KR910008907A - 전원공급장치에 연결되는 공진부하를 구동하는 모놀리식 반도체 전원장치의 출력전압을 제한하기 위한 회로 - Google Patents

전원공급장치에 연결되는 공진부하를 구동하는 모놀리식 반도체 전원장치의 출력전압을 제한하기 위한 회로 Download PDF

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KR910008907A
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파라라 세르기오
파파로 마리오
펠리카노 로베르토
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산토 푸졸로, 기우셉페 페를라
에스지에스-톰손 마이크로일렉트로닉스 에스.알.엘
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Abstract

내용 없음.

Description

전원공급장치에 연결되는 공진부하를 구동하는 모놀리식 반도체 전원장치의 출력전압을 제한하기 위한 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 제어회로와 전원장치. 그리고 전원장치의 상응하는 구동되는 부하의 다이아그램.
제2도는 제1도의 회로 다이아그램의 부분적 회로 실시예를 나타내는 도면.
제3도는 제어회로와 전원장치 부분의 집적회로 형태의 실시예를 나타내는 도면.
제4도는 제어회로와, 본 발명에 따른 제어회로가 결합된 전원장치의 회로 실시예를 나타내는 도면.

Claims (9)

  1. 전원공급 장치에 연결되는 공진부하를 구동하는 모놀리식 반도체 전원장치의 출력전압을 제한하기 위한 회로에 있어서, 상기 출력전압(Vc)과 예정된 기준전압(Vrif)을 비교하기에 적당한 비교기(B)를 포함하고, 상기 출력전압(Vc)은 그 출력전압(Vc)이 상기 기준 전압(Vrif)과 대략 같은 값에서 유지되도록 부하에 전류를 공급하기 위해 상기 기준전압(Vrif)바로 밑에 있어야 하는 것을 특징으로 하는 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 비교기(B)의 출력(U)과 부하(L)사이에는 다이오드(D1)가 존재하는 것을 특징으로하는 회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 비교기(B)는 바이폴라 요소로 성취되는 것을 특징으로 하는 회로.
  4. 제2항에 있어서, 상기 비교기(B)는 MOS요소로 성취되는 것을 특징으로 하는 회로.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 기준전압(Vrif)은 접지와 비교기(B)의 입력(V1)사이에 존재하며, 상기 기준전압(Vrif)이 전원장치(T5, T6)의 -Vbe로 부터 Vsat까지의 범위에 존재하게 하는 그러한 크기로 이루어지는 일련의 다이오드(D3, D4, D5: D3, D4, D5, D6)로 얻어지는 것을 특징으로 하는 회로.
  6. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 기준전압(Vrif)은 그 기준전압이 전원장치의 -Vbe로 부터 Vsat까지의 범위에 존재하며 그 범위내에서 연속적으로 변할 수 있는 그러한 크기의 전압분할기(R12, R7,T11)로 얻어지는 것을 특징으로 하는 회로.
  7. 제3항에 있어서, 상기 회로는 스위치 오프단계 동안 출력 전압의 클리핑 작용을 향상시키는데 적당한 능동요소(T10, T16)와 저항(R3, R9, R8)를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로.
  8. 제7항에 있어서, 상기 저항(R2, R8)은 전류의 절약을 확실케 하는데 적당한 전류 발생기(G1) 및 트랜지스터(T12)로 각각 교체될 수 있는 것을 특징으로 하는 회로.
  9. 제1항에 있어서, 상기 회로는 상기 출력전압(Vc)이 접지전위 아래로 떨어질려 할때 전원장치(A:T5, T6:M30)의 제어전극으로 전류를 주입하는데 적당한 수단(F)을 포함하고, 상기 비교기(B)의 출력(U)은 부하(L)에 직접 연결되고, 그리고 상기 기준전압(Vrif)은 그 기준전압이 전원장치(A:T5, T6;M30)의 -Vbe 및 Vbe로 부터 변화하도록 선택되는 것을 특징으로 하는 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900017125A 1989-10-24 1990-10-24 전원공급장치에 연결되는 공진부하를 구동하는 모놀리식반도체 전원장치의 출력전압을 제한하기 위한 회로 KR100213582B1 (ko)

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