Claims (6)
중앙 상부에, 수평면과 경사면을 갖는 릿지가 형성되어 있는 제1도전형 기판; 상기 기판상에 형성되고, 상기 기판의 릿지에 상응하는 형태를 가지면서 중앙의 수평부분과 양 측면의 경사부분으로 이루어지는 볼록부를 가지며, 상기 볼록부의 양 경사부분에는 제2도전형 불순물이 도핑되어 있는 제1도전형 제1클래드층; 상기 제1클래드층상에 형성되고, 상기 제1클래드층의 볼록부에 상응하는 형태의 볼록부를 갖는 활성층; 상기 활성층상에 형성되고, 상기 활성층의 볼록부에 상응하는 형태의 볼록부를 갖는 제2도전형 제2클래드층; 상기 제2클래드층상에 형성되고, 상기 제2클래드층의 볼록부에 상응하는 형태를 가지며 중앙의 수평부분과 양 측면의 경사부분으로 이루어지는 볼록부를 갖는 제2도전형 캡층; 및 상기 캡층 볼록부의 수평부분을 제외한 상기 캡층상에 형성되어 있는 제1도전형 전류차단층을 포함하는 레이저 다이오드.A first conductive substrate having a ridge having a horizontal surface and an inclined surface formed on an upper center thereof; A convex portion formed on the substrate and having a shape corresponding to the ridge of the substrate, the convex portion consisting of a horizontal portion at the center and an inclined portion on both sides, and the second inductive portion being doped on both inclined portions of the convex portion. A first cladding cladding layer; An active layer formed on the first clad layer and having a convex portion corresponding to the convex portion of the first clad layer; A second conductive second clad layer formed on the active layer and having a convex portion having a shape corresponding to the convex portion of the active layer; A second conductive cap layer formed on the second clad layer, the second conductive cap layer having a shape corresponding to the convex portion of the second clad layer, and having a convex portion formed of a horizontal portion at the center and inclined portions at both sides thereof; And a first conductive type current blocking layer formed on the cap layer except for a horizontal portion of the cap layer convex portion.
제1항에 있어서, 상기 기판과 상기 제1클래드층 사이에 형성되고, 상기 기판의 릿지에 상응하는 형태를 가지면서 중앙의 수평부분과 양 측면의 경사부분으로 이루어지는 볼록부를 가지며, 상기 볼록부의 양 경사부분에는 제2도전형 불순물이 도핑되어 있는 제1도전형 버퍼층 및 상기 제2클래드층과 상기 캡층 사이에 형성되고, 상기 제2클래드층의 볼록부에 상응하는 형태의 볼록부를 갖는 제2도전형 통전용이층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.The convex portion according to claim 1, wherein the convex portion is formed between the substrate and the first cladding layer, and has a convex portion having a shape corresponding to the ridge of the substrate, the convex portion consisting of a horizontal portion in the center and an inclined portion on both sides thereof. A second conductive layer having a first conductive buffer layer doped with a second conductive impurity and a convex portion having a shape corresponding to the convex portion of the second clad layer, wherein the inclined portion is formed between the first conductive buffer layer and the second clad layer; A laser diode further comprising a double layer for electricity transmission.
제1항에 있어서, 상기 활성층은 GaAs, AlGaAs, InGaAs 및 InGaAlP로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.The semiconductor laser diode of claim 1, wherein the active layer is formed of any one selected from the group consisting of GaAs, AlGaAs, InGaAs, and InGaAlP.
제1도전형 기판의 중앙 상부에, 수평면과 경사면을 갖는 릿지를 형성하는 단계; 상기 기판상에, 에피택시얼 성장공정에 의하여, 상기 기판의 릿지에 상응하는 형태를 가지면서 중앙의 수평부분과 양 측면의 경사부분으로 이루어지는 볼록부를 가지며, 상기 볼록부의 양 경사부분에는 제2도전형 불순물이 도핑되어 있는 제1도전형 제1클래드층, 상기 제1클래드층의 볼록부에 상응하는 형태의 볼록부를 갖는 제2도전형 제2클래드층, 상기 제2클래드층의 볼록부에 상응하는 형태를 가지며 중앙의 수평부분과 양 측면의 경사부분으로 이루어지는 볼록부를 갖는 제2도전형 캡층 및 상기 캡층의 볼록부에 상응하는 형태를 가지며 중앙의 수평부분과 양 측면의 경사부분으로 이루어지는 볼록부를 갖는 제1도전형 전류차단층을 형성하는 단계; 및 상기 전류차단층을 식각하여, 상기 캡층 볼록부의 수평부분을 노출시키는 단계를 포함하는 레이저 다이오드의 제조방법.Forming a ridge having a horizontal plane and an inclined plane on a central upper portion of the first conductive substrate; On the substrate, the epitaxial growth process has a convex portion having a shape corresponding to the ridge of the substrate, the convex portion consisting of a horizontal portion in the center and inclined portions on both sides, and a second conductive portion on both inclined portions of the convex portion. Corresponding to the first conductive first cladding layer doped with a type impurity, the second conductive second cladding layer having a convex portion corresponding to the convex portion of the first cladding layer, and the convex portion of the second cladding layer. And a second conductive cap layer having a convex portion consisting of a horizontal portion at the center and inclined portions at both sides thereof, and a convex portion having a shape corresponding to the convex portion of the cap layer, having a horizontal portion at the center and inclined portions at both sides thereof. Forming a first conductive current blocking layer having; And etching the current blocking layer to expose a horizontal portion of the cap layer convex portion.
제4항에 있어서, 상기 제1클래드층을 MOCVD법의 n형 및 p형 불순물 동시 도핑(Simultaneous Doping) 기술을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.5. The method of claim 4, wherein the first cladding layer is formed using n-type and p-type impurity simultaneous doping techniques of MOCVD.
제4항에 있어서, 상기 제1클래드층을 MBE법의 면선택 도핑(Plane Selective doping) 기술에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.The method of manufacturing a semiconductor laser diode according to claim 4, wherein the first cladding layer is formed by a plane selective doping technique of MBE.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.