KR920010806A - 반도체장치용 금속배선을 시험하는 방법 및 장치 - Google Patents

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KR920010806A
KR920010806A KR1019900017906A KR900017906A KR920010806A KR 920010806 A KR920010806 A KR 920010806A KR 1019900017906 A KR1019900017906 A KR 1019900017906A KR 900017906 A KR900017906 A KR 900017906A KR 920010806 A KR920010806 A KR 920010806A
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South Korea
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testing
mounting plate
probe
metal wiring
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Application number
KR1019900017906A
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박종호
손정하
이상인
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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내용 없음

Description

반도체장치용 금속배선을 시험하는 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 반도체장치용 금속배선을 시험장치를 개략적으로 나타낸 도면.

Claims (5)

  1. 반도체장치용 금속배선을 시험하는 방법에 있어서, 시험용 기판이 될 반도체 웨이퍼 상에 절연층을 증착하는 단계, 금속 배선층을 증착하는 단계, 마스크를 사용하여 패턴을 형성하는 단계, 식각하는 단계, 절연층을 증착한 후 패드를 형성하는 단계, 상기 패드와 연결되는 전극을 형성하는 단계, 전극을 외부의 전원단자에 연결하는 단계 및 적절한 시험조건하에서 시험한 후에 평가하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치용 금속배선을 시험하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 패드는 눈으로 식별할 수 있도록 크게 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치용 금속배선을 시험하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 전극의 형성은 Ag 패이스트가 삽입된 주사기를 사용하여 선을 그어 배선하고 그 끝에 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치용 금속배선을 시험하는 방법.
  4. 제3항에 있어서, 전극은 "凸"형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치용 금속배선을 시험하는 방법.
  5. 웨이퍼 탑재판(1), 탑재판지지틀(2), 전극접촉용 프로브(8) 및 프로브로정용 홀더(4)를 갖는 반도체장치용 금속배선을 시험하는 장치에 있어서, 웨이퍼 탑재판(1)은 원형으로 이루어지며, 그 외주상에는 복수개의 프로브(8)가 스프링을 개재하여 프로브 고정홀더(4)에 의해 고정되며, 상기 웨이퍼 탑재판(1)의 내부에 내장되는 히터(11), 히이터(11)의 온도를 측정하기 위해 상기 히이터(11)상의 복수개소에 접촉되는 서어모커플(12), 프로브(8)에 전기적으로 연결되는 전극용 리드단자(9), 프로브 고정홀더(4)와 웨이퍼 탑재판(1)과의 전기적 절연을 위해 상기 프로브 고정홀더(4)의 웨이퍼 탑재판(1)을 관통하는 나사의 외주에 설치되는 전극절연체(7), 상기 전극용 리드단자(9)에 일대일로 대응되어 연결되는 핀 소켓(5) 및 웨이퍼 상의 전극에 전원을 인가하기 위해 상기 핀 소켓(5)에 접속되는 외부핀 소켓(10)을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체장치용 금속배선을 시험하는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019900017906A 1990-11-06 1990-11-06 반도체장치용 금속배선을 시험하는 방법 및 장치 KR920010806A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100272663B1 (ko) * 1997-12-17 2000-12-01 김영환 배선층의 신뢰성 측정방법

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