates the formation of debris in a package separated from the cavity block by the ejector pins in FIG.
제7도는 본 발명에 따른 이젝터 핀 작동시의 캐피티 블럭과 밀착상태를 도시한 도면.7 is a view showing a close contact with the capacitive block during the ejector pin operation according to the present invention.
제8도는 제7도의 원내 확대도.8 is an enlarged view of the park in FIG.
제9도는 명세서 중 표(1) 및 표(2)의 조건하에서 이젝터 핀과 호울 틈새와 에폭시 수지 누출거리와의 관계를 나타내는 그래프이다.9 is a graph showing the relationship between the ejector pin, the hole clearance, and the epoxy resin leak distance under the conditions of Tables 1 and 2 in the specification.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings
10 : 이젝터 핀(EJECTOR PIN) 11 : 리이드 프레임(LEAD FRAME)10: ejector pin 11: lead frame
12 : 집적회로 칩(I.C. CHIP) 13 : 반도체 팩키지12: integrated circuit chip (I.C. CHIP) 13: semiconductor package
14 : 캐비티 블럭(CAVITY BLOCK) 15 : 이젝터 핀 호울14: Cavity Block 15: Ejector Pin Hole
16 : 레진 브리드(RESIN BLLED) 17 : 에폭시 수지 혼합물16: resin blend 17: epoxy resin mixture
본 발명은 반도체 팩키지(PACKAGE) 성형(ENCAPSUATLION)용 모울드(M OLD)금형에 있어서, 캐비티 블럭(CAVITY BLOCK)내에 이젝터 핀 호울(EJECTOR PIN HOLE)을 가공하는 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for processing ejector pin holes in a cavity block in a mold for semiconductor package molding.
제1도에서 보는 바와 같이, 반도체 금형 중 이젝터 핀(10)은 리이드 후레이(11, LEAD FRAME)에 붙여진 집적회로 칩(12, I.C. Chip)을 보호하기 위해 에폭시 모울딩 컴파운드(EPOXT MOLDING COMPUOND)로 모울딩(ENCAPSULATION)한 반도체 팩키지(13)를 캐비티 블럭(14)으로부터 강제 추출시키는 역할을 하는 것이다.As shown in FIG. 1, the ejector pins 10 of the semiconductor molds have an epoxy molding compound (EPOXT MOLDING COMPUOND) to protect the integrated circuit chip 12 (IC chip) attached to the lead frame 11 (lead frame). The semiconductor package 13, which is subjected to ENCAPSULATION, is forcibly extracted from the cavity block 14.
한편, 반도체 칩의 개발 경쟁이 고집적, 소형화되어 감에 따라, 제2도와 제3도에서 보는 바와 같이, 반도체 팩키지(13)의 리드부분 숄더(SHOULDER)치수가 L에서 L1(정확히는 S에서 S1)으로 작아짐에 따라, 모울딩 다음 공정인 트리밍(TRIMMING)과 포오밍(FORMING)공정시 타발되는 위치가 팩키지 좌우면에 근접하게 되어, 타발시 충격에 의해 중간의 리이드 프레임(11, LEAD FRAME)을 기준으로 한 상하 팩키지(13',13＂)가 벌어지는 미세한 틈(MICRO GAP)이 발생하게 된다.On the other hand, as the competition for development of semiconductor chips is becoming highly integrated and miniaturized, as shown in FIGS. 2 and 3, the shoulder dimension of the lead portion of the semiconductor package 13 is L to L 1 (exactly S to S). As it decreases to 1 ), the punching position in the trimming and forming process after the molding is close to the left and right sides of the package, and the intermediate lead frame (11, LEAD FRAME) MICRO GAP is generated in which the top and bottom packages 13 'and 13' are opened based on the "
그런데, 이 미세한 틈은 아무리 미세한 틈이라도 이 틈새로 I.C 침 산화의 원인이 되는 공기, 습기 그리고 오일과 같은 불순물이 유입되면 집적회로 칩은 못쓰게 되는 치명적인 결함요인이 되므로, 이러한 틈을 없애기 위해 트리밍과 포오밍같은 프레스 타발공정에서도 상하면의 팩키지가 리이드 프레임 상에서 떨어지지 않을 수 있는 고 결합력의 에폭시 모울딩 컴파운드(EPOXY MOLDING COMPOUND)가 요구되어 왔다.However, these microscopic cracks are fatal defects that can cause the IC chip to get rid of impurities such as air, moisture, and oil that cause IC immersion into the microscopic gaps. In press punching processes such as foaming, high bonding strength epoxy molding compounds have been required in which upper and lower packages may not fall on the lead frame.
이에 부응하여 결합력을 증가시키고 반도체 팩키지가 모울딩 후 수축시 적은 내부 응력을 갖게 하기 위하여, 아래표 (1)에 예시된 것처럼 가장 많은 양을 차지하는 충진제의 입자는 더욱 미세하여지고, 결합제 역할을 하는 에폭시 수지는 그 양이 더욱 많아지게 되며, 충진제 입자의 크기는 0.02~0.045mm의 범위에서 0.015~0.18mm로 줄어들고 있다.In response to this, in order to increase the bonding force and have the semiconductor package have a small internal stress upon shrinkage after molding, the particles of the filler which occupy the largest amount become finer and serve as a binder, as illustrated in Table 1 below. The amount of the epoxy resin is more and more, the size of the filler particles are reduced to 0.015 ~ 0.18mm in the range of 0.02 ~ 0.045mm.
[표 1]TABLE 1
여기서, 에폭시 모울딩 컴파운드 성분 중 가장 많은 성분비를 차지하는 것은 FILTER(충진제)이며(70%), 일반적인 중진제의 크기는 0.015~0.945mm정도이며, 그 다음으로 많은 성분비를 차지하는 것은 RESIN(수지)으로 충진제간의 결합제 역할을 한다.Here, the largest component ratio of the epoxy molding compound component is FILTER (filler) (70%), and the size of general neutralizer is about 0.015 ~ 0.945mm, and the next largest component ratio is RESIN (resin). It acts as a binder between fillers.
이와 관련하여 반도체 팩키지를 생산하는 모울딩공정에 있어서 그 성형 금형은 제1도와 같은 구조를 가지며 성형되 반도체 팩키지(PACKAGE)는 제5도와 같다.In this regard, in a molding process for producing a semiconductor package, the molding die has a structure as shown in FIG. 1 and a molded semiconductor package is as shown in FIG.
상기한 표 (1)에서와 같은 모울딩 조건하에서 모울딩을 하게되면, 고체로 되어 있던 에폭시 모울딩 컴파운드가 열에 의해 녹아 금형상의 캐비티 블럭에 형성된 반도체 팩키지 모양의 캐비티(CAVITY)에 흘러 들어가 굳게 되는데 이 용융된 컴파운드는, 후술하는 표 2에서 보는 바와 같이, 높은 압력을 받게 되므로 미세한 틈새라도 흘러들어가 열경화되어 굳게 된다.When the molding is carried out under the molding conditions as shown in Table (1), the epoxy molding compound, which is a solid, is melted by heat, and flows into the semiconductor package-shaped cavity (CAVITY) formed in the cavity block of the mold to harden. This molten compound is subjected to high pressure, as shown in Table 2 to be described later, so that even a small gap flows in and hardens by thermal curing.
이때 컴파운드의 입자가 더 미세해지고 결합제인 에폭시 수지가 많아질수록 미세한 틈새로 흘러들어가는 양은 많아지게 되었다.In this case, the finer the particles of the compound and the more epoxy resin as the binder, the greater the amount flowing into the fine gap.
제4도는 상기한 모울딩 상태를 나타내는데, 모울딩이 끝난 후 캐비티 블럭(14)상에서 분리된 반도체 팩키지(13)는 제5도 내지 제8도와 같이 팩키지 상하면에 이젝터 핀(10)과 이젝터 핀 호울(15)사이에 흘러들어가 왕관 모양의 흑갈색으로 투명한 얇은 막인 잔폐물, 즉 레진 브리드(16, RESIN BLEED)가 형성되는데, 그 주성분은 충진재보다 더 미세한 입자들인 에폭시레진(EPOXY RESIN), 착색제, 경화제, 윤활제등이다.FIG. 4 shows the above-described molding state, in which the semiconductor package 13 separated on the cavity block 14 after the molding is finished, the ejector pin 10 and the ejector pin hole on the upper and lower surfaces of the package as shown in FIGS. It flows between (15) and forms a crown-black, transparent, thin film residue, RESIN BLEED, the main component of which is finer particles than filler, EPOXY RESIN, colorant, hardener. , Lubricants, etc.
또한, 이젝터 핀(10)과 호울(15)사이의 틈새가 에폭시 모울딩 컴파운드의 가장 큰 입자인 충진재 입자보다 크거나, 이젝터 핀(10)과 호울(15)이 전원이 아니라 타원으로 형성되어 이젝터 핀(10)과 호울(15) 사이의 틈새가 실제 틈새보다 더 커지게 되면, 이젝터 핀(10)고 호울(15) 사이의 틈새로 충진제가 흘러들어가, 흑색의 딱딱한 레진 브리드(16)와 같이 소위 이젝터 핀 프래쉬(EJELTOR PIN FLASH)가 생겨난다.In addition, the gap between the ejector pin 10 and the hole 15 is larger than the filler particle, which is the largest particle of the epoxy molding compound, or the ejector pin 10 and the hole 15 are formed of an ellipse rather than a power source to eject the ejector. When the gap between the pin 10 and the hole 15 becomes larger than the actual gap, the filler flows into the gap between the ejector pin 10 and the hole 15, such as a black hard resin bleed 16. The so-called ejector pin flash is created.
이렇게, 팩키지 상하면에 이젝터 핀 프래쉬나 레진 브리드(RESIN BLEED)가 형성되어 생산된 반도체 팩키지는 모울딩 다음 공정인 반도체 팩키지 2차 열결화 과정 (POSTCURE PROCESS)에서, 상기한 레진브리드(RESIN BLEEED)나 이젝터 핀 프래쉬(EJELTOR PIN FLASH)가 고열에 녹아 정품으로 생산된 반도체 팩키지면에 녹아 붙어 표면이 불균일한 제품이 되어버리며, 이러한 반도체 팩키지는 외관이 불량하여 상품가치가 없어지게 된다.In this way, the semiconductor package produced by ejector pin flash or resin bleed is formed on the upper and lower surfaces of the package. EJELTOR PIN FLASH melts at high temperatures and melts on the genuinely produced semiconductor package surface, resulting in a non-uniform product. This semiconductor package is poor in appearance and loses its value.
또한, 2차 열결화과정에서 레진 브리드나 에젝터 핀 프래쉬가 팩키지면에 녹아 붙지않아다 하더라도, 이 러한 잔폐물이 발생한 팩키지는 불균일한 표면때문에 제작회사명 등을 인쇄시킬 마킹(MARKING)작업이 불가능해지게 되며, 상기 잔폐물을 제거했다 하더라도 제거된 잔폐물이 반도체 팩키지의 리이드(LEAD)부분에 붙어있다면 트리밍(TRIMMING)과 포오밍(FORMING)과 같은 타발공정에서 이 잔폐물이 타발펀치나 다이(DIE)에 눌려 반도체 팩키지의 리이드(LEAD)를 손상시키는 치명적인 결과를 가져오게 된다.In addition, even if the resin bleed or the ejector pin flash does not melt on the package surface during the secondary thermal degradation process, the marking process for marking the manufacturer's name is required due to the uneven surface. Even if the residue is removed, if the residue is stuck to the lead portion of the semiconductor package, the residue is formed in a punching punch or a punching process such as trimming and forming. Pressing on the die (DIE) has a fatal effect of damaging the lead of the semiconductor package.
이러한 레진 브리드나 이젝터 핀 프레쉬를 제거하기 위해서는 이 잔폐물을 연질상태로 해주는 화학적 처리공정과 연질상태의 잔폐물을 제거하는 공정이 추가되어, 개발, 생산, 판매경쟁속에서 오히려 공정이 늘어감으로 상당한 경제적 손실을 감수할 수 밖에 없었다.In order to remove such resin bleed or ejector pin fresh, a chemical treatment process that softens the residues and a process of removing the soft residues are added. There was a significant economic loss.
더구나 이 이젝터 핀 프레쉬 발생물제는 반도체 금형 뿐만 아니라, 일반 사출성형에 있어서도 커다란 문제점이었다.Moreover, this ejector pin fresh generating agent was a big problem not only in semiconductor molds but also in general injection molding.
이러한 문제를 막기 위해 지금까지의 일반적인 방법은 이젝터 핀과 이젝터 핀 호울 사이의 틈새를 더욱 작게 그리고 호울과 핀 표면은 더욱더 곱게 하려고만 했었다.To avoid this problem, the usual method until now has been to make the gap between the ejector pin and the ejector pin hole smaller and the hole and the pin surface even finer.
이 때문에, 이젝터 핀과 호울은 그 최대틈새를 0.005mm~0.007mm정도로 유지시키고, 핀과 호울의 표면조도는 중심선 평균거칠기 Ra=0.2~0.4㎛이하로 매끄럽게 가공하여 왔다. 그러나 이렇게 정밀하게 가공하기도 어렵고 시간이 많이 걸릴 뿐만 아니라, 이젝터 핀과 호울은 서로 다른 열팽창계수를 갖게 되어 모울딩시 170~180℃의 열을 받게 되면 핀과 호울 사이의 틈새가 너무 작아 이젝터 핀이 호울에 꼭 끼어서 이젝팅 운동이 어렵게 되는 문제가 발생하며, 이 상태에서 억지로(강제적으로) 이젝터 핀을 작동시키려 하면 꼭 끼어있는 핀이 움직이면서 이젝터 핀은 물론, 호울을 손상기켜 핀과 호울사이의 틈새를 더욱 크게하여, 급기야는 이미 손상된 이젝터 핀과 이젝터 핀 호울 사이에 용융된 에폭시 몰딩 컴파운드가 흘러들어가 굳어져 더 이상의 이젝터 핀 운동이 일어날 수 없게 되어 반도체 팩키지 생산이 중단될 수 밖에 없게 된다.For this reason, the ejector pin and the hole maintain the maximum clearance of about 0.005 mm to 0.007 mm, and the surface roughness of the pin and the hole has been smoothly processed to the center line average roughness Ra = 0.2 to 0.4 µm or less. However, not only is it difficult and time-consuming to process precisely, but the ejector pin and the hole have different coefficients of thermal expansion, and when the mold is subjected to heat of 170 to 180 ° C, the gap between the pin and the hole is too small to eject the ejector pin. If you try to operate the ejector pin by force (forced) in this state, the pinned pin moves, damaging not only the ejector pin but also the hole, and the gap between the pin and the hole. To make it even larger, the molten epoxy flows between the already ejected ejector pins and the ejector pin holes, which can harden, causing further ejector pin movements to occur, which inevitably stops the production of semiconductor packages.
또한, 열팽창에 의해서 이젝터 핀이 이젝터 핀 호울에 꼭 끼이지 않을 경우에는 이 틈새로 크기가 큰 충진제 입자가 흘러들어가지는 않지만, 이 틈새로 용융된 에폭시 수지와 기타 첨가제가 흘러들어가 레진 브리드(RESIN BLEED)가 형성된다. 그러므로 지금까지의 일반적인 통념에 의한 방법에 의해서는 레진 브리드난 이젝터 핀은 완전히 막을 수는 없었다.In addition, if the ejector pin is not stuck to the ejector pin hole due to thermal expansion, the large filler particles do not flow into this gap, but the resin resin (RESIN BLEED) that flows into the melted epoxy resin and other additives ) Is formed. Therefore, by conventional wisdom, the resin bridnan ejector pins could not be completely blocked.
본 발명은 이러한 종래의 결정과 문제를 해결하기 위해 안출된 것이다.The present invention has been made to solve these conventional decisions and problems.
이를 위해서, 일반적인 통념과는 반대로 이젝터 핀과 이젝터 핀 호울사이의 틈새를 결합제 역할을 하는 에폭시 레진과 기타 첨가물이 혼합용융된 상태로 흘러들어갈 수 있는 틈새로 유지시켜 주어, 이젝터 핀의 수직운동을 안내해 주는 호울의 직선부위로 용융된 컴파운드가 흘러들어 갈 수 있도록 하고, 이와 병행하여 이젝터 핀 둘레는 기존과 같이 중심선 평균거칠기 Ra=0.2~0.4㎛이하로 매끄럽게 유지하며, 이젝터 핀호울의 표면은 이젝터 핀 보다 더욱 거칠게 가공(Ra=0.8~3.0㎛)하여, 핀과 호울사이로 흘러들어가 굳어진 에폭시 수지(EPOXY RESIN)는 이젝터 핀 호울 표면에 고착되어 있도록 조건을 형성시켜 주고, 표면이 매끄러운 이젝터 핀은 둘레의 굳은 에폭시수지 사이를 자유롭게 운동할 수 있게 하여 이젝터 핀이 반도체 팩키지를 강제로 추출시킬 경우, 팩키지 상ㆍ하면에 붙어 있는 표면적이 더 넓게 되므로 팩키지 면에서는 떨어지고, 호울둘레에는 그대로 남아있게되어 팩키지 상ㆍ하면에 레진 브리드나 이젝터 핀 프레쉬와 같은 잔폐물이 발생되지 않게 한 것이다.To this end, contrary to conventional wisdom, the gap between the ejector pin and the ejector pin hole is maintained as a gap through which epoxy resin and other additives acting as a binder can flow into the melted state, guiding the vertical movement of the ejector pin. The molten compound is allowed to flow into the straight part of the hole, and in parallel, the ejector pin circumference is kept smooth with the center line average roughness Ra = 0.2 ~ 0.4㎛ as before, and the surface of the ejector pin hole is Rougher processing (Ra = 0.8 ~ 3.0㎛), the epoxy resin (EPOXY RESIN) that flows between the pin and the hole to form a condition to adhere to the ejector pin hole surface, the smooth surface of the ejector pin Free ejection between hardened epoxy resins, forcing ejector pins to extract semiconductor packages As the surface area attached to the upper and lower surfaces of the package becomes larger, the surface area of the package is lowered, and it remains on the circumference of the package so that no residue such as resin bleed or ejector pin fresh is generated on the upper and lower surfaces of the package.
이하에 첨부된 도면을 참고하여 본 발명을 상술한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
제 표 1에서와 같이 에폭시 몰딩 컴파운드의 성분중 가장 많은 비율을 차지하는 것이 충진제이며, 그 다음으로 많은 성분비를 갖는 것이 결합제 역할을 하는 에폭시 수지이다. 반도체 팩키지(13)를 형성하는 충진제의 크기는 0.015~0.045mm 정도이므로 이젝터 핀(10)과 이젝터 핀 호울(15) 사이의 최대 틈새가 0.015mm 이상이면 이젝터 핀(10)과 호울(15)사이의 틈새로 충진재입자까지 새어나오게 된다. 전술한 바와같이 그이하의 틈새에서도 에폭시 수지와 기타의 첨가물은 용융된 상태이므로 흘러들어갈수 있다. 그러나 충진제는 용융되지 않으므로 항상 입자상태이다.As shown in Table 1, it is the filler that occupies the largest proportion of the components of the epoxy molding compound, and the epoxy resin which serves as the binder is the one having the largest component ratio. Since the size of the filler forming the semiconductor package 13 is about 0.015 to 0.045 mm, if the maximum gap between the ejector pin 10 and the ejector pin hole 15 is 0.015 mm or more, between the ejector pin 10 and the hole 15. Filler particles leak out through the gaps of the. As described above, the epoxy resin and other additives may flow in the gaps thereafter because they are molten. However, the filler is always molten because it does not melt.
컴파운드 성분에 윤활제가 첨가되어 있다는 사실과 함께 이젝터 핀(10)은 종래와 같이 진원가 가깝게 가공함과 더불어, 표면은 중심선 평균거칠기(Ra=0.2~0.4mm)이하로 매끄럽게 가공하므로, 이젝터 핀(10)이 이젝터 핀(10)과 호울(15)사이에 흘러든 에폭시수지와 혼합된 왁스(윤활제)성분에 의해 틈새가 거의 없어도 자유롭게 움직일 수 있는 조건을 형성시킨다.In addition to the fact that the lubricant is added to the compound component, the ejector pin 10 is processed as close to the original as in the past, and the surface is smoothly processed below the centerline average roughness (Ra = 0.2 to 0.4 mm), so that the ejector pin 10 The wax (lubricant) component mixed with the epoxy resin flowing between the ejector pin 10 and the hole 15 forms a condition that can move freely with little gap.
또한 이젝터 핀 호울(15)은 통념과 반대로, 용융된 에폭시 수지 혼합물(17)이 흘러들어갈 수 있도록 이젝터 핀이 이젝터 핀 호울에 끼워졌을때 그 최대 틈새를 0.007 ~0.013mm까지 헐겁게 형성시키고 이젝터 핀 호울(15)이 이젝터 핀(10)의 수직운동을 안내해 주는 제8도응 직선부위(ℓ)의 길이고 용융된 에폭시 수지 혼합물이 직선부위 (ℓ)을 완전히 빠져나가지 않는 범위인 2~3mm이내로 유지시켜 주며, 이젝터 핀 호울 (15)의 표면은 이젝터 핀(10)의 표면과 같이 매끄럽게 가공하지 않고, 오히려 중심선평균 거칠기(Ra=0.8~3.0㎛)정도로 거칠게 가공하여 컴파운드중의 용융된 에폭시 수지 혼합물(11)의 용착면적을 넓게 하여주며, 이 상태에서 모울딩을 실시하여 이젝터 핀 (1)과 호울(15)사이에 오히려 문제가 되는 레진 브리드(16, RESIN BLEED)를 형성시킨다.In addition, the ejector pin hole 15, contrary to conventional practice, loosely forms a maximum gap of 0.007 to 0.013 mm when the ejector pin is inserted into the ejector pin hole so that the molten epoxy resin mixture 17 can flow therein. (15) the length of the eighth straight line (ℓ) to guide the vertical movement of the ejector pin 10 and the molten epoxy resin mixture is maintained within 2 ~ 3mm within the range that does not completely escape the straight line (ℓ) The surface of the ejector pin hole 15 is not processed as smoothly as the surface of the ejector pin 10, but rather roughly processed to a centerline average roughness (Ra = 0.8 to 3.0 µm), so that the molten epoxy resin mixture in the compound (11 ) And widen the welding area, and in this state, the molding is performed to form a resin bleed (16, RESIN BLEED), which is rather problematic between the ejector pin (1) and the hole (15).
이렇게 하여 모울딩이 끝나고 캐비티 블럭(14)상에서 모울딩되어 반도체 팩키지(13)가 형성되 링드 프레임(11)을 이젝터 핀(10)이 밀어올려 떼어낼 경우, 이젝터 핀(10)과 이젝터 핀 호울(15) 사이의 틈새에 스며들어 융착된 에폭시 수지 혼합물 (17)은 반도체 팩키지(13)하면에 기존과 같이 레진 브리드(16)이 형성된다 하더라도 이 레진 브리드(16)가 반도체 팩키지(13) 상하면에 붙어있는 면적보다 이젝터 핀 호울 (15) 둘레의 표면적이 더 넓어, 이젝팅운동시 이 융착된 에폭시 수지 혼합물(17)은 이젝터 핀 호울(15)면에서 떨어지지 않고 그대로 밀착되어 있으며, 이때 이젝터 핀(10)은 에폭시 수지 혼합물(17)에 포함되어 있는 윤활제성분의 작용으로 틈새가 거의 없다 하더라도 이젝터 핀 호울(15) 표면에 융착되어 있는 레진 브리드(16)를 손상시키지 않고 자유롭게 움직일 수 있게 된다.In this way, when the mold is finished and the semiconductor package 13 is formed by being molded on the cavity block 14, and the ejector pin 10 is pushed off the ring frame 11, the ejector pin 10 and the ejector pin hole ( The epoxy resin mixture 17 fused into the gaps between the 15 and 15 is formed on the upper and lower surfaces of the semiconductor package 13 even though the resin bleed 16 is formed on the lower surface of the semiconductor package 13. Since the surface area around the ejector pin hole 15 is larger than the attached area, the fused epoxy resin mixture 17 adheres to the ejector pin hole 15 without falling off during ejection movement. 10) freely moves without damaging the resin bleed 16 fused to the surface of the ejector pin hole 15 even though there is little gap due to the action of the lubricant component contained in the epoxy resin mixture 17. It is able to work.
상기와 같은 조건을 만족시키기 위한 모울딩 조건을 아래표 (2)와 같다.Molding conditions for satisfying the above conditions are as shown in Table (2) below.
[표 2]TABLE 2
단, 팩키지 성형 압력(PRESSURE)은 반도체 제품을 성형하기 위해 컴파운드에 가해주는 압력,However, the package molding pressure (PRESSURE) is the pressure applied to the compound to form a semiconductor product,
겔 타임을 고체상태의 컴파운드 열을 가하면 액체상태로 되었다가 다시 경화하기 시작한 시간,The gel time becomes the liquid state when the solid compound heat is applied, and then starts to harden again,
트랜스퍼 타임은 컴파운드에 압력을 가해주어 각 캐비티에 완전히 컴파운드가 채워질 때까지 시간,Transfer time pressurizes the compound so that the time until the compound is completely filled in each cavity,
컴파운드 예열온도는 고체상태의 딱딱한 컴파운드를 고주파로 가열하여 무르게 해주는 온도이다.Compound preheating temperature is the temperature that softens solid compounds in solid state by heating them at high frequency.
따라서, 이젝터 핀(10)이 반도체 팩키지(13)를 들어 올려주는 작용을 할 때 이 레진 브리드(16)가 형성된 팩키지 면의 면적보다 이젝터 핀 호울(15) 표면적이 더 넓게되어, 종래의 제6도 및 제7도와 같이 반도체팩키지(13) 하면에서(또는 상면) 형성된 레진 브리드(16)가 그대로 붙어 올라가던 것이 그러한 현상이 없게되며, 팩키지 면에서 떨어지게 되어 제7도에서 보는 것처럼 레진 브리드가 발생하지 않게되고, 그 다음 모울딩 할때 용융된 에폭시 모울딩 컴파운드가 캐비티 내에 유입된다 하더라도 이미 이젝터 핀 호울(15) 둘레에는 이미 에폭시 수지 혼합물이 고착되어 있어, 이 레진 브리드(16)에 의해 이젝터 핀(10)과 이젝터 핀 호울(15)사이는 거의 틈새가 없게 유지되어 있으므로 계속해서 모울딩을 수행한다 하더라도 잔폐물이 없는 반도체 팩키지(13)를 생산할 수 있는 것이다.Therefore, when the ejector pin 10 acts to lift the semiconductor package 13, the surface area of the ejector pin hole 15 is wider than the area of the package surface on which the resin bridging 16 is formed, thus allowing the conventional sixth As shown in FIG. 7 and FIG. 7, the resin bleed 16 formed on the lower surface (or the upper surface) of the semiconductor package 13 is stuck up as it is, and there is no such phenomenon. The resin bleed occurs as shown in FIG. Even if the molten epoxy molding compound is introduced into the cavity during the next molding, the epoxy resin mixture is already fixed around the ejector pin hole 15, so that the ejector pin is Since there is almost no gap between the 10 and the ejector pin hole 15, the semiconductor package 13 produces no residue even if the molding is continued. You can do it.
따라서, 생산된 향상과 신뢰성을 증대시키고 금형가공공차의 정도의 폭이 넓어짐으로 가공속도가 빨라지게 된다.Therefore, the processing speed is increased by increasing the production improvement and reliability and widening the width of the mold processing tolerance.
이와 함께, 양질의 제품을 지속적으로 생산함으로 산업발전에 크게 기여할 수 있을 뿐만 아니라 불량물을 없애 반도체 팩키지의 대량생산을 위한 공장자동화에도 일익을 담당할 수 있게 되었고, 이러한 이젝터 핀호울 성형방법은 이젝터 핀을 사용하는 사출성형 공정이라면 어느 곳이든 모두 적용이 가능한 것이다.In addition, by continuously producing high-quality products, not only can greatly contribute to the industrial development, but also eliminate the defects, can also play a role in the factory automation for mass production of semiconductor packages, this ejector pin-hole molding method is ejector Any injection molding process using pins can be applied anywhere.
Claims (2)
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| KR1019900020597A KR930010752B1 (en) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | Ejector pin holl processing method of semiconductor molding cavity block |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR920011677A KR920011677A (en) | 1992-07-24 |
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|---|---|---|---|---|
| US9305855B2 (en) | 2013-10-29 | 2016-04-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package devices including interposer openings for heat transfer member |
-
1990
- 1990-12-14 KR KR1019900020597A patent/KR930010752B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9305855B2 (en) | 2013-10-29 | 2016-04-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package devices including interposer openings for heat transfer member |
| US9620484B2 (en) | 2013-10-29 | 2017-04-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package devices including interposer openings for heat transfer member |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920011677A (en) | 1992-07-24 |
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