KR910013604A - Bi계 초전도체 후막과 그 제조방법 - Google Patents
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Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (5)
- 침지-용융법(Dip-melting method)을 이용하여 제조된 Bi계 초전도체 후막에 있어서, Bi2O3, PbO, SrCO3, CaCO3및 CuO 원료로 이루어져 있되 그 성분이 Bi1.6, Pb0.4, Sr1.8, Ca2.2, Cu3.6, Oy의 구조식을 갖는 것을 특징으로 하는 Bi계 초전도체후막.
- 침지-용융법(Dip-melting method)을 이용하여 Bi계 초전도체 후막을 제조함에 있어서, Bi2O3, PbO, SrCO3, CaCO3및 CuO의 원료성분을 혼합시키되, Bi:Pb:Sr:Ca:Cu=1.4∼2.0:0.3∼0.6:1.6∼2.0:2.0∼2.4:3.0∼3.4의 몰비율로 혼합시킨 후 하소시키고, 이하 소분말을 용매 중에 혼합시킨 다음, 이 혼합슬러리에다 기판을 침지시킨 뒤 용융시켜서 막을 형성시키고, 이를 열처리시켜서 초전도상의 후막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 Bi계 초전도체후막의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 용매로는 아세톤을 사용하여서 됨을 특징으로 하는 초전도체 후막의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 침지된 기판의 용융은 침지된 상태에서 900℃∼1000℃의 온도로 5분∼30분 동안 용융시켜서 됨을 특징으로 하는 초전도체 후막의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 열처리는 840℃∼855℃의 온도로 공기 분위기 하에서 50∼80시간 동안 시행하여서 됨을 특징으로 하는 초전도체 후막의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR0149005B1 KR0149005B1 (ko) | 1998-10-01 |
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1989
- 1989-12-04 KR KR1019890017860A patent/KR0149005B1/ko not_active IP Right Cessation
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KR0149005B1 (ko) | 1998-10-01 |
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