KR910013604A - Bi계 초전도체 후막과 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

Bi계 초전도체 후막과 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (5)

  1. 침지-용융법(Dip-melting method)을 이용하여 제조된 Bi계 초전도체 후막에 있어서, Bi2O3, PbO, SrCO3, CaCO3및 CuO 원료로 이루어져 있되 그 성분이 Bi1.6, Pb0.4, Sr1.8, Ca2.2, Cu3.6, Oy의 구조식을 갖는 것을 특징으로 하는 Bi계 초전도체후막.
  2. 침지-용융법(Dip-melting method)을 이용하여 Bi계 초전도체 후막을 제조함에 있어서, Bi2O3, PbO, SrCO3, CaCO3및 CuO의 원료성분을 혼합시키되, Bi:Pb:Sr:Ca:Cu=1.4∼2.0:0.3∼0.6:1.6∼2.0:2.0∼2.4:3.0∼3.4의 몰비율로 혼합시킨 후 하소시키고, 이하 소분말을 용매 중에 혼합시킨 다음, 이 혼합슬러리에다 기판을 침지시킨 뒤 용융시켜서 막을 형성시키고, 이를 열처리시켜서 초전도상의 후막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 Bi계 초전도체후막의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 용매로는 아세톤을 사용하여서 됨을 특징으로 하는 초전도체 후막의 제조방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 침지된 기판의 용융은 침지된 상태에서 900℃∼1000℃의 온도로 5분∼30분 동안 용융시켜서 됨을 특징으로 하는 초전도체 후막의 제조방법.
  5. 제2항에 있어서, 상기 열처리는 840℃∼855℃의 온도로 공기 분위기 하에서 50∼80시간 동안 시행하여서 됨을 특징으로 하는 초전도체 후막의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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