KR920003456A - 마스크패턴 투영 장치 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

마그크패턴 투영 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 6도는 본 발명에 따른 마스크 플레이트의 제1실시예의 도시도,
제 8도는 본 발명에 따른 장치에서 마스크 플레이트를 통한 정렬 방사 통로의 도시도,
제 9도는 그러한 장치 실시예의 도시도.

Claims (15)

  1. 기판상에 마스크 패턴을 투영시키기 위한 장치로서, 상기 장치는 투영 비임을 공급하기 위한 조명 시스템과, 마스크 홀더와, 투영 렌즈 시스템 및 기판 홀더를 연속해서 구비하며, 또한 기판 정렬 마크에 의해 기판에 따라 마스크를 정렬하기 위한 장치 및 마스크 정렬 마크를 구비하며, 상기 장치는 정렬 비임을 공급하기 위한 방사원과, 투영 렌즈 시스템 및 제1정렬 마크와 상호 적용되는 선택된 정렬비임의 통로에서 방사 감지 검출 시스템과, 상기 정렬 마크의 상호 위치를 측정하는 검출 시스템의 출력 신호로를 구비하는데, 상기 검출 시스템에 의해 수신된 선택된 정렬 비임 부분내에서 발생하는 마스크 플레이트에서의 반사로 인한 위상차방지 수단은 선택된 정렬 비임 부분의 방사 통로에 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 투영장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 마스크 정렬 마크에 반대로 위치한 마스크 플레이트면 부분은 정렬 방사에 대해 반대반사되는 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 투영장치.
  3. 제2항에 있어서, 마스크 정렬 마크를 가지며, 적어도 마스크 정렬 마크에 반대 위치한 플레이트면 부분은 정렬 방사에 대해 반대 반사되는 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 투영장치.
  4. 제1항에 있어서, 방사 편향 소자는 마스크 플레이트 플레인에 수직으로 선택된 정렬 비임 부분의 대칭축을 조정하기 위한 마스크 정렬 마크 공간에 배열되며, 상기 방사 편향 소자는 상기 플레이트의 플레인에 투영 비임의 단면보다 상당히 작은 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 투영장치.
  5. 제4항에 있어서, 방사 편향 소자는 정렬 비임에 투명한 재질의 윗지형 몸체에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 투영장치.
  6. 제4항에 있어서, 기판 정렬 마크에 따라 제1마스크 정렬 마크를 정렬하기 위한 장치는 제2정렬 비임에 의해 기판 정렬 마크에 따라 제2마스크 정렬 마크를 위한 제2장치를 구비하며, 제2방사 편향 소자는 제2정렬 비임의 통로와 제2마스크 정렬 마크 공간에 배열되어있는 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 투영 장치.
  7. 제1항, 제2항, 제4항, 제5항 또는 제6항에 있어서, 굴절 보정 소자는 정렬 비임 통로와 투영 렌즈 시스템에 배열되며, 상기 소자는 소자 플레인내의 투영 렌즈 시스템의 단면보다 상당히 작으며, 상기 제2정렬 마크상의 제1정렬 마크로부터 선택된 정렬 비임 부분을 조정하고 포카스하는 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 투영장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 보정 소자는 렌즈인 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 투영장치.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 보정소자는 투영 렌즈 시스템의 퓨리어 플레인에 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 투영 장치.
  10. 제1항, 제4항, 제5항, 제6항, 제7항, 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 제1정렬 마크는 기판 정렬 마크이며 제2정렬 마크는 마스크 정렬 마크이고, 방사 편향 소자는 기판 정렬 마크로부터 수입되는 정렬 방사의 통로에 배열되는 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 투영 장치.
  11. 제1항, 제4항, 제5항, 제6항, 제7항, 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 제1정렬 마크는 기판 정렬 마크이며 제2정렬 마크는 마스크 정렬 마크이고, 방사 편향 소자는 기판 정렬 마크로부터 수입되는 정렬 방사의 통로에 배열되는 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 투영 장치.
  12. 제1항, 제4항, 제5항, 제6항, 제7항, 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 제2정렬 마크는 기판과 마스크 외측에 위치한 기준 정렬 마크이고 기판 정렬 마크 및 마스크 정렬 마크 둘다는 기준 정렬 마크상에서 각각 영상되는 제1정렬 마크를 구성하는 마스크 패턴 투영장치.
  13. 제1항, 제4항, 제5항, 제6항, 제7항, 제8항 또는 제9항에 있어서, 정렬 장치의 방사원은 기판 정렬 마크 플레인과 마스크 정렬 마크 플레인에서 기준 패턴을 형성하는 2개의 방사 비임을 공급하며, 제1정렬 마크는 기준 패턴에 의해 구성되고 기판 정렬 마크 및 정렬 마크는 제2정렬 마크인 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 투영장치.
  14. 제1항 내지 제13항에 있어서, 기판 정렬 마크는 위상 화절 그레이팅에 의해 구성되고 마스크 정렬 마크는 진폭 회전 그레이팅에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 투영장치.
  15. 제1항 내지 제14항에 있어서, 주기적 신호에 의해 제어된 수단은 제2정렬 마크와 검출 시스템에 의해 관측된 제1정렬 마크의 마크상의 영상 서로에 따라 주기적으로 대치시키기 위해 정렬 비임의 방사 통로에 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 투영장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100830660B1 (ko) * 2000-12-27 2008-05-20 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 기준 정렬 마크에 대한 기판의 정렬을 측정하는 방법

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06310400A (ja) * 1993-04-12 1994-11-04 Svg Lithography Syst Inc 軸上マスクとウェーハ直線配列システム
BE1007907A3 (nl) * 1993-12-24 1995-11-14 Asm Lithography Bv Lenzenstelsel met in gasgevulde houder aangebrachte lenselementen en fotolithografisch apparaat voorzien van een dergelijk stelsel.
JPH08264427A (ja) * 1995-03-23 1996-10-11 Nikon Corp アライメント方法及びその装置
EP0823977B1 (en) * 1996-03-04 2002-01-16 ASM Lithography B.V. Lithopraphic apparatus for step-and-scan imaging of a mask pattern
EP0826165B1 (en) * 1996-03-15 2001-05-30 Asm Lithography B.V. Alignment device and lithographic apparatus provided with such a device
US5760483A (en) * 1996-12-23 1998-06-02 International, Business Machines Corporation Method for improving visibility of alignment targets in semiconductor processing
JP3570728B2 (ja) * 1997-03-07 2004-09-29 アーエスエム リソグラフィ ベスローテン フェンノートシャップ 離軸整列ユニットを持つリトグラフ投射装置
TW367407B (en) * 1997-12-22 1999-08-21 Asml Netherlands Bv Interferometer system with two wavelengths, and lithographic apparatus provided with such a system
US6160622A (en) * 1997-12-29 2000-12-12 Asm Lithography, B.V. Alignment device and lithographic apparatus comprising such a device
US6136517A (en) * 1998-03-06 2000-10-24 Raytheon Company Method for photo composition of large area integrated circuits
AU3778799A (en) * 1998-04-30 1999-11-16 Paul Derek Coon Alignment simulation
US6061606A (en) * 1998-08-25 2000-05-09 International Business Machines Corporation Geometric phase analysis for mask alignment
TW490596B (en) 1999-03-08 2002-06-11 Asm Lithography Bv Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using the lithographic projection apparatus, device manufactured according to the method and method of calibrating the lithographic projection apparatus
US6924884B2 (en) 1999-03-08 2005-08-02 Asml Netherlands B.V. Off-axis leveling in lithographic projection apparatus
US7116401B2 (en) 1999-03-08 2006-10-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus using catoptrics in an optical sensor system, optical arrangement, method of measuring, and device manufacturing method
TWI231405B (en) * 1999-12-22 2005-04-21 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus, position detection device, and method of manufacturing a device using a lithographic projection apparatus
US7068833B1 (en) * 2000-08-30 2006-06-27 Kla-Tencor Corporation Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements
US7541201B2 (en) 2000-08-30 2009-06-02 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for determining overlay of structures having rotational or mirror symmetry
US6489627B1 (en) * 2000-09-29 2002-12-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Method for inspecting a reticle and apparatus for use therein
US6904201B1 (en) * 2001-05-09 2005-06-07 Intel Corporation Phase-controlled fiber Bragg gratings and manufacturing methods
US7804994B2 (en) * 2002-02-15 2010-09-28 Kla-Tencor Technologies Corporation Overlay metrology and control method
TW594431B (en) * 2002-03-01 2004-06-21 Asml Netherlands Bv Calibration methods, calibration substrates, lithographic apparatus and device manufacturing methods
EP1341046A3 (en) * 2002-03-01 2004-12-15 ASML Netherlands B.V. Calibration methods, calibration substrates, lithographic apparatus and device manufacturing methods
EP1394616A1 (en) * 2002-08-29 2004-03-03 ASML Netherlands BV An alignment tool, a lithographic apparatus, an alignment method and a device manufacturing method
CN100476599C (zh) 2002-09-20 2009-04-08 Asml荷兰有限公司 光刻标记结构、包含该光刻标记结构的光刻投射装置和利用该光刻标记结构进行基片对准的方法
US7075639B2 (en) 2003-04-25 2006-07-11 Kla-Tencor Technologies Corporation Method and mark for metrology of phase errors on phase shift masks
US7608468B1 (en) 2003-07-02 2009-10-27 Kla-Tencor Technologies, Corp. Apparatus and methods for determining overlay and uses of same
US7346878B1 (en) 2003-07-02 2008-03-18 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for providing in-chip microtargets for metrology or inspection
US7450217B2 (en) 2005-01-12 2008-11-11 Asml Netherlands B.V. Exposure apparatus, coatings for exposure apparatus, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7557921B1 (en) 2005-01-14 2009-07-07 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for optically monitoring the fidelity of patterns produced by photolitographic tools
JP5268239B2 (ja) * 2005-10-18 2013-08-21 キヤノン株式会社 パターン形成装置、パターン形成方法
EP2128832A1 (en) * 2008-05-30 2009-12-02 Robert Bosch GmbH Anti-masking system and method for motion detectors
NL2003363A (en) 2008-09-10 2010-03-15 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, method of manufacturing an article for a lithographic apparatus and device manufacturing method.
US20100105156A1 (en) * 2008-10-27 2010-04-29 Po-Shen Chen Method of manufacturing light-emitting diode package
JP5420639B2 (ja) * 2009-03-26 2014-02-19 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスクブランクの製造方法
NL2005414A (en) * 2009-10-28 2011-05-02 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and patterning device.
US9927718B2 (en) 2010-08-03 2018-03-27 Kla-Tencor Corporation Multi-layer overlay metrology target and complimentary overlay metrology measurement systems
KR101215094B1 (ko) * 2010-10-25 2012-12-24 삼성전자주식회사 피측정체 정렬장치
CN102486621B (zh) * 2010-12-02 2014-02-19 上海微电子装备有限公司 一种对准调整装置及对准调整方法
US10890436B2 (en) 2011-07-19 2021-01-12 Kla Corporation Overlay targets with orthogonal underlayer dummyfill
US8604417B2 (en) * 2011-08-26 2013-12-10 Baker Hughes Incorporated Targetless pulsed neutron generator using beam-beam interaction
TWI448659B (zh) * 2012-12-27 2014-08-11 Metal Ind Res & Dev Ct Optical image capture module, alignment method and observation method
US9304403B2 (en) 2013-01-02 2016-04-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for lithography alignment
WO2016030031A1 (en) * 2014-08-25 2016-03-03 Asml Holding N.V. Measuring method, measurement apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method
US10451412B2 (en) 2016-04-22 2019-10-22 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry
JP7038562B2 (ja) * 2018-02-13 2022-03-18 キヤノン株式会社 検出装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法
CN111061064B (zh) * 2019-12-30 2020-12-15 浙江大学 一种双光束光阱光束辅助对准装置和方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3721587A (en) * 1970-12-02 1973-03-20 Wood Steel Co Alan Low carbon,niobium and aluminum containing steel sheets and plates and process
NL7100212A (ko) * 1971-01-08 1972-07-11
NL7606548A (nl) * 1976-06-17 1977-12-20 Philips Nv Werkwijze en inrichting voor het uitrichten van een i.c.-patroon ten opzichte van een halfgelei- dend substraat.
NL186353C (nl) * 1979-06-12 1990-11-01 Philips Nv Inrichting voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat voorzien van een opto-elektronisch detektiestelsel voor het bepalen van een afwijking tussen het beeldvlak van een projektielenzenstelsel en het substraatvlak.
DD144690A1 (de) * 1979-07-02 1980-10-29 Rainer Dastis Einrichtung zur kompensation der chromatischen laengsabweichung eines projektionsobjektives
US4871257A (en) * 1982-12-01 1989-10-03 Canon Kabushiki Kaisha Optical apparatus for observing patterned article
NL8401710A (nl) * 1984-05-29 1985-12-16 Philips Nv Inrichting voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat.
US4614433A (en) * 1984-07-09 1986-09-30 At&T Bell Laboratories Mask-to-wafer alignment utilizing zone plates
JPS6139021A (ja) * 1984-07-31 1986-02-25 Canon Inc 光学装置
US4771180A (en) * 1985-10-11 1988-09-13 Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. Exposure apparatus including an optical system for aligning a reticle and a wafer
NL8600639A (nl) * 1986-03-12 1987-10-01 Asm Lithography Bv Werkwijze voor het ten opzichte van elkaar uitrichten van een masker en een substraat en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze.
NL8601095A (nl) * 1986-04-29 1987-11-16 Philips Nv Positioneerinrichting.
NL8601547A (nl) * 1986-06-16 1988-01-18 Philips Nv Optisch litografische inrichting met verplaatsbaar lenzenstelsel en werkwijze voor het regelen van de afbeeldingseigenschappen van een lenzenstelsel in een dergelijke inrichting.
JPH0642448B2 (ja) * 1987-09-30 1994-06-01 株式会社東芝 位置合わせ方法
EP0323242A3 (en) * 1987-12-28 1989-10-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Method and apparatus for aligning two objects, and method and apparatus for providing a desired gap between two objects
NL8900991A (nl) * 1989-04-20 1990-11-16 Asm Lithography Bv Apparaat voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat.

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100830660B1 (ko) * 2000-12-27 2008-05-20 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 기준 정렬 마크에 대한 기판의 정렬을 측정하는 방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP0467445B1 (en) 1999-01-20
DE69130783D1 (de) 1999-03-04
US5481362A (en) 1996-01-02
KR100306471B1 (ko) 2001-11-30
DE69130783T2 (de) 1999-10-21
EP0467445A1 (en) 1992-01-22
NL9001611A (nl) 1992-02-17
JPH04233218A (ja) 1992-08-21
JP3081289B2 (ja) 2000-08-28

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