Claims (7)
다층배선시, 하부 배선층위에 제1증착산화막, SOG막 및 제2증착산화막을 차례로 적층하여 배선층간의 절연막으로 사용하는 배선층간의 절연막 평탄화방법에 있어서, 상기 제1증착산화막 형성후에 상기 제1증착산화막의 요부가 V형을 이루도록 변형시키는 공정을 더 구비함을 특징으로 하는 배선층간의 절연막 평탄화방법.In the multi-layer wiring, an insulating film planarization method between wiring layers in which a first deposition oxide film, an SOG film, and a second deposition oxide film are sequentially stacked on the lower wiring layer and used as an insulating film between wiring layers, wherein after forming the first deposition oxide film, And a step of modifying the recessed portion to form a V-shape.
제1항에 있어서, 상기 제1증착산화막 및 제2증착산화막은 플라즈마 증착 장치를 사용하여 형성된 플라즈마 실리콘 산화막으로 하는 것을 특징으로 하는 배선층간의 절연막 평탄화방법.The method of claim 1, wherein the first deposition oxide film and the second deposition oxide film are plasma silicon oxide films formed using a plasma deposition apparatus.
제2항에 있어서, 상기 제1증착산화막 및 제2증착산화막 두께는 300nm정도로 하는 것을 특징으로 하는 배선층간의 절연막 평탄화방법.The method of claim 2, wherein the thickness of the first deposition oxide film and the second deposition oxide film is about 300 nm.
제1항에 있어서, 상기 제1층착산화막의 요부의 형상은 아르곤 스퍼터 식각공정을 통하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 배선층간의 절연막 평탄화방법.The method of claim 1, wherein the main portion of the first oxide layer is formed by an argon sputter etching process.
제4항에 있어서, 상기 제1증착산화막은 100nm정도 식각되는 것을 특징으로 하는 배선층간의 절연막 평탄화방법The method of claim 4, wherein the first deposition oxide is etched by about 100 nm.
제5항에 있어서, 상기 배선층간의 절연막 평탄화 방법은 상기 아르곤 스퍼터 식각공정을 통하여 각이진 제1증착산화막위에, 이 제1증착산화막과 동일한 산화막을 형성시키는 공정을 더 구비함을 특징으로 하는 배선층간의 절연막 평탄화방법.6. The method of claim 5, wherein the insulating film planarization method between the wiring layers further comprises a step of forming the same oxide film as the first deposition oxide film on the angled first deposition oxide film through the argon sputter etching process. Insulating film planarization method.
제6항에 있어서, 상기 SOG막은 140nm정도의 무기성 SOG막을 반복도포하여 형성됨을 특징으로 하는 배선층간의 절연막 평탄화방법.7. The method of claim 6, wherein the SOG film is formed by repeatedly applying an inorganic SOG film of about 140 nm.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임※ Note: The disclosure is based on the initial application.