KR930001493A - 바이폴라 트랜지스터용 다층 콜렉터 구조물 및 그 제조방법 - Google Patents

바이폴라 트랜지스터용 다층 콜렉터 구조물 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

바이폴라 트랜지스터용 다층 콜렉터 구조물 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 양호한 제1실시예의 개략도.
제2도는 표1의 콜렉터 구조물과 협동하는 장치에 대한 BVceo 및 Jmax를 컴퓨터로 시뮬레이트한 값의 데이타 표시도.

Claims (28)

  1. 바이폴라 트랜지스터에서 사용하기 위한 다층 콜렉터 구조물에 있어서, 얇고 농후하게 도핑된 층 및 두껍고 엷게 도핑되거나 비계획적으로 도핑된 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 콜렉터 구조물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 농후하게 도핑된 층이 0과 BVceo사이의 대부분의 베이스-콜렉터 바이어스 전압에서 완전하게 궁핍되는 것을 특징으로 하는 다층 콜렉터 구조물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 농후하게 도핑된 층이 상기 층을 횡단하는 다수 캐리어에 의해 얻어진 에너지가 상기층에서 충돌 이온화에 필요한 에너지 보다 더 크게 되는 것을 방지할 정도로 충분히 얇은 것을 특징으로 하는 콜렉터 구조물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 엷게 도핑되거나 비계획적으로 도핑된 층이 1×1016atoms/㎤이하의 도펀트 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 다층 콜렉터 구조물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 농후하게 도핑된 층이 1×1017atoms/㎤이상의 도펀트 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 다층 콜렉터 구조물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 층들이 GaAs로 형성되는 것을 특징으로 하는 다층 콜렉터 구조물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 바이폴라 트랜지스터가 헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터(HBT)인 것을 특징으로 하는 다층 콜렉터 구조물.
  8. 기판, 상기 기판 상에 배치된 서브콜렉터층, 상기 서브콜렉터층 상에 배치되고, 두껍고 엷게 도핑되거나 비계획적으로 도핑된 제1콜렉터층, 상기 제1콜렉터층 상에 배치되고, 얇고 농후하게 도핑된 제2콜렉터층, 상기 제2콜렉터층 상에 배치된 베이스층 및 상기 베이스층 상에 배치된 에미터층을 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제2콜렉터층이 상기 제2콜렉터층을 횡단하는 다수 캐리어에 의해 얻어진 에너지가 상기 층에서 충돌 이온화에 필요한 에너지 보다 크게 되는 것을 방지할 정도로 충분히 얇은 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
  10. 제8항에 있어서, 상기 제2콜렉터층이 0과 BVceo사이의 대부분의 베이스-콜렉터 바이어스 전압애서 완전하게 공급되는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
  11. 제8항에 있어서, 상기 제1콜렉터층이 1×1016atoms/㎤이하의 도펀트 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
  12. 제8항에 있어서, 상기 제2콜렉터층이 1×1017atoms/㎤이상의 도펀트 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
  13. 제8항에 있어서, 상기 기판 및 상기 층들이 GaAs로 형성되는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
  14. 제8항에 있어서, 상기 에미터층이 상기 베이스층 보다 넓은 에너지 대역갭을 갖고 있는 반도체 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
  15. 바이폴라 트랜지스터에서 사용하기 위한 다층 콜렉터 구조물의 제조방법에 있어서, 두껍고 엷게 도핑되거나 비계획적으로 도핑된 층을 형성하는 단계 및 상기 엷게 도핑되거나 비계획적으로 도핑된 층 상에 얇고 농후하게 도핑된 층을 에피택셜하게 피착시키는 단계로 이루어지고, 상기 두꺼운 층이 상기 얇은 층보다 10배 이상 두꺼운 것을 특징으로 하는 다층 콜렉터 구조물의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 층을 횡단하는 다수 캐리어에 의해 얻어진 에너지가 상기 층에서 충돌 이온화에 필요한 에너지 보다 크게 되는 것을 방지할 정도로 충분히 앎게 상기 농후하게 도핑된 층을 피착시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 콜렉터 구조물의 제조방법.
  17. 제15항에 있어서, 0과 BVceo사이의 대부분의 베이스-콜렉터 바이어스 전압에서 완전하게 공핍되도록 상기 농후하게 도핑된 층을 도핑하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 콜렉터 구조물의 제조방법.
  18. 제15항에 있어서, 상기 엷게 도핑되거나 비계획적으로 도핑된 층이 1×1016atoms/㎤이하의 도펀트 농도를 갖도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 콜렉터 구조물의 제조방법.
  19. 제15항에 있어서, 1×1017atoms/㎤이상의 도펀트 농도를 갖도록 상기 농후하게 도핑된 층을 도핑하는 단계를 더 포함하는 것을 것을 특징으로 하는 다층 콜렉터 구조물의 제조방법.
  20. 제15항에 있어서, GaAs로 상기 층들을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 콜렉터 구조물의 제조방법.
  21. 제15항에 있서, 헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터(HBT)가 되도록 바이폴라 트랜지스티를 형성하는 단게를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 콜렉터 구조물의 제조방법.
  22. 기판을 형성하는 단계, 상기 기판상에 서브콜랙터층을 에피택셜하게 피착시키는 단계, 상기 서브콜렉터층상에 두껍고 엷게 도핑되거나 비계획적으로 도핑된 제1콜렉터층을 에피텍셜하게 피착시키는 단계, 상기 제1콜렉터층 상에 얇고 농후하게 도핑된 제2콜렉터층을 에피택셜하게 피착시키는 단계, 상기 제2콜렉터층 상에 비이스층을 에피택셜하게 피착시키는 단계 및 상기 베이스층 상에 에미터층을 에피택셜하게 피착시키는 단계로 이루어지고, 상기 제1콜렉터층이 상기 제2콜렉터층보다 최소한 10배이상 두꺼운 것을 특징으로 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
  23. 제22항에 있어서, 상기 제2콜렉터층을 횡단하는 다수 캐리어에 의해 얻어진 에너지가 상기 층에서 충돌 이온화에 필요한 에너지 보다 크게 되는 것을 방지할 정도로 충분히 얇게 상기 제2콜렉터층을 피착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
  24. 제22항에 있어서, BVceo사이의 대부분의 베이스-콜렉터 바이어스전압에서 완전하게 궁핍되도록 상기 제2콜렉터층을 도핑하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스티의 제조방법.
  25. 제22항에 있어서, 상기 제1콜렉터층이 1×1016atoms/㎤이하의 도펀트 농도를 갖도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
  26. 제22항에 있어서, 1×1017atoms/㎤이상의 도펀트 농도를 갖도록 상기 제2콜렉터층을 도핑하는 단계를 더 포함하는 것을 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
  27. 제22항에 있어서, GaAs로 상기 층들을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
  28. 제22항에 있어서, 상기 베이스층 보다 넓은 에너지 대역갭을 갖고 있는 반도체 물질로 상기 에미터층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920011344A 1991-06-28 1992-06-27 바이폴라 트랜지스터용 다층 콜렉터 구조물 및 그 제조 방법 KR100277555B1 (ko)

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