Claims (3)
스택 캐패시터를 가지는 디램쎌의 제조방법에 있어서, 제1도 전형의 반도체기판 표면의 일 부분에 두꺼운 필드 산화막을 형성하고 상기 필드산화막이 형성되어 있지 않는 반도체기판 표면에 얇은 게이트 산화막을 형성하며 상기 필드 산화막과 게이트산화막 상부에 게이트들을 형성하고 제1도 전형과 반대 도전형인 제2도전형의 불순물을 주입하여 이온주입영역을 형성하는 제1공정과, 상기 게이트들, 필드산화막 및 게이트산화막 상부 전면에 절연막 및 제1다결정 실리콘을 연속적으로 형성하고 상기 절연박 형성과 동시에 이온주입영역이 확산 되어 소오스 및 드레인 영역을 형성하며 상기 소오스영역 상부의 제1다결정 실리콘 가로방 향으로 길게 식각하여 제1개구를 형성하는 제2공정과, 상기 소오스영역 상부의 절연막과 게이트 산화막을 제1개구와 직교되도록 길게 식각하여 제2개구를 형성하는 제3공정과, 상기 제1다결정 실리콘, 절연막 및 노출된 기판에 걸쳐 제2다결정 실리콘을 선택적으로 형성하는 제4공정을 구비한다.A method for manufacturing a DRAM having a stacked capacitor, the method comprising: forming a thick field oxide film on a portion of a surface of a semiconductor substrate of a first type typical type and forming a thin gate oxide film on a surface of a semiconductor substrate on which the field oxide film is not formed; A first process of forming gates on the oxide film and the gate oxide film, and implanting an ion implantation region by implanting impurities of a second conductivity type opposite to the first conductivity type and on the entire upper surface of the gates, the field oxide film, and the gate oxide film; The insulating film and the first polycrystalline silicon are continuously formed, and at the same time as the insulating foil is formed, ion implantation regions are diffused to form source and drain regions, and the first opening is etched by elongating in the horizontal direction of the first polycrystalline silicon on the source region. Forming a second step, and forming an insulating film and a gate oxide film over said source region, And a third step of forming a second opening by etching long enough to be orthogonal, and a fourth step of selectively forming second polycrystalline silicon over the first polycrystalline silicon, the insulating film, and the exposed substrate.
제1항에 있어서, 제1 및 제2개구가 직교하여 형성되는 영역이 콘택영역임을 특징으로 하는 디램쎌의 제조방법.The method of claim 1, wherein the region where the first and second openings are orthogonal is a contact region.
제1항에 있어서, 제1 및 제2다결정 영역이 스토리지 폴리층임을 특징으로 하는 디램쎌의 제조방법.The method of claim 1, wherein the first and second polycrystalline regions are storage poly layers.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.