Claims (4)
제1도전형의 화합물반도체기판상에 제2도전형의 전류제한층을 형성하는 제1공정과, 상기 전류 제한층의 상부에 마스크층을 형성하는 제2공정과, 상기 마스크층의 소정부분을 제거하고 제1도전형의 불순물로 확산영역을 형성하는 제3공정과, 상기 확산영역의 소정부분을 상기 화합물 반도체 기판이 소정두께로 제거되도록 V자형으로 에칭하는 제4공정과, 상기 구조의 전표면에 제1도전형의 제1클래드층을 형성하는 제5공정과, 상기 제1클래드층의 상부에 제1 또는 제2전도형의 활성층을 형성하는 제6공정과, 상기 활성층의 상부에 제2도전형의 제1클래드층 및 캡층을 형성하는 제7공정과, 상기 캡층의 상부와 화합물 반도체 기판의 하부에 제2 및 제1도전형의 전극을 형성하는 제8공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.A first step of forming a current limiting layer of a second conductivity type on a compound semiconductor substrate of a first conductivity type, a second step of forming a mask layer on top of the current limiting layer, and a predetermined portion of the mask layer A third step of removing and forming a diffusion region with an impurity of a first conductivity type, a fourth step of etching a predetermined portion of the diffusion region in a V shape so that the compound semiconductor substrate is removed to a predetermined thickness, and the structure of the structure A fifth step of forming a first cladding layer of a first conductivity type on a surface, a sixth step of forming an active layer of a first or second conductivity type on an upper part of the first cladding layer, and a first step of forming an upper part of the active layer And a seventh step of forming a first conductive cladding layer and a cap layer of a second conductivity type, and an eighth step of forming second and first conductive type electrodes on an upper portion of the cap layer and a lower portion of the compound semiconductor substrate. Method of manufacturing a laser diode.
제1항에 있어서, 상기 제1도전형은 P형이고, 제2도전형은 N형임을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.The method of claim 1, wherein the first conductive type is P type and the second conductive type is N type.
제1항에 있어서, 제2공정은, 상기 마스크층을 SiO2로 형성함을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.The method of manufacturing a laser diode according to claim 1, wherein in the second step, the mask layer is formed of SiO 2 .
제1항에 있어서, 제3공정은, 상기 불순물이 Zn 또는 Ge중 어느 하나임을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.The method of manufacturing a laser diode according to claim 1, wherein in the third step, the impurity is either Zn or Ge.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.