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Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits
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Abstract
내용 없음No content
Description
씨모스의 제조방법Manufacturing method of CMOS
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is an open matter, no full text was included.
제2도는 본 발명 씨모스의 공정 단면도.2 is a cross-sectional view of the present invention CMOS.
Claims (1)
피모스와 앤모스를 가진 씨모스 제조방법에 있어서, P형 기판(1)에 앤웰(2)과 게이트(4)를 형성하는 공정과, 액티브 영역에 스팀산화막(5)을 형성하고 피모스의 소오스 및 드레인 영역의 스팀산화막(5)을 제거하는 공정과, 상기 전표면에 보론이 도핑된 산화막(6)을 형성하고 에치하여 측벽을 형성하는 공정과, 어닐링하여 피모스의 측벽의 보론이 채널과 소오스 및 드레인 영역 사이에 확산되게 하는 공정과, 상기 피모스의 소오스 및 드레인영역에서 플라티늄(8)이 형성되게 하는 공정과, LTO+BPSG(9)를 형성하고 패터닝하여 콘텍을 형성한 후 메탈(10)을 형성하는 공정을 차례로 실시하여서 이루어짐을 특징으로 하는 씨모스의 제조방법.In the CMOS manufacturing method having PMOS and ANMOS, a process of forming an well 2 and a gate 4 in a P-type substrate 1, forming a steam oxide film 5 in an active region, and forming a PMOS source And removing the steam oxide film 5 in the drain region, forming and etching the oxide film 6 doped with boron on the entire surface thereof, and forming a sidewall by annealing the boron on the sidewall of the PMOS channel. Spreading between the source and drain regions; forming platinum in the source and drain regions of the PMOS; forming and patterning LTO + BPSG (9) to form a contact and then 10) A method for producing a CMOS, characterized in that it is carried out by sequentially performing the step of forming.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.
KR1019910005775A1991-04-111991-04-11
Manufacturing method of CMOS
KR920020738A
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