Claims (10)
반도체장치의 제조방법에 있어서, 실리콘기판에 패드산화막을 형성시키는 공정, 비활성영역을 개구하여 기판실리콘을 노출시키는 사진식각공정, 도프드 폴리실리콘을 상기 결과물 전면에 침적시킨 다음, 상기 개구부를 포함한 정도의 적당한 넓이의 영역으로 패턴을 형성시키는 공정, 패터닝된 도프드 폴리 실리콘층을 열처리(Heat cyde)하여 함유된 높은 도스를 기판실리콘으로 확산시키는 공정 및 산화시키는 공정, 이어서, 패드산화막을 제거하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 확산소자분리방법.A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: forming a pad oxide film on a silicon substrate, a photolithography process to expose the substrate silicon by opening an inactive region, and depositing doped polysilicon on the entire surface of the resultant, and then including the opening. Forming a pattern in a region of a suitable width of the substrate, heat treating the patterned doped polysilicon layer to diffuse the high dose contained therein into the substrate silicon, and oxidizing it, and then removing the pad oxide film. Diffusion device separation method, characterized in that consisting of.
제1항에 있어서, 상기 비활성 영역 개구공정은 건식식각에 의한 것을 특징으로 하는 확산소자분리방법.The method of claim 1, wherein the inactive region opening process is performed by dry etching.
제1항에 있어서, 상기 도프드 폴리실리콘층의 패텅은 패드산화막을 최종점으로하여 건식식각에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 확산소자분리방법.2. The method of claim 1, wherein the doped polysilicon layer is formed by dry etching with the pad oxide film as a final point.
제1항에 있어서, 상기 열처리 공정은 어닐공정인 것을 특징으로 하는 확산소자분리방법.The method of claim 1, wherein the heat treatment step is an annealing process.
제1항에 있어서, 상기 도프드 폴리실리콘층의 패턴을 열산화하여 채널저지이온층으로부터의 소자분리 길이를 확장시키는 것을 특징으로 하는 확산소자분리방법.The method of claim 1, wherein the pattern of the doped polysilicon layer is thermally oxidized to extend the device isolation length from the channel Jersey ion layer.
제1항에 있어서, 상기 폴리실리콘에 도프된 도스는 실리콘기판과 동일전도형의 불순물인 것을 특징으로 하는 확산소자분리방법.The method of claim 1, wherein the doped doped polysilicon is an impurity having the same conductivity as that of the silicon substrate.
확산소자분리와 트랜치소자분리방법이 조합된 셀 트랜지스터에 있어서, 통상의 반도체 제조방법에 의하여 셀내의 넓은 영역에 트랜치 소자분리를 형성하고, 이어서 좁은 영역에 확산소자분리를 하는 방법에 있어서, 트렌치 소자분리시 확산소자분리영역 위에 형성되어진 질화막과 데미지 큐어 산화막을 제거하여 확산분리영역을 개구시키는 공정, 상기 결과물전면에 도프드 폴리실리콘층을 침적시킨 다음, 사진식각공정에 의해 상기 개구영역을 포함하면서 인접한 트랜치 영역을 벗어나지 않는 정도의 적당한 크기로 상기 도포드 폴리실리콘층의 패턴을 형성시키는 공정, 이어서 어닐 열처리 공정에 의해 상기 도프드 폴리실리콘층 패턴내의 높은 도스를 기판실리콘으로 확산시키는 공정, 상기 패턴을 산화시킨 다음, 질화막, 패드산화막을 제거하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.In a cell transistor in which a diffusion device isolation method and a trench device isolation method are combined, trench device isolation is formed in a wide area in a cell by a conventional semiconductor manufacturing method, and then diffusion device isolation is performed in a narrow area. Removing the nitride film and the damage cure oxide film formed on the diffusion device isolation region during the separation to open the diffusion isolation region; depositing the doped polysilicon layer on the entire surface of the resultant, and then including the opening region by a photolithography process. Forming a pattern of the coated polysilicon layer in a suitable size to the extent that it does not deviate from an adjacent trench region, and then diffusing a high dose in the doped polysilicon layer pattern to the substrate silicon by an annealing heat treatment process, the pattern After oxidizing, the nitride film and the pad oxide film are removed. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps.
제7항에 있어서, 상기 폴리실리콘에 도포된 도스는 실리콘기판과 동일전도형의 불순물인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.8. The method of claim 7, wherein the dose applied to the polysilicon is an impurity of the same conductivity type as that of the silicon substrate.
제7항에 있어서, 상기 도프드 폴리실리콘의 패턴은 상기 질화막을 최종점으로 하여 건식식각에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 7, wherein the pattern of the doped polysilicon is formed by dry etching with the nitride film as an end point.
제7항에 있어서, 상기 도프드 폴리실리콘층의 패턴을 열산화하여 채널저지이온층으로부터 소자분리 길이를 확장시키는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.8. The method of claim 7, wherein the pattern of the doped polysilicon layer is thermally oxidized to extend the device isolation length from the channel Jersey ion layer.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.