KR101215094B1 - 피측정체 정렬장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 정렬장치에 관한 것으로, 복수 개의 정렬 마크를 가지는 피측정체와, 피측정체의 위치를 측정하도록 복수 개의 정렬계를 가지는 정렬 광학계와, 복수 개의 정렬계 중 인접하는 정렬계간의 간격이 복수의 정렬 마크 중 인접하는 정렬 마크간의 간격보다 큰 경우 인접하는 정렬 마크들에서 반사된 정렬광을 분기시켜 인접하는 정렬계들 각각으로 전달하는 광학부재를 포함하여 구성되는 것이다.

Description

피측정체 정렬장치{WORK PIECE ALIGNMENT DEVICE}
본 발명은 기판 정렬장치에 관한 것으로, 노광 장치에서 오버 레이(Over lay)를 위한 정렬을 수행할 수 있는 기판 정렬장치에 관한 것이다.
여러 가지 노광 장치가 광범위하게 이용되어 반도체 소자 및 액정 디스플레이 소자와 같은 제품을 제조한다. 노광 장치에서 일반적으로 그 위에 회로패턴이 형성된 마스크 또는 레티클이 이용되며, 회로패턴의 상은 투영 렌즈계를 통하여 감광성 기판(또는 웨이퍼)위에 투영된다.
반도체 소자의 일반적인 제조 프로세서에서, 예를 들어 몇 개 내지 수십 개의 회로패턴이 정확하게 하나씩 정합되어야 한다. 이를 위하여, 웨이퍼 위에 이미 형성된 회로패턴(들) 및 이전 회로패턴(들)상에 서로 노출될 다음 회로패턴을 새기는 것이 요구된다. 따라서, 많은 노광 장치에는 웨이퍼 위에 형성된 정렬 마크를 광학적으로 검출하는 정렬계가 제공된다. 정렬계는 고정된 좌표계(XY-좌표계)에서 정렬 마크의 위치를 검출하며, 좌표계는 정렬을 위하여 웨이퍼가 이동될 위치를 표시할 수 있다.
웨이퍼 위에 형성된 정렬 마크의 위치를 검출하기 위한 두 가지 주요 방법은 다음과 같다. (1) 광빔(예를 들어 레이저빔)을 웨이퍼 위의 스폿에 집속시키는 단계, 스폿에 의한 정렬 마크의 주사를 수행하도록 정렬 마크 및 스폿사이에 관련 이동을 발생시키는 단계 및 예를 들어 포토멀티플라이어 또는 포토다이오드에 의하여 정렬 마크로부터 들어오는 산란광 또는 회절광을 광전기적으로 검출하는 단계(이를 이하에서는 '광빔 주사 방법' 이라 한다), 및 (2) 웨이퍼 상의 정렬 마크의 영역을 조명하는 단계, 비디오 신호를 생성하기 위하여 텔레비전 카메라(예를 들면, CCD)에 의하여 정렬 마크의 상을 픽업하는 단계 및 정렬 마크의 위치를 검출하기 위하여 비디오 신호를 처리하는 단계(이하에서는 '상형성 방법' 이라 고 한다).
일 측은, 공간적 제약에 의해 물리적으로 간섭이 생기는 경우에도 개선된 다중 정렬계를 이용하여 정렬을 수행할 수 있는 기판 정렬장치를 개시할 수 있다.
다른 일 측은, 다중 정렬계의 각 측정 영역을 이동시켜 피측정체의 위치 변동에 대응하여 정렬을 수행할 수 있는 기판 정렬장치를 개시할 수 있다.
일 기술적 사상에 따른 피측정체 정렬장치는 복수 개의 정렬 마크를 가지는 피측정체;와 상기 피측정체의 위치를 측정하도록 복수 개의 정렬계를 가지는 정렬 광학계;와 적어도 하나의 반사면을 포함하여 상기 복수 개의 정렬계 중 인접하는 정렬계간의 간격이 상기 복수의 정렬 마크 중 인접하는 정렬 마크간의 간격보다 큰 경우 상기 인접하는 정렬 마크들에서 반사된 정렬광을 상기 적어도 하나의 반사면에서 분기시켜 상기 인접하는 정렬계들 각각으로 전달하도록 배치된 적어도 하나의 광학부재;를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 광학부재는, 서로 직교하는 제1반사면과 제2반사면을 가지는 제1광학소자;와, 상기 제1광학소자의 제1반사면과 대면하는 제3반사면을 가지는 제2광학소자;와, 상기 제1광학소자의 제2반사면과 대면하는 제4반사면을 가지는 제3광학소자;를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 인접하는 정렬계 중 어느 하나와 상기 제2광학소자 사이에는 제5반사면을 가지는 제4광학소자;가 마련되고, 상기 인접하는 정렬계 중 다른 하나와 상기 제3광학소자 사이에는 제6반사면을 가지는 제5광학소자;가 마련되는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 제1광학소자의 제1반사면과 제2반사면은 각 반사면의 법선과 상기 인접하는 정렬 마크들에서 반사된 정렬광이 예각을 이루도록 배치되는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 제1광학소자는 프리즘을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 제1광학소자는 대칭되게 배치되는 2개의 미러;를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 제2광학소자는 미러를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 제3광학소자는 미러를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 제1광학소자는 상기 복수 개의 정렬 마크들간의 간격이 변동되는 경우에도 측정이 가능하도록 축방향으로 이동 가능하게 마련되는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 제2광학소자와 제3광학소자는 상기 복수 개의 정렬 마크들간의 간격이 변동되는 경우에도 측정이 가능하도록 축방향으로 이동 가능하게 마련되는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 제1광학소자와 제2광학소자, 제3광학소자를 이동시키는 이송장치;를 더 포함하고, 상기 이송장치는 수동 또는 자동으로 동작 하는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 복수 개의 정렬계 각각은 저배율과 고배율의 조합으로 구성되며 정렬계 렌즈 끝에서부터 피측정체까지의 동작거리를 가지는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 피측정체가 놓여지는 스테이지;와, 상기 스테이지를 이동시키는 구동유닛;을 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
한편, 또 다른 기술적 사상에 따른 정렬장치는 적어도 하나의 정렬 마크를 가지는 제1피측정체;와 적어도 하나의 정렬 마크를 가지는 제2피측정체;와 상기 제1피측정체의 위치를 측정하는 제1정렬 광학계;와 상기 제2피측정체의 위치를 측정하는 제2정렬 광학계;와 적어도 하나의 반사면을 포함하고 상기 제1정렬 광학계와 제2정렬 광학계간의 간격이 상기 제1피측정체와 제2피측정체의 정렬 마크들간의 간격보다 큰 경우 상기 제1피측정체와 제2피측정체의 정렬 마크들에서 반사된 정렬광을 상기 적어도 하나의 반사면에서 분기시켜 상기 제1정렬 광학계와 제2정렬 광학계 각각으로 전달하도록 구성된 적어도 하나의 광학부재;를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 광학부재는, 서로 직교하는 제1반사면과 제2반사면을 가지는 제1광학소자;와, 상기 제1광학소자의 제1반사면과 대면하는 제3반사면을 가지는 제2광학소자;와, 상기 제1광학소자의 제2반사면과 대면하는 제4반사면을 가지는 제3광학소자;를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 제1광학소자는 역피라미드 형태로 위치하여 제1반사면과 제2반사면을 통해 반사된 정렬광을 분기시키는 구조의 외에(변형으로), 피라미드 형태로 위치하여(도7 참조) 프리즘의 밑변을 투과한 후 제1반사면과 제2반사면을 통해 반사된 정렬광을 분기시키는 구조를 더 포함한다.
또한, 상기 제1광학소자는 상기 제1피측정체와 제2피측정체간의 간격이 변동되는 경우에도 측정이 가능하도록 축방향으로 이동 가능하게 마련되는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 제2광학소자와 제3광학소자는 상기 제1피측정체와 제2피측정체간의 간격이 변동되는 경우에도 측정이 가능하도록 축방향으로 이동 가능하게 마련되는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 제1 및 제2정렬 광학계 각각은 저배율과 고배율의 조합으로 구성되며 정렬계 렌즈 끝에서부터 피측정체까지의 동작거리를 가지는 것을 특징으로 할 수 있다.
일 실시예에 따른 기판 정렬장치는 정렬 마크간의 간격이 정렬계간의 간격보다 좁은 경우에도 정렬을 수행할 수 있다.
또한, 마크간의 간격이 정렬계간의 간격보다 좁은 상태에서 그 간격의 위치가 변동하는 경우에도 정렬을 수행할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 노광장치의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 일 실시예에 따른 정렬장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 정렬장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 또 다른 실시예에 따른 정렬장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5는 또 다른 실시예에 따른 정렬장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 6은 또 다른 실시예에 따른 정렬장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 7은 제1광학소자의 자세 변형에 따른 실시예를 나타낸 도면이다.
이하, 일 실시예에 따른 기판 정렬장치에 대하여 첨부도면을 참조하여 자세히 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 노광장치의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 노광장치(10)는 레티클(11)과 웨이퍼(21), 조명 광학계(30)와 투영 광학계(40), 정렬 광학계(50)를 포함하여 구성될 수 있다.
레티클(11)(또는 마스크)은 레티클 스테이지(12)에 배치된다. 레티클(11)은 레티클(11)상에 형성된 패턴 영역(11a)내에 회로 패턴을 가진다. 패턴 영역(11a)은 조명 광학계(30)로부터 조명광에 의하여 균일하게 조명된다. 패턴 영역(11a)내에 형성된 회로패턴의 상은 축소된 상태에서 투영 광학계(40)를 통하여 웨이퍼(21)(또는 기판) 위에 투영된다. 여기서, 투영 광학계(40)의 광축(AX)의 방향은 Z-방향이라 하고, 광축(AX)에 수직인 면은 XY-면이라 한다. X 및 Y-방향은 서로 수직이다.
웨이퍼(21)는 구동유닛(60)에 의하여 X 및 Y, Z-방향으로 이동 가능한 웨이퍼 스테이지(23)에 배치된다. 웨이퍼 스테이지(23)는 X 및 Y-방향으로 이동 가능한 XY-방향 스테이지부재(24)와, Z-방향으로 이동 가능한 Z-방향 스테이지부재(25)를 포함한다. XY- 좌표계에서 웨이퍼 스테이지(23)의 위치는 레이저 간섭계(70)에 의하여 검출되며 검출된 좌표 위치는 메인 제어계(80)로 출력된다.
노광장치(10)는 정렬 마크들(21a, b, c, d)의 좌표 위치를 검출하기 위한 정렬 광학계(50)를 포함한다. 이러한 정렬 광학계(50)에 대해서 이하에서 자세히 설명한다.
도 2는 일 실시예에 따른 정렬장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 정렬장치(150)는 피측정체(21)와, 복수 개의 정렬계(50a, b, c, d), 광학부재(90)를 포함하여 구성될 수 있다.
피측정체(21)는 웨이퍼(Wafer) 또는 기판(Substrate)를 포함한다. 피측정체(21)에는 복수 개의 정렬 마크(21a, b, c, d)가 형성된다.
복수 개의 정렬계(50a, b, c, d) 각각은 광원(53)과, 현미경 광학계(54), 이미지 센서(55)를 포함하여 구성될 수 있다. 복수 개의 정렬계(50a, b, c, d) 각각은 저배율과 고배율의 조합으로 구성되어 상대적으로 긴 동작거리(WD, Working Distance: 정렬 광학계 렌즈 끝에서부터 피측정체(21)까지의 거리)를 가진다. 이는 정렬광들의 경로가 상대적으로 길어지기 때문이다.
광원(53)은 할로겐 등과 같은 백광원 또는 고강도 다중 컬러LED(발광 다이오드)를 포함한다.
현미경 광학계(54)는 빔 스플리터(54a)와 접안렌즈(54b), 대물렌즈(54c)를 포함한다.
이미지 센서(55)는 텔레비전 카메라(예를 들면, CCD)를 포함한다.
피측정체(21)에는 제1정렬 마크(21a)와 제2정렬 마크(21b), 제3정렬 마크(21c), 제4정렬 마크(21d)가 형성되고, 복수 개의 정렬계(50a, b, c, d)는 제1정렬 마크(21a)를 측정하기 위한 제1정렬계(50a)와, 제2정렬 마크(21b)를 위한 제2정렬계(50b), 제3정렬 마크(21c)를 위한 제3정렬계(50c), 제4정렬 마크(21d)를 위한 제4정렬계(50d)를 포함한다. 여기서, 제2정렬계(50b)와 제3정렬계(50c) 사이의 간격(T)이 제2정렬 마크(21b)와 제3정렬 마크(21c) 사이의 간격(t1)보다 크게 배치되어 있다.
광학부재(90)는 피측정체(21)와 복수 개의 정렬계(50a, b, c, d) 사이에 마련된다. 구체적으로, 제2 및 3정렬 마크(21b, c)와 제2 및 3정렬계(50b, c) 사이에 마련되어 있다.
광학부재(90)는 제1광학소자(91)와 제2광학소자(92), 제3광학소자(93)를 포함하여 구성될 수 있다.
제1광학소자(91)는 제1반사면(91a)과 제2반사면(91b)을 가지는 프리즘(91)으로 형성되고, 제2광학소자(92)는 제1반사면(91a)과 대면하는 제3반사면(92a)을 가지는 제1미러(92)로 형성되고, 제2미러(93)는 제2반사면(91b)과 대면하는 제4반사면(93a)을 가지는 제2미러(93)로 형성된다. 특히 제1반사면(91a)은 제1반사면(91a)의 법선과 제2정렬광(101b)이 예각을 이루도록 배치되고, 제2반사면(91b)은 제2반사면(91b)의 법선과 제3정렬광(101c)이 예각을 이루도록 배치된다.
이러한 구조를 통하여 광학부재(90)는 간격(t1)을 가지는 정렬 마크들(21a, b)에서 반사되는 정렬광(101b, c)을 분기시켜 간격(T)을 가지는 정렬계들(50b, c) 각각에 전달한다. 즉, 프리즘(91)은 제1반사면(91a)과 제2반사면(91b)을 통하여 제2정렬 마크(21b)와 제3정렬 마크(21c)에서 반사되는 제2정렬광(101b)과 제3정렬광(101c)을 분기시키고, 이후 제1미러(92)는 제3반사면(92a)을 통하여 제2정렬광(101b)을 제2정렬계(50b)로 전달하고, 제2미러(93)는 제4반사면(93a)을 통하여 제3정렬광(101c)을 제3정렬계(50c)로 전달한다. 이후 각 정렬계들(50a, b, c, d)로 전달되는 정렬광들은 각 이미지 센서(55)에 의해서 촬상된다. 이후 정렬장치(150)는 웨이퍼 스테이지(23)를 이동시켜 정렬 마크들(21a, b, c, d)이 정확하게 위치되도록 조절할 수 있다. 결국 광학부재(90)를 통하여 정렬계들(50b, c)간의 간섭을 제거하면서 매우 좁은 정렬 마크들(21b, c)을 이용하여 정렬을 수행할 수 있다.
도 3은 다른 실시예에 따른 정렬장치(250)를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3에 도시된 정렬장치(250)는 도 2에 도시된 정렬장치(150)와 비교하여 다른 부분에 대해서 중점적으로 설명하고, 동일한 부분에 대해서는 되도록 설명을 생략하도록 한다.
도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 정렬장치(250)는 피측정체(21)와, 복수 개의 정렬계(50a, b, c, d), 광학부재(90), 이송장치(미도시)를 포함하여 구성될 수 있다.
피측정체(21)에는 복수 개의 정렬 마크(21a, b, c, d)가 형성된다. 여기서, 제2정렬 마크(21b)와 제3정렬 마크(21c)는 간격(t2) 만큼 떨어져 있다. 물론, 이들 사이의 간격(t2)은 제2정렬계(50b)와 제3정렬계(50c) 사이의 간격(T)보다 작게 형성된다.
또한, 제2광학소자(92)와 제3광학소자(93)는 이동 가능하게 마련된다. 즉, 제2광학소자(92)와 제3광학소자(93)는 축방향을 따라서 상하 방향으로 이동 가능하게 마련된다. 제2광학소자(92)와 제3광학소자(93)를 이동시키기 위한 이송장치(미도시)가 마련될 수 있고, 이송장치(미도시)는 수동 또는 자동으로 구동될 수 있다.
결국, 피측정체(21)에서 인접하는 정렬 마크들(21b, c)간의 간격(t1)이 피측정체(21)에서 인접하는 정렬 마크들(21b, c)간의 간격(t2)으로 변동되더라도 광학부재(90)의 제2광학소자(92) 즉, 제1미러(92)는 축 방향을 따라서 상측으로 이동하고, 제3광학소자(93) 즉, 제2미러(93) 역시 축 방향을 따라서 상측으로 이동한다. 반대로, 피측정체(21)에서 인접하는 정렬 마크들(21b, c)간의 간격(t2)이 피측정체(21)에서 인접하는 정렬 마크들(21b, c)간의 간격(t1)으로 변동되더라도 광학부재(90)의 제1미러(92), 제2미러(93)는 축 방향을 따라서 하측으로 이동한다. 이에 인접하는 정렬 마크들(21b, c)간의 간격이 변경되더라도 정렬장치(250)는 여전히 정렬을 정확하게 수행할 수 있다.
한편, 다른 실시예로, 이송장치(미도시)는 제1광학소자(91)를 이동시키는 것도 가능하다. 이 경우 인접하는 정렬 마크들(21b, c)간의 간격(t2)과 같이 그 간격이 커지는 경우 프리즘(91)은 축 방향을 따라서 하측으로 이동하고, 반대로 인접하는 정렬 마크들(21b, c)간의 간격(t1)과 같이 그 간격이 작아지는 경우 프리즘(91)은 축 방향을 따라서 상측으로 이동한다.
한편, 또 다른 실시예로, 프리즘(91)은, 도 7에 도시된 것처럼, 뒤집어져서 설치될 수 있다. 이 경우 프리즘(91)의 제1반사면(91a)과 제1미러(92)의 제3반사면(92a)은 직교하도록 배치되고, 프리즘(91)의 제2반사면(91b)과 제2미러(93)의 제4반사면(93a)은 직교하도록 배치된다. 정렬광(101b, 101c)은 피라미드 형태로 위치하는 프리즘(91)의 밑변을 투과한 후 제1반사면(91a)과 제2반사면(91b)을 통해 분기될 수 있다.
도 4는 또 다른 실시예에 따른 정렬장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4에 도시된 정렬장치(350)는 도 3에 도시된 정렬장치(250)와 비교하여 다른 부분에 대해서 중점적으로 설명하고, 동일한 부분에 대해서는 되도록 설명을 생략하도록 한다.
도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 정렬장치(350)는 피측정체(21)와, 복수 개의 정렬계(50a, b, c, d), 광학부재(90)를 포함하여 구성될 수 있다.
피측정체(21)에는 복수 개의 정렬 마크(21b, c)가 형성된다.(부호 21a, 21d 생략함.) 제2정렬 마크(21b)와 제3정렬 마크(21c)은 간격(t3)만큼 떨어져 있다. 물론, 이들 사이의 간격(t3)은 제2정렬계(50b)와 제3정렬계(50c) 사이의 간격(T)보다 작게 형성된다.
광학부재(90)는 제1광학소자(91)를 포함한다. 제1광학소자(91)는 제1반사면(91a)과 제2반사면(91b)을 가지는 프리즘(91)으로 형성된다. 다만, 도 2 및 도 3과 다르게, 제2광학소자(92)와 제3광학소자(93)를 포함하지 않을 수 있다. 이에 제2정렬계(50b)와 제3정렬계(50c)는 축방향에 대해 수직으로 배치된다.
이러한 구조를 통하여 광학부재(90)는 제2 및 제3정렬 마크(21b, c)에서 반사되는 정렬광(101b, c)을 분기시켜 제2정렬계(50b)와 제3정렬계(50c)에 전달한다. 즉, 프리즘(91)은 제1반사면(91a)과 제2반사면(91b)을 통하여 제2정렬 마크(21b)와 제3정렬 마크(21c)에서 반사되는 제2정렬광(101b)과 제3정렬광(101c)을 분기시켜 제2정렬계(50b)와 제3정렬계(50c)에 전달한다. 이후 각 정렬계들(50b, c)로 전달되는 정렬광들(101b, c)은 각 이미지 센서(55)에 의해서 촬상된다. 이후 정렬장치(350)는 웨이퍼 스테이지(23)를 이동시켜 정렬 마크들(21a, b, c, d)가 정확하게 위치되도록 조절할 수 있다. 결국 광학부재(90)를 통하여 정렬계들(50b, c)간의 간섭을 제거하면서 매우 좁은 정렬 마크들(21b, c)을 이용하여 정렬을 수행할 수 있다.
한편, 다른 실시예로, 정렬장치(350)는 이송장치(미도시)를 더 포함할 수 있다. 이송장치(미도시)는 제1광학소자(91) 즉, 프리즘(91)을 이동시키는 것도 가능하다. 이 경우 인접하는 정렬 마크들간(21b, c)의 간격이 간격(t4)으로 커지는 경우 프리즘(91)은 축방향을 따라서 하측으로 이동하고, 반대로 인접하는 정렬 마크들(21b, c)간의 간격이 간격(t3)으로 작아지는 경우 프리즘(91)은 축 방향을 따라서 상측으로 이동한다.
한편, 또 다른 실시예로, 프리즘(91)은 뒤집어져서 설치될 수 있다.
도 5는 또 다른 실시예에 따른 정렬장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5에 도시된 정렬장치(450)는 도 3에 도시된 정렬장치(250)와 비교하여 다른 부분에 대해서 중점적으로 설명하고, 동일한 부분에 대해서는 되도록 설명을 생략하도록 한다.
도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 도 5의 정렬장치(450)는 제2정렬계(50b)와 광학부재(90) 사이에는 제4광학소자(94) 즉, 제3미러(94)가 설치되고, 제3정렬계(50c)와 광학부재(90) 사이에도 제5광학소자(95) 즉, 제4미러(95)가 설치된다. 이 경우 제2정렬계(50b)와 제3정렬계(50c)는 축방향에 대해 수직으로 배치된다.
이러한 구조를 통하여 제1광학소자(91) 즉, 프리즘(91)은 제1반사면(91a)과 제2반사면(91b)을 통하여 제2정렬 마크(21b)와 제3정렬 마크(21c)에서 반사되는 제2정렬광(101b)과 제3정렬광(101c)을 분기시키고, 이후 제1미러(92)는 제3반사면(92a)을 통하여 제2정렬광(101b)을 제3미러(94)로 전달하고, 제2미러(93)는 제4반사면(93a)을 통하여 제3정렬광(101c)을 제4미러(95)로 전달한다. 이후 다시 한 번 제3미러(94)는 제5반사면(94a)을 통하여 제2정렬광(101b)을 제2정렬계(50b)로 전달하고, 제4미러(95)는 제6반사면(95a)을 통하여 제3정렬광(101c)을 제3정렬계(50c)로 전달한다. 이후 각 정렬계들(50b, c)로 전달되는 정렬광들은 각 이미지 센서(55)에 의해서 촬상된다. 이후 정렬장치(450)는 웨이퍼 스테이지(23)를 이동시켜 정렬 마크들(21a, b, c, d)이 정확하게 위치되도록 조절할 수 있다. 결국 광학부재(90)를 통하여 정렬계(50b, c)간의 간섭을 제거하면서 매우 좁은 정렬 마크들(21b, c)을 이용하여 정렬을 수행할 수 있다.
도 6은 또 다른 실시예에 따른 정렬장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 정렬장치(550)는 복수 개의 피측정체(21, 22)와, 복수 개의 정렬계(51a, 51b, 52a, 52b), 광학부재(90)를 포함하여 구성될 수 있다.
복수 개의 피측정체(21, 22) 각각은 적어도 하나의 정렬 마크를 포함한다. 도 6은 제1피측정체(21)에 제1정렬 마크(21a)와 제2정렬 마크(21b)가 형성된 것을 나타내고, 제2피측정체(22)에 제1정렬 마크(22a)와 제2정렬 마크(22b)가 형성된 것을 나타내고 있다.
복수 개의 정렬 광학계(51, 52)는 제1정렬 광학계(51)와 제2정렬 광학계(52)를 포함한다. 제1정렬 광학계(51)는 제1정렬 마크(21a)를 측정하기 위한 제1정렬계(51a)와 제2정렬 마크(21b)를 위한 제2정렬계(51b)를 포함하고, 제2정렬 광학계(52)는 제1정렬 마크(22a)를 위한 제1정렬계(52a)와 제2정렬 마크(22b)를 위한 제2정렬계(52b)를 포함한다.
여기서, 제1정렬 광학계(51)의 제2정렬계(51b)와 제2정렬 광학계(52)의 제1정렬계(52a)는 간격(T)만큼 떨어져 있다. 제1피측정체(21)의 제2정렬 마크(21b)와 제2피측정체(22)의 제1정렬 마크(22a)는 간격(t2)만큼 떨어져 있다.
광학부재(90)는 제1광학소자(91)와 제2광학소자(92), 제3광학소자(93)를 포함하여 구성될 수 있다.
제1광학소자(91)는 제1반사면(91a)과 제2반사면(91b)을 가지는 프리즘(91)으로 형성되고, 제2광학소자(92)는 제1반사면(91a)과 대면하는 제3반사면(92a)을 가지는 제1미러(92)로 형성되고, 제2미러(93)는 제2반사면(91b)과 대면하는 제4반사면(93a)을 가지는 제2미러(93)로 형성된다.
이러한 구조를 통하여 광학부재(90)는 복수 개의 정렬 마크(21a, 21b, 22a, 22b)에서 반사되는 정렬광을 분기시켜 복수 개의 정렬계(51a, 51b, 52a, 52b) 각각에 전달한다. 즉, 프리즘(91)은 제1반사면(91a)과 제2반사면(91b)을 통하여 제1피측정체(21)의 제2정렬 마크(21b)와 제2피측정체(22)의 제1정렬 마크(22b)에서 반사되는 제2정렬광(101b)과 제3정렬광(101c)을 분기시키고, 이후 제1미러(92)는 제3반사면(92a)을 통하여 제2정렬광(101b)을 제1정렬 광학계(51)의 제2정렬계(51b)로 전달하고, 제2미러(93)는 제4반사면(93a)을 통하여 제3정렬광(101c)을 제2정렬 광학계(52)의 제1정렬계(52a)로 전달한다. 이후 각 정렬계(51a, 51b, 52a, 52b)로 전달되는 정렬광들(101a, b, ,c, d)은 각 이미지 센서(55)에 의해서 촬상된다. 이후 정렬장치(550)는 웨이퍼 스테이지(23)를 이동시켜 정렬 마크들(21a, 21b, 22a, 22b)이 정확하게 위치되도록 조절할 수 있다. 결국 광학부재(90)를 통하여 정렬계들(51b, 52a)간의 간섭을 제거하면서 매우 좁은 정렬 마크들(21b, 22a)을 이용하여 정렬을 수행할 수 있다.
또한, 정렬장치(550)는 이송장치(미도시)를 더 포함하여 구성될 수 있다. 이송장치(미도시)는 제2광학소자(92)와 제3광학소자(93)가 축방향을 따라서 상하 방향으로 이동 가능하게 마련된다. 이송장치(미도시)는 수동 또는 자동으로 구동될 수 있다.
결국, 인접하는 정렬 마크들(21b, 22a)간의 간격(t1)이 간격(t2)로 변동되더라도 광학부재(90)의 제2광학소자(92) 즉, 제1미러(92)는 축 방향을 따라서 상측으로 이동하고, 제3광학소자(93) 즉, 제2미러(93) 역시 축 방향을 따라서 상측으로 이동한다. 반대로, 인접하는 정렬 마크들(21b, 22a)간의 간격(t2)이 정렬 마크들(21b, 22a)간의 간격(t1)으로 변동되더라도 광학부재(90)의 제1미러(92), 제2미러(93)는 축 방향을 따라서 하측으로 이동한다. 이에 인접하는 정렬 마크들(21b, 22a)간의 간격이 변경되더라도 정렬장치(550)는 여전히 정렬을 정확하게 수행할 수 있다.
10: 노광장치 21: 피측정체
21a, b, c, d: 정렬 마크 30: 조명 광학계
40: 투영 광학계 50: 정렬 광학계
50a, b, c, d: 정렬계

Claims (18)

  1. 복수 개의 정렬 마크를 가지는 피측정체;와
    상기 피측정체의 위치를 측정하도록 복수 개의 정렬계를 가지는 정렬 광학계;와
    적어도 하나의 반사면을 포함하여, 상기 복수 개의 정렬계 중 인접하는 정렬계간의 간격이 상기 복수의 정렬 마크 중 인접하는 정렬 마크간의 간격보다 큰 경우 상기 인접하는 정렬 마크들에서 반사된 정렬광을 상기 적어도 하나의 반사면에서 분기시켜 상기 인접하는 정렬계들 각각으로 전달하도록 배치된 적어도 하나의 광학부재;를 포함하고,
    상기 적어도 하나의 광학부재는 이동 가능하게 마련되는 것을 특징으로 하는 정렬장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 광학부재는,
    서로 직교하는 제1반사면과 제2반사면을 가지는 제1광학소자;와, 상기 제1광학소자의 제1반사면과 대면하는 제3반사면을 가지는 제2광학소자;와, 상기 제1광학소자의 제2반사면과 대면하는 제4반사면을 가지는 제3광학소자;를 포함하는 것을 특징으로 하는 정렬장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 인접하는 정렬계 중 어느 하나와 상기 제2광학소자 사이에는 제5반사면을 가지는 제4광학소자;가 마련되고,
    상기 인접하는 정렬계 중 다른 하나와 상기 제3광학소자 사이에는 제6반사면을 가지는 제5광학소자;가 마련되는 것을 특징으로 하는 정렬장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제1광학소자의 제1반사면과 제2반사면은 각 반사면의 법선과 상기 인접하는 정렬 마크들에서 반사된 정렬광이 예각을 이루도록 배치되는 것을 특징으로 하는 정렬장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 제1광학소자는 프리즘을 포함하는 것을 특징으로 하는 정렬장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 제1광학소자는 대칭되게 배치되는 2개의 미러;를 포함하는 것을 특징으로 하는 정렬장치.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 제2광학소자는 미러를 포함하는 것을 특징으로 하는 정렬장치.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 제3광학소자는 미러를 포함하는 것을 특징으로 하는 정렬장치.
  9. 제2항에 있어서,
    상기 제1광학소자는 상기 복수 개의 정렬 마크들간의 간격이 변동되는 경우에도 측정이 가능하도록 축방향으로 이동 가능하게 마련되는 것을 특징으로 하는 정렬장치.
  10. 제2항에 있어서,
    상기 제2광학소자와 제3광학소자는 상기 복수 개의 정렬 마크들간의 간격이 변동되는 경우에도 측정이 가능하도록 축방향으로 이동 가능하게 마련되는 것을 특징으로 하는 정렬장치.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서,
    상기 제1광학소자와 제2광학소자, 제3광학소자를 이동시키는 이송장치;를 더 포함하고,
    상기 이송장치는 수동 또는 자동으로 동작 하는 것을 특징으로 하는 정렬장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 복수 개의 정렬계 각각은 저배율과 고배율의 조합으로 구성되며 정렬계 렌즈 끝에서부터 피측정체까지의 동작거리를 가지는 것을 특징으로 하는 정렬장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 피측정체가 놓여지는 스테이지;와, 상기 스테이지를 이동시키는 구동유닛;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정렬장치.
  14. 적어도 하나의 정렬 마크를 가지는 제1피측정체;와
    적어도 하나의 정렬 마크를 가지는 제2피측정체;와
    상기 제1피측정체의 위치를 측정하는 제1정렬 광학계;와
    상기 제2피측정체의 위치를 측정하는 제2정렬 광학계;와
    적어도 하나의 반사면을 포함하고, 상기 제1정렬 광학계와 제2정렬 광학계간의 간격이 상기 제1피측정체와 제2피측정체의 정렬 마크들간의 간격보다 큰 경우 상기 제1피측정체와 제2피측정체의 정렬 마크들에서 반사된 정렬광을 상기 적어도 하나의 반사면에서 분기시켜 상기 제1정렬 광학계와 제2정렬 광학계 각각으로 전달하도록 구성된 적어도 하나의 광학부재;를 포함하고,
    상기 적어도 하나의 광학부재는 이동 가능하게 마련되는 것을 특징으로 하는 정렬장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 광학부재는,
    서로 직교하는 제1반사면과 제2반사면을 가지는 제1광학소자;와, 상기 제1광학소자의 제1반사면과 대면하는 제3반사면을 가지는 제2광학소자;와, 상기 제1광학소자의 제2반사면과 대면하는 제4반사면을 가지는 제3광학소자;를 포함하는 것을 특징으로 하는 정렬장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1광학소자는 상기 제1피측정체와 제2피측정체간의 간격이 변동되는 경우에도 측정이 가능하도록 축방향으로 이동 가능하게 마련되는 것을 특징으로 하는 정렬장치.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 제2광학소자와 제3광학소자는 상기 제1피측정체와 제2피측정체간의 간격이 변동되는 경우에도 측정이 가능하도록 축방향으로 이동 가능하게 마련되는 것을 특징으로 하는 정렬장치.
  18. 제14항에 있어서,
    상기 제1 및 제2정렬 광학계 각각은 저배율과 고배율의 조합으로 구성되며 정렬계 렌즈 끝에서부터 피측정체까지의 동작거리를 가지는 것을 특징으로 하는 정렬장치.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6228420B2 (ja) * 2013-10-08 2017-11-08 キヤノン株式会社 検出装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法
CN106415193B (zh) * 2014-03-21 2019-08-09 卡尔佩迪姆技术有限公司 用于在柔性基板上制造微型结构的系统和方法
KR20160121206A (ko) 2015-04-10 2016-10-19 삼성전자주식회사 오버레이 에러의 검출 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
JP6804769B2 (ja) * 2015-12-28 2020-12-23 合同会社日本理化学開発 生死菌の状態判定装置、及び同装置を用いた生死菌状態判定方法
CN107664833B (zh) * 2016-07-29 2020-10-16 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种用于基片对准的机器视觉系统及对准装置
KR102203005B1 (ko) * 2016-08-30 2021-01-14 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 위치 센서, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
US10817999B2 (en) * 2017-07-18 2020-10-27 Kla Corporation Image-based overlay metrology and monitoring using through-focus imaging
WO2020182488A1 (en) 2019-03-13 2020-09-17 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, metrology apparatus, optical system and method
KR20210147314A (ko) * 2020-05-28 2021-12-07 삼성전자주식회사 마이크로 led 전사 장치 및 이를 이용한 마이크로 led 전사 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5231471A (en) 1986-03-25 1993-07-27 Canon Kabushiki Kaisha Alignment and exposure apparatus
JP2001514804A (ja) * 1997-12-29 2001-09-11 エイエスエム リトグラフィー ベスローテン フエンノートシャップ 整列装置およびそのような装置を含むリソグラフィー装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5137363A (en) * 1986-06-04 1992-08-11 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
NL9001611A (nl) * 1990-07-16 1992-02-17 Asm Lithography Bv Apparaat voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat.
JPH07230948A (ja) * 1994-02-18 1995-08-29 Nok Corp マスクアライナ
KR0174486B1 (ko) 1995-09-28 1999-02-01 이해규 노광 장비에서 시시디 카메라를 이용한 정렬 장치
JP4146673B2 (ja) 2002-06-18 2008-09-10 株式会社 液晶先端技術開発センター 露光方法及び装置
US8982322B2 (en) 2006-03-17 2015-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
JP5283928B2 (ja) 2008-02-28 2013-09-04 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置及びデバイス製造方法
US8786054B2 (en) * 2009-11-16 2014-07-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Structure for integrated circuit alignment
US8691124B2 (en) * 2009-11-24 2014-04-08 Asml Netherlands B.V. Alignment and imprint lithography

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5231471A (en) 1986-03-25 1993-07-27 Canon Kabushiki Kaisha Alignment and exposure apparatus
JP2001514804A (ja) * 1997-12-29 2001-09-11 エイエスエム リトグラフィー ベスローテン フエンノートシャップ 整列装置およびそのような装置を含むリソグラフィー装置

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