KR920009932A - 헤테로고리 분산 염료 화합물, 이의 제조방법 및 이들을 사용한 소수성 섬유의 염색 또는 날염 방법 - Google Patents

헤테로고리 분산 염료 화합물, 이의 제조방법 및 이들을 사용한 소수성 섬유의 염색 또는 날염 방법 Download PDF

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쥰 야마모또
준이찌 세끼하찌
요수께 야마모또
가즈히로 마찌구찌
유다까 가야네
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모리 히데오
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Abstract

내용 없음

Description

헤테로고리 분산 염료 화합물, 이의 제조방법 및 이들을 사용한 소수성 섬유의 염색 또는 날염 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (8)

  1. 다음 일반식(I)의 헤테로고리 화합물.
    (상기 식에서, A1, A2, A3그리고 A4는 각기 독립적으로 수소원자, 할로겐원자 또는 치환 또는 비치환된 알킬, 알콕시 또는 알케닐기이고, X1은 -O- 또는(여기서 R2는 수소원자 또는 비치환 또는 치환된 알킬, 알케닐, 시클로알킬, 아릴 또는 아르알킬기이고 그리고 R2는 헤테로고리형 환을 형성하기 위해 A3과 A4에 연결될 수 있다)이고, R1은 메틸렌기, 또는 히드록시, C1-4알콕시 또는 C1-4알킬카르보닐옥시기로 치환된 또는 비치환된 직쇄 또는 분지의 C2-6알킬렌기를 표시하고, X2는 직접결합 또는 -O-, -S-, -SO-, -SO2-(여기서 R3는 수소원자 또는 C1-4알킬기이다),또는의 2가기이고, (여기서, R3는 상술한 것과 같다), T와 u는 각기 독립적으로 수소원자 또는 C1-4알킬기이고, ℓ은 0 또는 1 내지 3의 정수이고, Q는 치환 또는 비치환된 5-, 6- 또는 7-원 또는 포화 또는 불포화 헤테로고리 잔기이고, Y는 수소원자, C1-4알킬기, C1-4알콕시기, 다음 일반식의 기 -X3-R1 (여기서, R1, X2, T, u, Q 그리고 ℓ은 상술한 것과 같고, 그리고 X3은을 표시하며, 여기서 R4는 수소원자 또는 치환된 또는 비치환된 알킬, 알케닐, 시클로알킬, 아릴 또는 아르알킬기이고 그리고 R4는 Y로서 일반식(i)의 기가 X1에 붙은 일반식(i)의 기와 같거나 다르다는 조건으로 하여, 헤테로 고리를 형성하기 위해 A1또는 A2에 결합될 수 있다), 일반식(ii)의 기(여기서 L1과 L2는 각기 독립적으로 수소원자 또는 비치환 또는 치환된 알킬, 알케닐, 시클로알킬, 아릴 또는 아르알킬기이고 그리고 L1과 L2의 어느 하나는 헤테르고리 환을 형성하기위해 A1또는 A2에 연결될 수 있다), 또는 일반식(iii)의 기(여기서 L3와 L4는 각기 독립적으로 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 C1-4알킬카르보닐기 이다) 또는 일반식(iv)의 기(여기서 L3와 L4는 상술한 것과 같다). 그리고 Y는 -OCH2O-을 헝성하기 위해 A1또는 A2에 결합될 수 있으며, X1이 -O-일때에는, Y는(ii), (여기서 L3와 L4는 상술한 것과 같다),(iii) (여기서 L3와 L4는 상술한 것과 같다),(iv)의 기(여기서 L3와 L4는 상술한 것과 같다), 또는이고, 여기서 X3, R1, X2, T, u,ℓ 및 Q는 상술한 것과 같다.
  2. 제1항에 있어서, Q가 할로겐 원자, 히드록시기, C1-4알킬기, C1-4알콕시기, C1-4알킬카르보닐기, C1-4알콕시카르보닐기, 시아노기, 케토기 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기로 비치환 또는 치환된 일차, 이차 또는 삼차 아미노기로 한번 또는 두번 치환되거나 또는 비치환된 5-, 6- 또는 7-원 불포화 헤테로고리 잔기인 화합물.
  3. 제2항에 있어서, 불포화 헤테로고리 잔기가 푸릴, 티에닐, 피롤릴, 피리딜, 피라닐, 티아졸릴, 옥사졸릴, 피라졸릴, 이미다졸릴, 티아디아졸릴, S-트리아지닐, 벤조푸라닐, 벤조티에닐, 인돌릴, 벤조옥사졸릴, 벤즈이미다졸릴 또는 벤조티아졸릴인 화합물.
  4. 제1항에 있어서, Q가 할로겐 원자, 히드록시기, C1-4알킬기, C1-4알콕시기, C1-4알킬카르보닐기, C1-4알콕시카르보닐기, 시아노기, 케토기 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기로 치환 또는 비치환된 일차, 이차 또는 삼차 아미노기로 한번 또는 두번 치환되거나 또는 비치환된 5-, 6- 또는 7-원 포화 헤테로고리 잔기인 화합물.
  5. 제4항에 있어서, 포화 헤테로고리 잔기가 테트라히드로푸릴, 테트라히드로티에 닐, 테트라히드로피라닐, 피롤리딜, 피페리딜, 피페라지닐, 몰르폴리닐 또는 헥사히드로아제피닐인 화합물.
  6. 다음 일반식(II)a의 타르트론산 화합물을
    (상기 식에서, A1, A2그리고 Y는 상술한 것과 같다), 다음 일반식(III)a의 화합물과
    (상기 식에서, Q, T, u, X2, R1, X1,ℓ, A3그리고 A4는 상술한 것과 같다), 용매 부재하에 또는 산성 매체중에서 반응시키고, 이어서 반응 생성물을 산화제로 산화시켜서 되는 제1항의 헤테로고리 화합물의 제조방법.
  7. 다음 일반식(II)b의 타르트론산 화합물을
    (상기 식에서, Q, T, u, ℓ, X2, R1, X1, A3그리고 A4는 상술한 것과 같다), 다음 일반식(III)b의 화합물과
    (상기 식에서, Y, A1그리고 A2는 상술한 것과 같다), 용매 부재하에 또는 산성 매체중에서 반응시키고, 이어서 반응 생성물을 산화제로 산화시켜서 되는 제1항의 헤테로고리 화합물의 제조방법.
  8. 섬유재료와 제1항의 헤테로고리 화합물을 접촉시켜서 되는 소수성 섬유 재료의 염색 또는 날염방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910019239A 1990-11-09 1991-10-31 헤테로고리 분산 염료 화합물, 이의 제조방법 및 이들을 사용한 소수성 섬유의 염색 또는 날염 방법 KR920009932A (ko)

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