KR920004011A - 고분산된 구리 조성물을 이용한 분리 - Google Patents

고분산된 구리 조성물을 이용한 분리 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

고분산된 구리 조성물을 이용한 분리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (38)

  1. 일산화탄소 또는 올레핀으로 구성된 군으로 부터 선택된 가스성분 및 이산화탄소, 메탄, 질소, 수소, 아르곤, 헬륨, 에탄 및 프로판으로 구성된 군으로 부터 선택된 적어도 하나의 다른 가스를 함유하는 가스 혼합물을 구리 함유 흡착제와 접촉시키는 단계; 상기 흡착제 상에 상기 가스 성분을 선택적으로 흡착시키는 단계; 및 흡착제로 부터 상기 가스 성분을 탈착시켜 상기 가스 성분을 회수하는 단계를 포함하며, 여기에서 상기 구리 함유흡착제는 디-또는 폴리 카르복실산 분산매의 암모늄염을 가진 수용성 용매내에서 무정형의 산화물 또는 탄소로 구성된 고표면적 지지체를 구리(Ⅱ)화합물로 침착시키고; 상기 분산매를 사용하여 상기 화합물을 상기 지지체상에 분산시키며; 상기 용매를 제거한 후; 상기 지지체상에서 구리(Ⅱ)화합물을 구리(Ⅰ)화합물로 환원시켜 제조된 분산된 구리(Ⅰ)화합물 및 고표면적의 상기 지지체를 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 가스 혼합물로부터 상기 가스 성분을 선택적으로 분리하는 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 구리(Ⅱ)화합물을 환원성 가스 존재하에서 환원시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 환원성 가스가 일산화탄소를 함유하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 2항에 있어서, 상기 환원성 가스가 합성 가스를 함유하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 2항에 있어서, 상기 구리(Ⅱ)화합물은 약 150℃에 달하는 온도에서 환원시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 2항에 있어서, 상기 구리(Ⅱ)화합물은 약 120℃에 달하는 온도에서 환원시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 구리(Ⅱ)화합물은 약 150-400℃의 온도로 가열함으로써 환원시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 무정형 산화물 지지체는 상기 화합물이 상기 지지체에 더 잘 침착될 수 있도록 하기 위해 승온에서 가열함으로써 예비 처리시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 탄소 지지체는 상기 화합물이 상기 지지체에 더 잘 침착될 수 있도록 하기 위해 산화시킴으로써 예비 처리시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 디-및 폴리카르복실산 분산매의 암모늄염은 암모늄 시트레이트, 암모늄 타르트레이트, 암모늄 숙시네이트, 암모늄 프탈레이트, 암모늄 아디페이트, 암모늄(에틸렌디아민)테트라아세테이트 및 그것들의 혼합물로 구성된 군으로 부터 선택하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제 1항에 있어서, 상기 구리(Ⅱ)화합물은 구리(Ⅱ)할라이드, 구리(Ⅱ)카르복실레이트, 구리(Ⅱ)산소산, 구리(Ⅱ)아민 착화합물 및 그것들의 혼합물로 구성된 군으로 부터 선택하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제 1항에 있어서, 상기 가스 혼합물로 부터 상기 가스 성분을 흡착제 배드내에 흡차시키는 단계; 흡착 후 상기 흡착제의 배드를 탈착시키는 단계; 흡착제의 배드를 가스 성분으로 피어징시키는 단계; 흡착제의 배드를 배기시켜 가스 성분을 회수하는 단계; 및 비흡착가스를 흡착제의 배드내로 통과시킴으로써 흡착제의 배드를 흡착시 압력으로 재가압 시키는 단계를 포함하는 일련의 단계에 따라 상기 가스 혼합물을 하나 이상의 흡착제 배드를 통과시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 이산화탄소, 메탄, 질소, 수소, 아르곤, 헬륨, 에탄 및 프로판으로 구성된 군으로 부터 선택된 적어도 하나의 다른 가스와 일산화탄소를 함유하는 가스 혼합물을 구리 함유 흡착제와 접촉시키는 단계; 상기 흡착제로 부터 일산화탄소를 분리 탈착시켜 일산화탄소를 회수하는 단계를 포함하며, 여기에서 상기 구리함유 흡착제는 디-또는 폴리카르복실산 분산매의 암모늄염을 가진 수용성 용매내에서 무정형의 산화물 또는 탄소로 구성된 고표면적의 지지체를 구리(Ⅱ)화합물로 침착시키고; 상기 분산매로 상기 화합물을 지지체상에 분산시키며; 상기 용매를 제거한 후; 지지체상에서 일산화탄소를 함유한 환원성 가스 존재하에 약 120℃에 달하는 온도에서 구리(Ⅱ)화합물을 구리(Ⅰ)화합물로 환원시킴으로써 제조된 분산된 구리(Ⅰ)화합물 및 고표면적의 상기 지지체를 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 가스 혼합물로 부터 일산화탄소를 선택적으로 분리하는 방법.
  14. 무정형 산화물 및 탄소로 구성된 고표면적의 지지체를 수용성 요매내의 구리(Ⅱ)화합물 및 디-또는 폴리카르복실산 분사매의 암모늄염으로 침착시키고; 상기 분산매로 상기 화합물을 지지체상에 분산시키며, 상기 용매를 제거한 후; 구리(Ⅱ)화합물을 구리(Ⅰ)화합물로 환원시키는 단계에 의해 제조된 분산된 구리(Ⅰ)화합물 및 고표면적의 상기 지지체를 포함하는 복합체인 구리-함유 흡착제.
  15. 제14항에 있어서, 상기 구리(Ⅱ)화합물은 환원성 가스 존재하에서 환원되는 것을 특징으로 하는 흡착제.
  16. 제15항에 있어서, 상기 환원성 가스는 일산화탄소를 함유하는 것을 특징으로 하는 흡착제.
  17. 제15항에 있어서, 상기 환원성 가스는 합성 가스를 함유하는 것을 특징으로 하는 흡착제.
  18. 제15항에 있어서, 상기 구리(Ⅱ)화합물은 환원성 가스 존재하의 약150℃에 달하는 온도에서 환원되는 것을 특징으로 하는 흡착제.
  19. 제15항에 있어서, 상기 구리(Ⅱ)화합물은 환원성 가스 존재하의 약120℃에 달하는 온도에서 환원되는 것을 특징으로 하는 흡착제.
  20. 제14항에 있어서, 상기 구리(Ⅱ)화합물은 약150~400℃의 온도로 가열함으로써 환원시키는 것을 특징으로 하는 흡착제.
  21. 제14항에 있어서, 상기 흡착제는 일산화탄소 또는 올레핀에 대하여 선택적임을 특징으로 하는 흡착제.
  22. 제14항에 있어서, 상기 부정형 산화물 지지체는 상기 화합물이 이 지지체에 더 잘 침착될 수 있도록 하기 위해 승온으로 가열함으로써 예비처리시키는 것을 특징으로 하는 흡착제.
  23. 제14항에 있어서, 상기 탄소 지지체는 상기 화합물이 이 지지체에 더 잘 침착될 수 있도록 하기 위해 산화시킴으로써 예비처리시키는 것을 특징으로 하는 흡착제.
  24. 제14항에 있어서, 상기 디-및 플리카르복실산 분산매의 암모늄염은 암모늄 시트레이트, 암모늄 타르트레이트 암모늄 숙시네이트, 암모늄 프탈레이트, 암모늄 아디페이트 암모늄(에틸렌디아민) 대트라아세테이트 및그것들의 혼합물로 구성된 군으로 부터 선택하는 것을 특징으로 하는 흡착제.
  25. 제1항에 있어서, 상기 구리(Ⅱ)화합물은 구리(Ⅱ)할라이드, 구리(Ⅱ)카르복실레이트, 구리(Ⅱ)산소산, 구리(Ⅱ)아민 착화합물 및 그것들의 혼합물로 구성된 군으로 부터 선택하는 것을 특징으로 하는 흡착제.
  26. 무정형 산화물 및 탄소로 구성된 고표면적의 지지체를 수용성 용매내의 구리(Ⅱ)화합물 및 디-또는 폴리카르복실산 분산매의 암모늄염으로 침착시키고; 상기 분산매로 상기 화합물을 상기 지지체상에 분산시키며; 상기 용매를 제거한 후; 약 120℃에 달하는 온도에서 일산화탄소를 함유하는 환원성 가스와 접촉시켜 상기 지지체상에서 구리(Ⅱ)화합물을 구리(Ⅰ)화합물로 환원시킴으로써 제조된 분산된 구리(Ⅰ)화합물 및 고표면적의 상기 지지체를 포함하는 복합체인 구리=함유조성물을 포함하는 일산화탄소에 대한 선택적 흡착제.
  27. 거공성 알루미나의 고표면적 지지체를 구리(Ⅱ)화합물이 더 잘 침착되도록 하기 위해 불활성 가스내에서 승온하에 가열하여 예비처리하고, 이 알루미나 지지체를 물에 용해된 염화구리(Ⅱ)및 암모늄 시트레이트 분산매로 침착시키며, 상기 분산매로 염화구리(Ⅱ)를 지지체상에 분산시키며; 물을 제거하고; 약120℃에 달하는 온도에서 일산화탄소를 함유하는 환원성 가스와 접촉시킴으로써 상기 지지체상에서 구리(Ⅱ)화합물을 구리(Ⅰ)화합물로 환원시킴으로써 제조된 분산된 구리(Ⅰ)이온 및 고표면적의 거공성 알루미나 지지체를 포함하는 활성 복합체인 구리함유 조성물을 포함하는 인산화탄소, 메탄 및 질소에 비해 우선적으로 일산화탄소에 대해 선택적인 흡착제.
  28. 디-또는 플리카르복실산 분산매의 암모늄염 및 구리(Ⅱ)화합물을 함유하는 수용성 용매와 무정형 산화물 또는 탄소의 고표면적 지지체를 접촉시켜 상기 지지체를 구리(Ⅱ)화합물로 침착시키고; 상기 분산매로써 상기 화합물을 지지체상에 분산시키며; 상기 지지체로 부터 용매를 제거한 후; 구리 화합물(Ⅱ)을 구리(Ⅰ)화합물로 환원시키는 것을 포함하는 분산된 구리(Ⅰ)화합물 및 고표면적의 상기 지지체를 갖는 복합체인 구리-함유 흡착제의 합성 방법.
  29. 제28항에 있어서, 상기 구리(Ⅱ)화합물을 환원성 가스 존재하에서 환원시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  30. 제29항에 있어서, 상기 구리(Ⅱ)화합물을 환원 성가스 존재하의 약 150℃에 달하는 온도에서 환원시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  31. 제29항에 있어서, 상기 구리(Ⅱ)화합물을 환원성 가스 존재하의 약120℃에 달하는 온도에서 환원시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  32. 제29항에 있어서, 상기 구리(Ⅱ)화합물을 일산화탄소를 함유하는 환원성 가스 존재하에서 환원시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  33. 제29항에 있어서, 상기 구리(Ⅱ)화합물을 합성 가스를 함유하는 환원성 가스 존재하에서 환원시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  34. 제28항에 있어서, 상기 구리(Ⅱ)화합물을 약150~400℃의 온도를 가열함으로써 환원시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  35. 제28항에 있어서, 상기 무정형 산화물 지지체를 구리(Ⅱ)화합물로 침착시키기에 앞서 상기 화합물이 이 지지체에 더 잘 침착될 수 있도록 하기 위해 승온으로 가열함으로써 예비 처리시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  36. 제28항에 있어서, 상기 탄소 지지체를 구리(Ⅱ)화합물로 침착시키기에 앞서 상기 화합물이 이 지지체에 더 잘 침착될 수 있도록 하기 위해 산화시킴으로써 예비 처리 시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  37. 제28항에 있어서, 상기 디-및 플리카르복실산 분산매의 암모늄염은 암모늄 시트레이트, 암모늄 타르트레이트, 암모늄 숙시네이트, 암모늄 프탈레이트, 암모늄 아디페이트, 암모늄(에틸렌디아민) 테트라아세테이트 및 그것들의 혼합물로 구성된 군으로 부터 선택하는 것을 특징으로 하는 방법.
  38. 제28항에 있어서, 상기의 구리(Ⅱ)화합물은 구리(Ⅱ)힐라이드, 구리(Ⅱ)카르복실레이트, 구리(Ⅱ)산소산, 구리(Ⅱ)아민 착화합물 및 그것들의 혼합물로 구성된 군으로 부터 선택하는 것을 특징으로 하는 방법.
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