Claims (9)
제1도전형의 화합물반도체기판과, 상기 화합물반도체기판상에 형성되며 이 화합물반도체기판과 연결되는 V자 모양으로 신장하는 제1채널을 포함하는 제2도전형의 제1전류제한층과, 상기 제1전류제한층의 상부에 형성되며 상기 제1채널을 통해 화합물반도체기판과 연결되는 제1도전형의 제1클래드층과, 상기 제1클래드층의 상부에 형성되는 제1 또는 제2도전형의 활성층과, 상기 활성층의 상부에 형성된 제2도전형의 제2클래드층과, 상기 제2클래드층의 상부에 형성되며 상기 제1채널과 동일한 방향으로 신장하는 제2채널을 포함하는 제1도전형의 제2전류제한층과, 상기 제2전류제한층의 상부에 형성되며 상기 제2채널을 통해 제2클래드층과 연결되는 제2도전형의 캡층과, 상기 캡층의 상부와 화합물 반도체기판의 하부에 각각 형성된 제2 및 제1도전형의 전극들을 구비함을 특징으로 하는 레이저다이오드.A first current limiting layer of a second conductive type comprising a compound semiconductor substrate of a first conductivity type, a first channel formed on the compound semiconductor substrate and extending in a V-shape connected to the compound semiconductor substrate; A first cladding layer of a first conductivity type formed on the first current limiting layer and connected to the compound semiconductor substrate through the first channel, and a first or second conducting type formed on the first cladding layer; A first conductive layer comprising: an active layer of; a second cladding layer of a second conductivity type formed on the active layer; and a second channel formed on the second cladding layer and extending in the same direction as the first channel. A second current limiting layer of the type, a second conductive type cap layer formed on the second current limiting layer and connected to the second cladding layer through the second channel, an upper portion of the cap layer and the compound semiconductor substrate. Of the second and first conductive types respectively formed in the lower portion A laser diode that is characterized by having the pole.
제1항에 있어서, 상기 제2채널이 제1채널의 수직축과 일치되게 형성됨을 특징으로 하는 레이저 다이오드.The laser diode of claim 1, wherein the second channel is formed to coincide with the vertical axis of the first channel.
제1항에 있어서, 상기 제2채널이 제1채널의 수직축과 어긋나게 형성됨을 특징으로 하는 레이저 다이오드.The laser diode of claim 1, wherein the second channel is formed to be offset from the vertical axis of the first channel.
제3항에 있어서, 상기 제2채널의 폭이 제1채널의 폭보다 넓게 형성됨을 특징으로 하는 레이저 다이오드.The laser diode of claim 3, wherein the width of the second channel is wider than the width of the first channel.
제1도전형의 화합물반도체기판상에 제2도전형의 제1전류제한층을 형성하는 제1공정과, 상기 제1전제한층의 소정부분에 상기 화합물 반도체기판이 소정두께 제거되도록 제1채널을 형성하는 제2공정과, 상기 제1전류 제한층의 상부에 제1채널이 메꾸어지도록 제1도전형의 제1클래드층, 제1 또는 제2도전형의 활성층, 제2도전형의제2클래드층 및 제1도전형의 제2전류제한층을 순차적으로 형성하는 제3공정과, 상기 제2전류제한층의 소정부분에 제2클래드층을 노출시켜 제2채널을 형성하는 제4공정과, 상기 제2전류제한층의 상부에 상기 제2채널이 메꾸어지도록 제2도전형의 캡층을 형성하는 제5공정과, 상기 캡층의 상부와 화합물반도체 기판의 하부에 제2및 제1전극들을 각각 형성하는 제6공정과로 이루어짐을 특징으로 하는 레이저다이오드 제조방법.Forming a first current limiting layer of a second conductivity type on the compound semiconductor substrate of the first conductivity type; and forming a first channel to remove the predetermined thickness of the compound semiconductor substrate in a predetermined portion of the first conductivity limiting layer. A second step of forming a first cladding layer of a first conductivity type, an active layer of a first or second conductivity type, and a second cladding type of a second conductivity type so that a first channel is filled on the first current limiting layer; A third step of sequentially forming a layer and a second current limiting layer of a first conductivity type, a fourth step of forming a second channel by exposing a second cladding layer to a predetermined portion of the second current limiting layer; Forming a second conductive cap layer on the second current limiting layer to fill the second channel; forming second and first electrodes on the upper portion of the cap layer and the lower portion of the compound semiconductor substrate, respectively; Laser diode manufacturing method comprising the sixth step.
제5항에 있어서, 상기 층등을 LPE 방법으로 형성함을 특징으로 하는 레이저다이오드의 제조방법.The method of manufacturing a laser diode according to claim 5, wherein the layer is formed by an LPE method.
제5항에 있어서, 제4공정은, 상기 제2채널을 제1채널의 수직축과 일치하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저다이오드의 제조방법.The method of manufacturing a laser diode according to claim 5, wherein the fourth process forms the second channel so as to coincide with the vertical axis of the first channel.
제5항에 있어서, 제4공정은, 상기 제2채널을 제1채널의 수직축과 어긋나도록 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저다이오드의 제조방법.The method of manufacturing a laser diode according to claim 5, wherein the fourth step forms the second channel so as to be shifted from the vertical axis of the first channel.
제8항에 있어서, 상기 제2채널을 제1채널보다 넓게 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저다이오드의 제조방법.The method of claim 8, wherein the second channel is formed wider than the first channel.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.