KR920014955A - 음극이 기체 확산 전극임을 개선점으로 하는, 수성 전해질 용액에 금속을 보충시키기 위한 보충 전해질 셀 - Google Patents

음극이 기체 확산 전극임을 개선점으로 하는, 수성 전해질 용액에 금속을 보충시키기 위한 보충 전해질 셀 Download PDF

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엘 드레스피리스 도널드
제이 루드 에릭
슈우 캐롤린
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캐스린 이이 켄트
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Abstract

내용 없음

Description

음극이 기체 확산 전극임을 개선점으로 하는, 수성 전해질 용액에 금속을 보충기키기 위한 보충 전해질 셀
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 방법을 예증하는 개략적인 흐름도이고, 제2도는 제1도의 방법에 사용된 기체 확산 전극의 개략적인 확대도이다.

Claims (41)

  1. 금속이온 금속의 양극, 음극, 상기 양극과 음극을 연결시키는 전기회로 및, 금속 이온이 전해질로부터 소모되는, 상기 전해질을 원(源)으로 순환시키기 위한 수단으로 구성되는, 전해질로부터 소모된 상기 금속 이온을 보충시키기 위한 보충 전해질 셀에 있어서, 상기 음극이 기체 확산 전극임을 특징으로 하는 보충 전해질 셀.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기체 확산 전극이 산소 소모성이고, 상기 금속 이온이 주석, 구리, 철, 니켈, 크롬, 코발트, 아연, 납 및 카드뮴으로 구성되는 군으로부터 선택되고, 상기 전기회로가 동력원이 없는 셀.
  3. 제2항에 있어서, 상기 전해질이 상기 금속 이온을 함유하는 전해질 도금 용액인 셀.
  4. 제1항에 잇어서, 상기 전해질이 산성 전기주석도금 욕이고, 상기 원이 불용성 양극을 갖는 전기주석도금기구이고, 상기 기체 확산 전극이 상기 보충 전해질 셀내 산소 소모 음극인 셀.
  5. 제4항에 있어서, 주석 양극을 포함하고, 상기 전기 회로가 외부 동력원이 없는 셀.
  6. 불용성 양극을 갖는 전해질 주석도금 기구의 전해질 내에 주석을 보충시키기 위한 보충 전해질 셀에 있어서, 상기 셀내에, 상기 셀을 위한 기체 확산 전극을 포함함을 개선점으로 하는 보충 전해질 셀.
  7. 제6항에 있어서, 외부 동력원이 없는 전기회로를 포함하는 셀.
  8. 하기로 구성되는, 상기 금속 이온을 함유하는 진한 전해질로부터 소모된 금속 이온을 보충시키기 위한 보충 전해질 셀, 전해질 챔버, 상기 금속 이온이 소모된 전해질 원과 상기 전해질 챔버를 소통시키기 위한 수단, 상기 금속 이온의 금속으로 구성되는 양극, 기체 확산 전극인 음금, 상기 양극과 음극을 연결시키는 전기회로, 및 상기 진한 전해질을 얻기에 효과적인 속도로, 상기 전해질 챔버내에서 상기 전해질을 흐르게 하기 위한 수단.
  9. 제8항에 있어서, 전해질의 상기원이 불용성 양극으로 구성되는 전기도금 기구인 셀.
  10. 제9항에 있어서, 상기 금속 이온이 주석, 구리, 철, 니켈, 크롬, 코발트, 아연, 납 및 카드뮴으로 구성되는 군으로부터 선택된 금속인 셀.
  11. 제9항에 있어서, 상기 전기도금 기구가 불용성 양극을 갖는 전기주석도금 기구이고, 상기 전해질은 산성 전기주석고금 욕이고, 상기 셀 양극은 주석 양극인 셀.
  12. 하기로 구성되는, 불용성 양극을 갖는 전해질 주석도금 기구의 전해질내에 주석을 보충 시키기 위한 보충 전해질 셀, 주석 양극, 기체 확산 전극인 음극, 양극과 음극 사이의 전해질 챔버, 상기 양극과 음극 사이에 회로 저항을 갖는 전기회로, 및 상기 전해질 주석도금 기구와 흐름 소통하는 상기 전해질 챔버로부터의 전해질 유출구.
  13. 제12항에 있어서, 상기 전기 회로가 외부 동력원이 없는 셀.
  14. 제12항에 있어서, 상기 양극과 음극 사이에 분리기를 포함하는 셀.
  15. 제14항에 있어서, 상시 분리기가 막 또는 다공성 가로막인 셀.
  16. 제14항에 있어서, 상기 분리기가 상기 음극 상 차단 표면층인 셀.
  17. 제12항에 있어서, 상기 양극이 주석 입자 또는 일체식 주석으로 구성되는 셀.
  18. 제12항에 있어서, 상기 기체 확산 전극의 기체 면 상 산소원을 포함함을 특징을 하는 셀.
  19. 하기로 구성되는 전기주석도금 기구, 전해질 주석도금 욕, 상기욕내 불용성 양극, 주석도금되고, 상기 욕내 침지된 틈새에 의해 상기 양극으로부터 이격될 금속 스트립을 상기 욕으로 통과시키기 위한 수단, 주석이온을 함유하는 산성 액체 전해질을 상기 욕으로 도입시키기 위한 수단, 양극과 상기 금속 스트립사이에 전기 회로를 설치하기 위한 수단, 상기 전기주석도금 기구의 전해질내에 주석을 보충시키기 위한 주석양극, 기체 확산 전극인 음극, 주석 양극과 상기 셀 음극사이에 회로저항을 갖는 전기회로, 및 상기 전기주석도금 기구 욕과 흐름 소통하는 상기 전해질 챔버로부터의 전해질 유출구,로 구성되는 보충 셀.
  20. 제19항에 있어서, 상시 보충 셀의 전기회로가 외부 동력원이 없는 기구.
  21. 제19항에 있어서, 상기 보충 셀이 상기 셀 양극과 상기 셀 음극사이에 분기기를 포함하는 기구.
  22. 제19항에 있어서, 상기 분리기가 막 또는 다공성 가로막인 기구.
  23. 제20항에 있어서, 상기 분리기가 상기 음극상 차단 표면층인 기구.
  24. 제17항에 있어서, 상기 셀 양극이 주석 입자 또는 일체식 주석으로 구성되는 기구.
  25. 제19항에 있어서, 상기 기체 확산 전극의 기체 면과 기체 소통하는 산소원을 포함하는 기구.
  26. 제19항에 있어서, 하나이상의 메릴설폰산 또는 페놀 설폰산 또는 그의 염을 함유하는 산성 전해질을 포함하는 기구.
  27. 하기(a)-(d)단계들로 구성되는, 금속이온이 소모된 전해질내에 금속 이온을 보충시키기 위한 방법, (a)(1)상기 금속이온 금속의 양극, (2)기체확산 저극인 음극, 및 (3)상기 양극 및 음극을 위한 전해질 챔버,로 구성되는 전해질 셀을 제공하는 단계, (b)금속 이온이 소모된 전해질을 상기 전해질 챔버로 도입시키는 단계, (c)상기 셀 양극 및 셀 음극을 전기적으로 연결시키고, 상기 금속 양극의 금속을 상기 전해질로 용해시키기에 효과적인 전류밀도에서 전류가 흐르게 하는 단계, 및 (d)상기 금속 이온이 금속이 풍부한 상기 전해질을 금속 이온이 소모된 상기 전해질 원으로 흐르게 하는 단계.
  28. 제27항에 있어서, 금속 이온이 소모된 전해질이 상기 원이 비-소모성 양극을 갖는 전기주석도금기구이고, 상기 전해질 셀의 양극이 주석양극인 방법.
  29. 제28항에 있어서, 상기 전해질이 하나 이상의 메틸 설폰산, 페놀 설폰산 또는 그의 염을 함유하는 산 전해질인 방법.
  30. 하기(a)-(d)단계들로 구성되는, 불용성 양극을 갖는, 전해질 주석도금 기구의 전해질내에 주석을 보충시키기 위한 방법, (a)(1)주석 양극, (2)기체 확산 전극인 음극, 및 (3)주석 양극 및 음극을 위한 전해질 챔버,으로 구성되는 전해질 셀을 제공하는 단계, (b)전해질을 상기 전해질 챔버로 도입시키는 단계, (c)상기 셀 양극 및 셀 음극을 전기적으로 연결시키고, 상기 주석 양극의 주석을 상기 전해질로 용해시키기에 효과적인 전류 밀도에서 전류가 흐르게 하는 단계, 및 (d)주석이 그내에 용해된 상기 전해질을 상기 전해질 주석기구로 흐르게 하는 단계.
  31. 제30항에 있어서, 상기 전해질 셀이 동력원이 없는 전기회로로 구성되는 방법.
  32. 제30항에 있어서, 상기 전해질 셀이 상기 양극과 상기 음극 사이에 분리기를 포함하는 방법.
  33. 제30항에 있어서, 상기 셀 양극이 주석 업자 또는 일체식 주석을 포함하는 방법.
  34. 제30항에 있어서, 상기 기체 확산 전극의 기체 면 상에 산소원을 제공하는 것을 포함함을 특징으로 하는 방법.
  35. 제30항에 있어서, 상기 전해질이 하나이상의 메틸 설폰산, 페놀 설폰산 또는 그의 염을 포함하는 방법.
  36. 하기(1)-(5)단계들로 구성되는, 전해질 주석도금을 위한 방법, (1)불용성 양극을 갖는 전해질 주석도금기구를 제공하는 단계, (2)(a)주석 양극, (b)기체확산 전극인 음극, 및 (c)주석양극과 음극사이의 전해질 챔버,로 구성되는 전해질 셀을 제공하는 단계, (3)전해질을 상기 전해질 챔버로 도입시키는 단계, (4)상기 셀 양극 및 셀 음극을 전기적으로 연결시키고, 상기 주석 양극의 주석을 상기 전해질로 용해시키기에 효과적인 전류 밀도에서 전류를 흐르게하는 단계, 및 (5)주석이 그 내에 용해된 상기 전해질을, 상기 전해질 주석도금 기구로 흐르게하는 단계.
  37. 제36항에 있어서, 상기 전해질 셀이 동력원이 없는 전기회로를 포함하는 방법.
  38. 제36항에 있어서, 상기 전해질 셀이 상기 양극과 음극사이에 분리기를 포함하는 방법.
  39. 제36항에 있어서, 상기 셀 양극이 주석 입자 또는 일체식 주석으로 구성되는 방법.
  40. 제36항에 있어서, 상기 기체 확산 전극의 기체면 상에 산소원을 제공하는 것을 포함함을 특징으로 하는 방법.
  41. 제36항에 있어서, 상기 전해질이 하나 이상의 메틸 설폰산, 페놀 설폰산 또는 그의 염을 포함하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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