Claims (10)
반도체 레이저 다이오드에 있어서, 반절연성 화합물 반도체 기판상의 표면에 형성되어 접촉층이 되는 제1도전형의 제1반도체 층과, 상기 제1반도체 표면에 형성되며 소정부분이 제거된 절연막과, 상기 절연막을 식각마스크로 하여 상기 반절연성 화합물 반도체 기판에 형성된 홈과, 상기 홈내에 형성되며 스페이서층이 되는 제1도전형의 제2반도체층과, 상기 제1반도체층의 표면에 형성되며 제1클래드층이 되는 제1도전형의 제3반도체층과, 상기 제3반도체층의 표면에 형성되며 활성층이 되는 제4반도체층과, 상기 제4반도체층의 표면에 형성되며 제2클래드층이 되는 제2도전형의 제5반도체층과, 상기 제5반도체층의 표면에 형성되며 캡층이 되는 제1도전형의 제6반도체층과, 상기 제1반도체층의 양측에 상기 반절연성 화합물 반도체 기판의 일부분과 겹치도록 형성된 소자분리 영역과, 상기 제6반도체층에 형성되며 상기 제5반도체층의 소정두께가 겹친 제2도전형 확산영역과, 상기 제2도전형 확산영역과 상기 제1반도체층의 상부에 각각 형성된 제1및 제2 도전형의 전극으로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.A semiconductor laser diode comprising: a first semiconductor layer of a first conductivity type formed on a surface of a semi-insulating compound semiconductor substrate to be a contact layer, an insulating film formed on the surface of the first semiconductor and having a predetermined portion removed; A groove formed in the semi-insulating compound semiconductor substrate as an etching mask, a second semiconductor layer of a first conductivity type formed in the groove and forming a spacer layer, and a first cladding layer formed on a surface of the first semiconductor layer; A third semiconductor layer of a first conductivity type, a fourth semiconductor layer formed on the surface of the third semiconductor layer and forming an active layer, and a second conductive layer formed on the surface of the fourth semiconductor layer and forming a second cladding layer. A fifth semiconductor layer of the type, a sixth semiconductor layer of the first conductive type formed on the surface of the fifth semiconductor layer and serving as a cap layer, and overlapping portions of the semi-insulating compound semiconductor substrate on both sides of the first semiconductor layer. A device isolation region formed in a lock, a second conductive diffusion region formed in the sixth semiconductor layer and having a predetermined thickness of the fifth semiconductor layer overlapping the second conductive diffusion region, and an upper portion of the second conductive diffusion region and the first semiconductor layer, respectively. A semiconductor laser diode comprising the first and second conductive electrodes formed thereon.
제1항에 있어서, 상기 반절연성 화합물 반도체 기판은 GaAs임을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.The semiconductor laser diode of claim 1, wherein the semi-insulating compound semiconductor substrate is GaAs.
제1항에 있어서, 상기 제1도전형은 N형이고 제2도전형은 P형임을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.The semiconductor laser diode of claim 1, wherein the first conductive type is N type and the second conductive type is P type.
제1항에 있어서, 상기 제1, 제2, 제4 및 제6반도체층은 GaAs층이고, 제3및 제5반도체층은 AlGaAs층임을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.The semiconductor laser diode of claim 1, wherein the first, second, fourth, and sixth semiconductor layers are GaAs layers, and the third and fifth semiconductor layers are AlGaAs layers.
제1항에 있어서, 상기 조사분리영역은 P+이온 주입영역임을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.The semiconductor laser diode of claim 1, wherein the irradiation separation region is a P + ion implantation region.
반도체 레이저 다이오드 제조방법에 있어서, 반절연성 화합물 반도체 기판의 표면에 제1반도체를 형성하는 공정과, 상기 제1반도체층의 상부에 절연막을 형성한 후, 역메사에칭하여 흠을 형성하는 공정과, 상기 흠내에 제2, 제3, 제4, 제5 및 제6 반도체층을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 제1반도체층상의 양측에 이온주입하여 상기 반절연성 화합물 반도체 기판의 일부분과 겹친 소자분리영역을 형성하는 공정과, 상기 제6반도체층에 형성되며 상기 제5반도체층의 소정두께가 겹친 제2도전형 확산영역을 형성하는 공정과 상기 제2도전형 확산영역과 제1반도체층의 상부에 각각 제1및 제2도전형의 전극을 형성하는 공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.A semiconductor laser diode manufacturing method comprising the steps of: forming a first semiconductor on a surface of a semi-insulating compound semiconductor substrate, forming an insulating film on top of the first semiconductor layer, and then etching backside mesa to form a flaw; Sequentially forming second, third, fourth, fifth, and sixth semiconductor layers within the defect; and separating an element overlapping a portion of the semi-insulating compound semiconductor substrate by ion implantation on both sides of the first semiconductor layer. Forming a region; forming a second conductive diffusion region formed in the sixth semiconductor layer and having a predetermined thickness of the fifth semiconductor layer; and forming an upper portion of the second conductive diffusion region and the first semiconductor layer. A method of manufacturing a semiconductor laser diode, comprising the steps of forming electrodes of the first and second conductivity types respectively.
제6항에 있어서, 상기 반도체층들은 MOCVD방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.The method of claim 6, wherein the semiconductor layers are formed by a MOCVD method.
제6항에 있어서, 상기 제1,제2,제3및 제6반도체층은 제1도전형의 층이고, 상기 제5반도체층은 제2도전형의 층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.The semiconductor laser according to claim 6, wherein the first, second, third, and sixth semiconductor layers are formed of a first conductive type, and the fifth semiconductor layer is formed of a second conductive type. Diode manufacturing method.
제6항 및 제8항에 있어서, 상기 제1도전형은 N형이고, 제2도전형은 P형임을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.The method of claim 6, wherein the first conductive type is N type and the second conductive type is P type.
제6항에 있어서, 상기 제4반도체층은 도전형이 N형 또는 P형중 어느하나임을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.The method of claim 6, wherein the fourth semiconductor layer has a conductive type of either N-type or P-type.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.