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레이저 다이오드 어레이 제조방법Laser diode array manufacturing method
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is an open matter, no full text was included.
제1도는 본 발명에 따른 레이저 다이오드 어레이의 제조방법을 설명하기 위한 단면도.1 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a laser diode array according to the present invention.
Claims (4)
리버스 메사(reverse mesa) 형태로 에칭된 N형 기판(1)상에 전류제한층(2)을 형성하고, N형 클레드층(3),P형 활성층(4), P형 클레드층(5) 및 N+형 캡층(6)을 차례로 성장한후, 유전체층(7)을 증착하여 에칭하고 이를 마스크로하여 선택적확산에 의해 전류통로(100)를 형성한후 통상적인 전극증착방법으로 P형 전극(8)및 N형 전극(9)을 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 레이저 다이오드 어레이 제조방법.A current limiting layer 2 is formed on the N-type substrate 1 etched in reverse mesa form, and the N-type cladding layer 3, the P-type active layer 4, and the P-type cladding layer ( 5) and the N + type cap layer 6 are sequentially grown, the dielectric layer 7 is deposited and etched, and the current path 100 is formed by selective diffusion using the mask as a mask. And (8) and an N-type electrode (9).제1항에 있어서, 상기 기판(1)은 90°보다 작은 각도로 주기적으로 리버스 메사(reverse mesa)형태로 에칭된 구조를 갖는 리지(ridge)기판임을 특징으로 하는 레이저 다이오드 어레이 제조방법.The method of claim 1, wherein the substrate (1) is a ridge substrate having a structure which is periodically etched in the form of reverse mesa at an angle smaller than 90 °.제1항에 있어서, 상기 전류제한층(2)은 층 두께가 리지 높이 (H)보다 충분히 작으면 끊어진 형태로 성장되는 유기금속 기상성장법(MOCVD)을 이용하여 형성됨을 특징으로 하는 레이저 다이오드 어레이 제조방법.The laser diode array according to claim 1, wherein the current limiting layer (2) is formed using organometallic vapor phase growth (MOCVD) which is grown in a broken form if the layer thickness is sufficiently smaller than the ridge height (H). Manufacturing method.제1항에 있어서, 전류통로(100)는 확산 또는 이온주입법으로 형성함을 특징으로 하는 레이저 다이오드 어레이 제조방법.The method of claim 1, wherein the current path (100) is formed by a diffusion or ion implantation method.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.