Claims (9)
반도체 레이저 다이오드에 있어서, 반절연성 화합물 반도체 기판상의 표면에 형성되어 소정부분이 제거된 절연막과, 상기 절연막을 식각마스크로 이용하여 상기 반절연성 화합물 반도체 기판에 형성된 흠과, 상기 절연막을 확산마스크로 이용하여 상기 반절연성 화합물 반도체 기판에 형성된 제2도전형의 확산영역과, 상기 흠내에 형성되며 접촉영역이 되는 제2도전형의 제1반도체층과, 상기 제1반도체층의 표면에 형성되며 제1클래드층이 되는 제2도전형의 제2반도체층과, 상기 제2반도체층의 표면에 형성되며 활성층이 되는 제2도전형의 제3반도체층과 상기 제3반도체층의 표면에 형성되며 제2클래드층이 되는 제1도전형의 제4반도체층과, 상기 제4반도체층의 표면에 형성되며 캡층이 되는 제2도전형의 제5반도체층과, 상기 절연막을 이온주입마스크로 이용하여 상기 제4반도체층과 소정두께가 겹치도록 형성된 제1도전형의 이온주입 영역과, 상기 이온주입영역의 상부에 형성된 제1도전형 전극과, 상기 반절연성 화합물 반도체 기판의 양측에 형성된 소자분리영역과, 상기 제2도전형의 확산영역의 상부에 형성된 제2도전형의 전극으로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.A semiconductor laser diode, comprising: an insulating film formed on a surface of a semi-insulating compound semiconductor substrate, the predetermined portion being removed, a defect formed in the semi-insulating compound semiconductor substrate using the insulating film as an etching mask, and the insulating film being used as a diffusion mask And a diffusion region of the second conductivity type formed on the semi-insulating compound semiconductor substrate, a first semiconductor layer of the second conductivity type which is formed in the groove and becomes a contact region, and is formed on the surface of the first semiconductor layer. A second semiconductor layer of a second conductive type serving as a cladding layer and a third semiconductor layer of a second conductive type serving as an active layer and formed on the surface of the third semiconductor layer serving as an active layer The fourth semiconductor layer of the first conductive type to be a clad layer, the fifth semiconductor layer of the second conductive type to be formed on the surface of the fourth semiconductor layer and to be a cap layer, and the insulating film as an ion implantation mask. A first conductive type ion implantation region formed to overlap a predetermined thickness with the fourth semiconductor layer, a first conductive type electrode formed on the ion implantation region, and elements formed on both sides of the semi-insulating compound semiconductor substrate And a separation region and an electrode of the second conductivity type formed on the diffusion region of the second conductivity type.
제1항에 있어서, 상기 반절연성 화합물 반도체 기판은 GaAs임을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.The semiconductor laser diode of claim 1, wherein the semi-insulating compound semiconductor substrate is GaAs.
제1항에 있어서, 상기 제1도전형은 N형이고, 제2도전형은 P형임을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.The semiconductor laser diode of claim 1, wherein the first conductive type is N type and the second conductive type is P type.
제1항에 있어서, 상기 제1, 제3및 제5반도체층은 GaAs층이고, 제2및 제4반도체층은 AlGaAs층임을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.The semiconductor laser diode of claim 1, wherein the first, third and fifth semiconductor layers are GaAs layers, and the second and fourth semiconductor layers are AlGaAs layers.
제1항에 있어서, 상기 Si등의 이온이 주입된 N형 이온주입영역 및 소자분리영역은 H+이온이 주입됨을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.The semiconductor laser diode of claim 1, wherein the N-type ion implantation region and the device isolation region implanted with ions such as Si are implanted with H + ions.
반도체 레이저 다이오드 제조방법에 있어서, 반절연성 화합물 반도체 기판의 표면에 절연막을 형성한 후, 역메사에칭하여 흠을 형성하는 공정과, 상기 절연막을 확산마스크로 이용하여 상기 홈의 외부에 제2도전형의 확산영역을 형성하는 공정과, 상기 흠내에 제1, 제2, 제3, 제4 및 제5반도체층을 순착적으로 형성하는 공정과, 상기 절연막을 이온주입 마스크로 이용하여 상기 제4반도체층의 소정두게가 겹친 제1도전형의 이온주입 영역을 형성하는 공정과 상기 이온주입 영역의 상부에 제1도전형의 전극을 형성하는 공정과, 상기 반절연성 화합물 반도체 기판의 양측에 소자분리영역을 형성하는 공정과, 상기 제2도전형의 확산영역의 상부에 제2도전형의 전극을 형성하는 공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.A method for fabricating a semiconductor laser diode, comprising: forming an insulating film on the surface of a semi-insulating compound semiconductor substrate, and then etching backside mesa to form a flaw; and using the insulating film as a diffusion mask to form a second conductive type outside the groove. Forming a diffusion region of the semiconductor layer, forming a first, second, third, fourth, and fifth semiconductor layer in the defects in an order; and using the insulating film as an ion implantation mask, the fourth semiconductor Forming an ion implantation region of the first conductivity type in which a predetermined thickness of the layer is overlapped; forming an electrode of the first conductivity type on the ion implantation region; and device isolation regions on both sides of the semi-insulating compound semiconductor substrate And forming a second conductive electrode on top of the diffusion region of the second conductive type.
제6항에 있어서, 상기 반도체층들은 MOCVD방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.The method of claim 6, wherein the semiconductor layers are formed by a MOCVD method.
제6항에 있어서, 상기 제4반도체층은 제1도전형의 층이고, 상기 제1, 제2, 제3, 제5반도체층은 제2도전형의 층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.The semiconductor laser according to claim 6, wherein the fourth semiconductor layer is a first conductive layer, and the first, second, third, and fifth semiconductor layers are formed of a second conductive layer. Diode manufacturing method.
제6항 및 제8항에 있어서, 상기 제1도전형은 N형이고, 제2도전형 P형임을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.The method of claim 6 or 8, wherein the first conductive type is N type and the second conductive type P type.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.