Claims (13)
바닥면 및 바닥면의 양측에 소정 각도를 갖는 경사측면들을 갖는 그루브가 형성되는 기판; 상기 기판상에 다층구조로 형성되는 것으로서, 각 다층구조가 상기 그루브의 형태를 추종하도록 구성되며, 상기 다층구조중 상부에 형성되는 층들의 경사측면들에는 p형 도판트가 도핑되는 레이저 발진층; 상기 레이저 발진층의 상부에서 상기 그루브의 바닥면에 대응되는 부분을 노출시키는 개구부를 갖는 전류 제한층; 및 상기 전류 제한층의 상부에 형성되는 것으로서 상기 개구부를 통하여 상기 레이저 발진층으로 전류를 공급하게 되는 제1전극 및 상기 기판의 하부에 형성되는 제2전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.A substrate having grooves having inclined side surfaces having a predetermined angle on both bottom surfaces and bottom surfaces thereof; A multi-layer structure formed on the substrate, the multi-layer structure being configured to follow the shape of the groove, and the laser oscillation layer doped with a p-type dopant on the inclined side surfaces of the layers formed on the multi-layer structure; A current limiting layer having an opening exposing a portion corresponding to the bottom surface of the groove on top of the laser oscillation layer; And a first electrode formed on the current limiting layer to supply current to the laser oscillation layer through the opening, and a second electrode formed on the bottom of the substrate.
제1항에 있어서, 상기 레이저 발진층은 통전용이층, 제1클래드층, 활성층, 제2클래드층 및 캡층이 차례로 적층된 구조인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.The semiconductor laser diode according to claim 1, wherein the laser oscillation layer has a structure in which a current passivating layer, a first cladding layer, an active layer, a second cladding layer, and a cap layer are sequentially stacked.
제2항에 있어서, 상기 통전용이층은 p형 도판트가 도핑된 InGaP으로 구성되고, 상기 활성층은 InGaP으로 구성되며, 상기 제1클래드층은 p형 도판트가 InGaAlP으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.The method of claim 2, wherein the conductive layer is composed of InGaP doped with a p-type dopant, the active layer is composed of InGaP, the first cladding layer is characterized in that the p-type dopant is composed of InGaAlP. Semiconductor laser diode.
제2항에 있어서, 상기 캡층은 상기 그루브의 바닥면에 대응하는 부분 및 그루브가 아닌 평탄한 부분에는 n형 도판트가 도핑되고, 그루브의 경사측면들에 대응되는 부분들에는 p형 도판트가 도핑되는 GaAs로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.The n-type dopant is doped in a portion corresponding to the bottom surface of the groove and a non-groove, and the p-type dopant is doped in portions corresponding to the inclined sides of the groove. A semiconductor laser diode, characterized in that consisting of GaAs.
제4항에 있어서, 상기 제2클래드층은 상기 그루브의 바닥면에 대응되는 부분 및 그루브가 아닌 평탄한 부분에는 n형 도판트가 도핑되고, 그루브의 경사측면들이 대응되는 부분에는 p형 도판트가 도핑되는 InGaAlP로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.The n-type dopant is doped in a portion corresponding to the bottom surface of the groove and a non-groove flat portion, and the p-type dopant is formed in the portion where the inclined sides of the groove correspond. A semiconductor laser diode, comprising: doped InGaAlP.
제1항에 있어서, 상기 그루브의 양측 경사측면이 갖는 면지수는 (311)A 또는 (1111)A 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.The semiconductor laser diode according to claim 1, wherein the surface index of each of the inclined side surfaces of the groove is either (311) A or (1111) A.
소정 기판을 식각하여, 바닥면 및 소정 각도를 갖는 그루브를 형성하는 제1공정; 각 층들이 상기 그루브의 형태를 추종하도록 하면서, 상기 기판위에 통전 용이층, 제1클래드층, 활성층, 제2클래드층 및 캡층을 성장시키는 제2공정; 상기 캡층의 상부의 상기 그루브의 바닥면에 대응되는 부분을 노출시키는 개구부를 갖는 전류 제한층을 형성하는 제3공정; 및 상기 전류 제한층의 상부 및 상기 기판의 하부에 제1금속 및 제2금속을 각각 형성하는 제4공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.Etching a predetermined substrate to form grooves having a bottom surface and a predetermined angle; A second process of growing an easy conduction layer, a first cladding layer, an active layer, a second cladding layer, and a cap layer on the substrate while allowing each layer to follow the shape of the groove; A third step of forming a current confined layer having an opening for exposing a portion corresponding to the bottom surface of the groove on top of the cap layer; And a fourth step of forming a first metal and a second metal on an upper portion of the current limiting layer and a lower portion of the substrate, respectively.
제7항에 있어서, 상기 제2공정은 금속 유기 기상 성장(MOCVD)법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.The method of claim 7, wherein the second process is performed by metal organic vapor deposition (MOCVD).
제8항에 있어서, 상기 캡층은 면선택도핑 특성에 근거하는 동시 불순물 도핑 기술에 의하여 상기 그루브에 바닥면 및 평탄한 면에는 n형 도판트가 도핑되고, 경사측면들에는 p형 도판트가 도핑되는 GaAs를 성장시키게 되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.The method of claim 8, wherein the cap layer is doped with n-type dopants on the bottom and flat surfaces of the groove, the p-type dopant is doped on the inclined sides by a simultaneous impurity doping technique based on the surface selective doping characteristics A method for manufacturing a semiconductor laser diode, characterized by growing GaAs.
제9항에 있어서, 상기 제2클래드층은 동시 불순물 도핑 기술에 의하여 상기 그루브에 바닥면 및 평탄한 면에는 n형 도판트가 도핑되고, 경사측면들에는 p형 도판트가 도핑되는 InGaAlP를 성장시키게 되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.10. The method of claim 9, wherein the second cladding layer is to grow the InGaAlP doped dopant on the bottom surface and the planar surface, and the p-type dopant doped on the inclined side by a simultaneous impurity doping technique Method for producing a semiconductor laser diode, characterized in that.
제7항에 있어서, 상기 제2공정은 분자석 에피텍셜 성장(molcular beam epitaxy; MBE)법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.The method of claim 7, wherein the second process is performed by a molecular beam epitaxy (MBE) method.
제11항에 있어서, 상기 제2클래드층은 실리콘을 도핑하면서 InGaAlP층을 성장시키는 것으로서, 경사면에 도핑된 실리콘은 p형 도판트로 작용하고, 평탄한 면 및 그루브의 바닥며에 도핑된 실리콘은 n형 도판트로 작용하게 되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.The method of claim 11, wherein the second cladding layer grows an InGaAlP layer while doping silicon, wherein the silicon doped on the inclined surface acts as a p-type dopant, and the silicon doped on the flat surface and the bottom of the groove is n-type. A method of manufacturing a semiconductor laser diode, which acts as a dopant.
p형 GaAs기판을 식각하여, 바닥면 및 소정 각도를 갖는 그루브를 형성하는 공정; 각 층들이 상기 그루브의 형태를 추종하도록 하면서, 상기 기판위에 InGaP 통전용이층, InGaAlP 클래드층, InGaP 활성층, InGaAlP 클래드층 및 GaAs 캡층을 금속 유기 기상 성장법으로 성장시키는 공정; 상기 캡층의 상부의 상기 그루브의 바닥면에 대응되는 부분을 노출시키는 개구부를 갖는 전류 제한층을 형성하는 공정; 및 상기 전류 제한층의 상부 및 상기 기판의 하부에 제1금속 및 제2금속을 각각 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.etching the p-type GaAs substrate to form grooves having a bottom surface and a predetermined angle; Growing an InGaP passivation layer, an InGaAlP cladding layer, an InGaP active layer, an InGaAlP cladding layer, and a GaAs cap layer on the substrate by allowing each layer to follow the shape of the groove; Forming a current confined layer having an opening for exposing a portion corresponding to a bottom surface of the groove on top of the cap layer; And forming a first metal and a second metal on an upper portion of the current limiting layer and a lower portion of the substrate, respectively.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임※ Note: The disclosure is based on the initial application.