KR910003848A - 개선된 컴퓨터제어를 이용한 광반사에 의한 재료의 특성을 결정하는 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

개선된 컴퓨터제어를 이용한 광반사에 의한 재료의 특성을 결정하는 방법 및 장치.
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 장치의 정확도와 성능을 향상시키기 위해 광반사를 컴퓨터제어와 결합하여 이용하는 본 발명에 따른 장치의 블록 다이아그램.

Claims (12)

  1. 단색광원수단, 단색광을 시험될 샘플로 향하게 하는 수단, 에너지 비임을 변조하기 위한 변조수단을 포함하는 샘프롤 상기 비임을 향하게 하는 펌프비임수단, 샘플로부터의 비흡수된 변조된 비임의 적어도 일부와 비흡수된 단색광의 적어도 일부를 출력에서 d,c. 신호와 a,c. 신호를 만들어내도록 작동할 수 있는 검출기로 향하게 하는 수단, 컴퓨터수단, 검출기수단으로부터의 d,c. 신호를 컴퓨터수단의 입력에 제공하는 수단, 입력에서 검출기수단으로부터의 a,c. 신호을 수신하고, 출려기 컴퓨터수단의 다른 입력에 작동적으로 연결되는 록인 증폭기 수단, 그리고 d,c. 신호를 예정된 값에서 사실상 일정하게 유지시킴으로서 소정의 실험의 동작조건을 사실상 일정하게 유지하기 위한 것으로, 샘플에 충돌하는 단색광의 광의 세기를 변화시키기 위한 가변수단과 컴퓨터수단으로부터의 출력에 의해 가변수단을 제어하는 작동수단을 포함하고, 컴퓨터수단의 작동에 의해 상기 작동수단과 가변수단이 예정된 속도에서 작용하여 상기 예정된 값을 성취하기 위한 서보제어수단으로 구성되는 광반사에 의한 재료의 특성 결정용장치.
  2. 제1항에 있어서, 컴퓨터수단은 작동수단 및 가변수단으로 하여금 초기에 비교적 빠르게 상기 예정된 값을 재확립하는 쪽으로 작용하게 한 후 상기 작동수단의 더 느린 작동에 의해 적어도 상기 예정된 값을 성취하게 하도록 작동할 수 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 단색광의 파장은 컴퓨터수단에 의해 변화되고, 변조수단의 변조주파수도 컴퓨터 수단에 의해 변화되고, 그리고 작동수단은 컴퓨터수단에 의해 제어되는 스텝모우터를 포함하고, 단색광의 파장을 변화시키는 수단도 컴퓨터수단에 의헤 제어되며 단색광의 파장을 변화시키도록 작동하는 스텝모우터를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서, 단색광의 광의 세기의 변화로, 컴퓨터는 작동수단의 스텝모우터로 하여금 그때 만들어진 그것의 예정된 값을 갖는 d.c 신호와의 사이에 다시 비교가 이루어지기 전에 어떤 정해진 수의 스텝의 증가로 작용하게 한 후, 상기 예정된 값이 스텝모우터의 복수의 스텝 이동에 의해 초과된 후 스텝모우터의 역회전작용과 예정된 값이 적어도 대략 성취될때까지 한 스텝의 스텝모우터의 작동에 의해 미세조정이 성취될때까지 복수의 스텝작동을 반복하도록 동작할 수 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  5. 제1항 내지 제4항중 어느 한 항에 있어서, 컴퓨터 수단은 장치의 데이터 취득중에는 서보제어수단의 동작을 중지시키기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  6. a) 단색광의 프로브비임을 특성이 결정되어야 할 재료샘플로 향하게 하고, b) 펌프소오스로부터의 변조된 펌프비임을 재료 샘플로 향하게 하여 전계 변조하고, c) 샘플로부터 반사되거나 샘플에 의해 의해 투과된 광을 d, c, 신호와, (ⅰ) 펌프소오스로부터의 확산 반사된 빛 및/또는 검출기에 도달하는 펌프 빛에 의해 만들어지는 포토루미네슨스에 의해 만들어지는 의사신호와 (ⅱ) 실제신호를 포함하는 a,c, 신호를 만들어내는 검출기에 모우고, d) 실제 신호로부터 의사신호를 뺌으로서 과정을 정규화하는 단계들로 이루어지는 광반사에 의해 재료, 특히 반도체, 반도체 헤테로구조 그리고 반도체 계면의 특성을 결정하는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 단계(d)는 샘플에 도달하는 단색광의 세기를 단색광의 소정의 파장에서 최소로 세팅하고, 검출기의 출력을 수신하는 록인 증폭기의 입력에 나타내는 펌프비임의 절대 위상을 결정키위해 얻어진 의사신호를 분석하고, 록인 증폭기를 광펌프에 관련해 정확한 위상으로 세팅하고, 그리고 록인증폭기의 제로세팅을 변화시켜 의사신호를 오프세팅하는 것에 의해 성취되는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서, 정규화 과정은 큰 의사신호의 경우에 여러 가지 다른 프로브비임에서 반복되는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제6항, 제7항 또는 제8항중 어느 한 항에 있어서, 데이터는 패스트푸리에 변형에 의해 신호대 접음비를 개선하도록 변형되고, 도함수 및 적분이 신호분석을 용이하게 하기 위해 데이터로부터 만들어지고, 그리고 데이터에 대한 라인형태 적합화가 스펙트럼 특징의 광자에너지, 스펙트럼 특징의 라인폭 및/또는 진폭 및 위상과 같은 파라매터를 얻어내기 위해 실행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. a) 프로브광의 단색비임을 성장환경내에 있는 재료로 향하게 하고, b) 변조된 펌프비임을 재료로 향하게 하고 c) 제조되는 재료의 특성, 수율 및/또는 조성을 제어하는데 이용하기 위한 재료의 특성을 결정하기 위해 재료로부터 반사된 신호를 분석하는 단계로 이루어지며, 재료의 제조의 적어도 일부동안 특히 성장상태하에서 재료의 원위치 감시를 연속적으로 허여하는, 박막기술에 의해 만들어지는 반도체, 반도체 헤테로 구조 및 반도체 계면과 같은 재료의 제조를 원위치 감시하는 방법.
  11. a) 단색광의 프로브비임을 특성이 결정되어야할 재료샘플로 향하게 하고, b) 펌프소오스로부터의 변조된 펌프비임을 재료샘플로 향하게 하여 샘플를 전계변조하고, c) 샘플로부터 반사된 빛 또는 샘플에 의해 투과된 빛을 d,c. 신호와 (ⅰ) 펌프소오스로부텅의 확산 반사된 빛 및/또는 검출기에 도달하는 펌프빛에 의해 만들어지는 포토루미네슨스에 의해 만들어지는 의사신호와 (ⅱ) 실제 신호를 포함하는 a,c. 신호를 만들어내는 검출기에 모우고, d) 컴퓨터 제어하에서 실제 신호로부터 의사신호를 뺌으로서 과정을 정규화하고, 그리고 e) 온도, 합금조성 및 스트레스와 같은 여러 가지 파라매터의 정보가 얻어질 수 있도록 각각의 에너지갭의 위치를 측정하여 에너지 밴드갭을 분석하는 단계로 이루어지는, 반도체 재로의 MBE 및 MOCVD성장온도에 상응하는 온도와 같은 상승된 온도에서 그리고 원위치에서 실행될 수 있는 반도체재료의 성장 상태를 결정하는 방법.
  12. a) 단색광의 프로브비임을 특성이 결정되야할 재료 샘플로 향하게 하고, b) 펌프소오스로부터의 변조된 펌프비임을 재료샘플로 향하게 하여 샘플을 전계변조하고, c) 샘플로부터 반사된 빛 또는 샘플에 의해 투과된 빛을 d,c. 신호와 a,c. 신호를 만들어내는 검출기에 모우고 d) 복수의 트랩상태에 대한 정보르 포함하는 트랩시간에 대한정보를 얻도록 펌프변조주파수에 대한 동상 광반사 신호의 의존성을 특히 컴퓨터제어로 결정하는 단계들로 이루어지는 특히 반도체 및 반도체 헤테로구조으이 계면에서의 트랩시간에 대한 정보를 얻는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900011035A 1989-07-20 1990-07-20 개선된 컴퓨터제어를 이용한 광반사에 의한 재료의 특성을 결정하는 방법 및 장치 KR910003848A (ko)

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