Claims (6)
레이저 다이오드의 제조방법에 있어서, 제1도전형의 화합물 반도체 기판상에 제2도전형의 확산영역을 형성하는 공정과, 상기 확산영역의 상부를 에칭하여 V-채널을 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 제1도전형의 제1클래드층을 형성하는 공정과, 상기 제1클래드층의 상부에 제2도전형의 활성층을 형성하는 공정과, 상기 활성층의 상부에 제2도전형의 제2클래드층을 형성하는 공정과, 상기 제2클래드층의 상부에 제2도전형의 캡층을 형성하는 공정과, 상기 캡층의 상부에 산화막을 증착하여 형성하는 공정과, 상기 산화막의 소정부분을 제거하고 제2도전형의 전극을 형성하는 공정과, 상기 화합물 반도체 기판의 하부에 제1도전형의 전극을 형성하는 공정으로 이루어지는 레이저 다이오드의 제조방법.A method of manufacturing a laser diode, comprising: forming a diffusion region of a second conductivity type on a compound semiconductor substrate of a first conductivity type, forming a V-channel by etching an upper portion of the diffusion region, and the structure Forming a first cladding layer of a first conductivity type on the entire surface of the film, forming an active layer of a second conductivity type on top of the first cladding layer, and forming a second conductive type layer on top of the active layer Forming a cladding layer, forming a cap layer of a second conductivity type on top of the second cladding layer, depositing an oxide film on top of the cap layer, and removing a predetermined portion of the oxide film. And forming a second conductive electrode and forming a first conductive electrode under the compound semiconductor substrate.
제1항에 있어서, 상기 제1도전형은 N형이고 제2도전형은 P형인 레이저 다이오드의 제조방법.The method of claim 1, wherein the first conductive type is N type and the second conductive type is P type.
제1항에 있어서, 상기 제1도전형의 화합물 반도체 기판은 GaAs인 레이저 다이오드의 제조방법.The method of claim 1, wherein the compound semiconductor substrate of the first conductive type is GaAs.
제1항에 있어서, 상기 층들은 700~800℃의 온도로 LPE방법을 이용하여 형성하는 레이저 다이오드의 제조방법.The method of claim 1, wherein the layers are formed using an LPE method at a temperature of 700 to 800 ° C.
제1항에 있어서, 상기 P+형 확산영역은 전류제한층으로 이용되며, P형 불순물인 Zn등의 물질로 확산하며 불순물이 1x10/㎠ 정도의 고농도로 도우핑되어 1㎛정도의 두께로 형성된 레이저 다이오드의 제조방법.The laser beam of claim 1, wherein the P + type diffusion region is used as a current limiting layer and diffuses into a material such as Zn, which is a P type impurity, and is doped at a high concentration of about 1 × 10 / cm 2 to form a laser having a thickness of about 1 μm. Method of manufacturing a diode.
제1항에 있어서, 상기 V-채널은 폭~2.5㎛, 깊이~1.5㎛정도로 형성된 레이저 다이오드의 제조방법.The method of claim 1, wherein the V-channel has a width of about 2.5 μm and a depth of about 1.5 μm.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.