KR910016959A - 진공내에서 재료를 증발시키는 장치 및 방법 - Google Patents

진공내에서 재료를 증발시키는 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR910016959A
KR910016959A KR1019910003358A KR910003358A KR910016959A KR 910016959 A KR910016959 A KR 910016959A KR 1019910003358 A KR1019910003358 A KR 1019910003358A KR 910003358 A KR910003358 A KR 910003358A KR 910016959 A KR910016959 A KR 910016959A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
target
arc
laser
vapor cloud
electron
Prior art date
Application number
KR1019910003358A
Other languages
English (en)
Inventor
베르그만 에릭
루디기르 헬무트
Original Assignee
에. 하이펠리, 우. 베그만
발체르스 악티엔게젤샤프트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=25890680&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR910016959(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Priority claimed from DE19904006456 external-priority patent/DE4006456C1/de
Application filed by 에. 하이펠리, 우. 베그만, 발체르스 악티엔게젤샤프트 filed Critical 에. 하이펠리, 우. 베그만
Publication of KR910016959A publication Critical patent/KR910016959A/ko

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/32Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
    • C23C14/325Electric arc evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/28Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/28Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
    • C23C14/30Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

진공내에서 재료를 증발시키는 장치 및 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 스파크 방전장치와 전자총이 달린 고진공장치를 도시한 도면, 제2도는 실시예 4 및 5를 실시하는데 적합한 본 발명에 의한 장치를 개략적으로 도시한 도면.

Claims (21)

  1. 표면중 적어도 일부가 증발될 재료가 제공되는 표적물이 달린 아크에 의하여 진공속에서 재료를 증발시키는 장치로서, 아크방전이 아크전류의 대부분이 적어도 표적물 표면상의 작은 반점을 통하여 흐르고, 이러한 표적물이 스파크 또는 아크의 음극으로서 접속되는 영역내에서 행하여지는 장치에 있어서, 표적물의 표면에 국소적인 증기구름을 생기게 하는 전자총(5) 또는 레이저와 전자선이나 레이저 광선을 표적물의 표면을 거쳐 안내함으로써 아크의 수직선 발을 고정시키고,안내될 수 있게 하는 수단이 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  2. 제1항에 있어서, 레이저의 대물렌즈가 레이저 광선이 표적물의 표면에 안내될 수 있게 가동적으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제1항 또는 제2항 중 한항에 있어서, 레이저 광선이 표적물의 표면으로 안내되도록 레이저의 촛점을 이동할 수 있게 가동거울이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 한항에 있어서, 표적물이 이동할 수 있게 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  5. 표적물에서 증발아크를 점화시키기 위한 장치로서, 아크를 점화시키기에 충분한 미리 용해된 반점이나, 국소적인 증기구름을 표적물의 표면중 작은 영역에 걸쳐 생기게 하거나 형성시키는 전자총 또는 레이저가 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 제1항 내지 제5항에 있어서, 레이저 렌즈의 촛점폭이 40mm 이상인 것을 특징으로 하는 장치.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서, 펄스식 레이저에 의하여 아크를 점화시키는 것을 특징으로 하는 장치.
  8. 표면중 적어도 일부에 증발될 재료가 제공되어 있는, 음극으로서 접속된 표적물에서 아크에 의하여 전공내의 재료를 증발시키는 방법으로서, 아크방전이 아크전류의 대부분이 표적물 표면상의 적어도 작은 반점을 통하여 흐르게 하는 방법에 있어서, 전자총이나 레이저를 이용하여 표적물의 표면에 국소적인 증기구름을 생기게 함으로써, 아크 또는 스파크의 수직선 발이 이러한 증기구름속에 고정되어 증기구름과 함께 안내될 수 있게 하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제8항에 있어서, 증기구름 아래로, 표적물 표면 위에 풀(pool)이 생기는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서, 전자선이나 레이저 광선을 표적물의 표면으로 안내하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제8항 내지 제10항중 한항에 있어서, 시간평균내에서 아크방전의 동작출력이 전자총이나 레이저의 동작출력을 초과하거나, 아크방전의 아크에 의하여 재료를 증발시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제8항 또는 제11항중 한항에 있어서, 전자선 또는 레이저 광선의 에너지 밀도를 방전전압이 10 내지 15볼트에 지나지 아니할 때 방전전류가 30암페어 이상이 될 수 있도록 조절하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 표적물에서 증발전호를 점화시키는 방법으로서, 전자총이나 레이저에 의하여 표면물의 표면에, 스파크 또는 아크를 점화시키기에 충분한 미리 용융된 반점을 생기게 하거나, 표적물의 표면중 작은 영역에 걸쳐 국소적인 증기구름이 생기게 하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제13항에 있어서, 점화반점의 크기를 전자총을 사용하는 때에는 10㎟, 특히 1㎟ 보다 더 작게 선택하고, 레이저를 사용하는 때에는, 0.3㎟, 특히 0.1㎟ 보다 더 작게 선택하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서, 아크의 점화를 적어도 거의 규칙적으로 반복하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제8항 내지 제15항 중 한항에 있어서, 표적물에 걸쳐 놓여있는 증기 공간내에, 희유기체, 산소, 질소, 기체상의 탄소 화합물, 기체상의 금속유기 화합물 또는 기체상의 붕소함유 화합물 등으로 구성된 희석공기를 유지하는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제9항 내지 제16항중 한항에 있어서, 표적물의 표면이 용해되기 쉬운 재료로 구성되어 있고, 전자선이나 레이저선이 너무 촛점이 맞지 아니하기 때문에, 풀이 아크방전의 수직선발 둘레에 언제나 깔때기를 형성하고, 그 저부에는 언제나 액상 표적재료가 흘러들어서 아크가 안내없이 고정되게 하는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제8항 내지 제17항중 한항에 있어서, 전자선이나 레이저 촛점을 신속히 이동시킴으로서 아크방전의 수직선발의 고유운동을 저지하는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 다수의 표적물을 하나의 광선으로 순차적으로 점화시키기 위하여 제13항 내지 제15항 중 한항에 의한 방법의 응용.
  20. 플라즈마 아크로 기질을 증발시키기 위하여 제8항 내지 제18항중 한항에 의한 방법의 응용.
  21. 제20항에 있어서, 증발공간내에 질소화합물, 산소화합물 또는 기체상의 탄소화합물을 함유한 공기를 유지하고, 이러한 공기가 표면에 있는 응결성 재료와 반응하여 적어도 부분적으로 탄화물, 산화물, 질화물 또는 그 혼합물이 되는 것을 특징으로 하는 응용.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910003358A 1990-03-01 1991-02-28 진공내에서 재료를 증발시키는 장치 및 방법 KR910016959A (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4006458 1990-03-01
DEP4006456.5 1990-03-01
DEP4006458.1 1990-03-01
DE19904006456 DE4006456C1 (en) 1990-03-01 1990-03-01 Appts. for vaporising material in vacuum - has electron beam gun or laser guided by electromagnet to form cloud or pre-melted spot on the target surface

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR910016959A true KR910016959A (ko) 1991-11-05

Family

ID=25890680

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910003358A KR910016959A (ko) 1990-03-01 1991-02-28 진공내에서 재료를 증발시키는 장치 및 방법

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP0444538B2 (ko)
JP (1) JPH0641727A (ko)
KR (1) KR910016959A (ko)
AT (1) ATE146010T1 (ko)
DE (1) DE59108387D1 (ko)
ES (1) ES2095880T3 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100426658B1 (ko) * 2002-01-31 2004-04-13 한국수력원자력 주식회사 소형 전자총을 이용한 코팅장치

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0641727B2 (ja) * 1990-11-29 1994-06-01 晏弘 奥田 内燃機関の消音器
CH683776A5 (de) * 1991-12-05 1994-05-13 Alusuisse Lonza Services Ag Beschichten einer Substratfläche mit einer Permeationssperre.
DE4427585A1 (de) * 1994-08-04 1996-02-08 Leybold Ag Beschichtungsanlage zum Beschichten eines Substrates
JP2010248574A (ja) * 2009-04-16 2010-11-04 Ulvac Japan Ltd 蒸着装置及び蒸着方法。
US20150371833A1 (en) * 2013-01-22 2015-12-24 Nissin Electric Co., Ltd. Plasma device, carbon thin film manufacturing method and coating method using plasma device
DE102019135749B4 (de) * 2019-12-23 2024-02-08 Ri Research Instruments Gmbh Lichtbogen-Beschichtungsanordnung und Verfahren

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH645137A5 (de) * 1981-03-13 1984-09-14 Balzers Hochvakuum Verfahren und vorrichtung zum verdampfen von material unter vakuum.
US4829153A (en) * 1986-04-28 1989-05-09 Battelle Memorial Institute Welding arc initiator
DD272666B5 (de) * 1988-05-31 1995-09-21 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Herstellung von Mehrfachschichten mittels Vakuum-Lichtbogenverdampfer
DE3901401C2 (de) * 1988-03-01 1996-12-19 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Steuerung einer Vakuum-Lichtbogenentladung
DD275883B5 (de) * 1988-09-29 1995-10-19 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur homogenen Schichtabscheidung mittels Bogenentladung
DD277472B5 (de) * 1988-11-30 1996-01-25 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum Betreiben eines Vakuum-Bogenentladungsverdampfers

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100426658B1 (ko) * 2002-01-31 2004-04-13 한국수력원자력 주식회사 소형 전자총을 이용한 코팅장치

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0641727A (ja) 1994-02-15
ATE146010T1 (de) 1996-12-15
EP0444538A2 (de) 1991-09-04
DE59108387D1 (de) 1997-01-16
EP0444538A3 (en) 1992-02-05
EP0444538B2 (de) 2002-04-24
EP0444538B1 (de) 1996-12-04
ES2095880T3 (es) 1997-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3303319A (en) Method and apparatus for the working of material by radiant energy
US7173252B2 (en) Ionizer and method for gas-cluster ion-beam formation
US3214563A (en) Electrical drilling
MacGill et al. Streaming metal plasma generation by vacuum arc plasma guns
US4619691A (en) Method of manufacturing ultra-fine particles
KR890012360A (ko) 이온 주입 표면의 충전조절방법 및 장치
JPS6036468B2 (ja) 真空ア−クプラズマ装置
KR910016959A (ko) 진공내에서 재료를 증발시키는 장치 및 방법
DE4026494A1 (de) Vorrichtung zur materialverdampfung mittels vakuumlichtbogenentladung und verfahren
US5238546A (en) Method and apparatus for vaporizing materials by plasma arc discharge
US2736809A (en) Ion generator and projector
ATE129093T1 (de) Verfahren und vorrichtung zur materialverdampfung in einem vakuumbehälter.
Witke et al. Investigation of plasma produced by laser and electron pulse ablation
US3517240A (en) Method and apparatus for forming a focused monoenergetic ion beam
JPH0715839B2 (ja) 高速原子線放射装置
Puchkarev et al. High current density spotless vacuum arc as a glow discharge
SU854197A1 (ru) Источник отрицательных ионов
RU2111098C1 (ru) Способ электродуговой плазменной сварки металлов
RU15553U1 (ru) Электронно-лучевая пушка
Mesyats Ectons in electric discharges
Deng et al. Generation of Preformed Plasma Channel for GeV-Scaled Electron Accelerator by Ablative Capillary Discharges
SU1463051A1 (ru) Источник ионных пучков
Hoshi et al. Application of laser-guided discharge to processing.
JP3490770B2 (ja) ターゲット装置及びx線レーザ装置
NO140166B (no) Aal skoeyte med utskiftbare og lengdeveis forskyvbare skoeytest

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid