Claims (12)
절연기판과; 상기 정연기판상에 형성되고, 게이트전극과, 미정질 실리콘으로 형성된 반도체층과, 상기 게이트 전극과 상기 반도체층사이에 형성된 게이트 절연막으로 이루어진 적층과, 상기 반도체층상에 상호간 적당한 간격을 두고 형성되는 소스전극 및 드레인전극을 포함하는 박막 트랜지스터.An insulating substrate; A source electrode formed on the substrate and formed of a gate electrode, a semiconductor layer formed of microcrystalline silicon, a gate insulating film formed between the gate electrode and the semiconductor layer, and a source electrode formed on the semiconductor layer at appropriate intervals. And a drain electrode.
제1항에 있어서, 상기 소스전극과 상기 반도체층사이에 형성된 제1접촉층과, 상기 드레인전극과 상기 반도체층 사이에 형성된 제2접촉층을 포함하는 박막트랜지스터와 그의 제조방법.The thin film transistor of claim 1, further comprising a first contact layer formed between the source electrode and the semiconductor layer, and a second contact layer formed between the drain electrode and the semiconductor layer.
제1항에 있어서, 상기 게이트전극은 상기 절연기판의 측면에 형성되고, 상기 소스전극 및 상기 드레인전극은 상기 반도체상에 직접 형성되고 상기 소스전극 및 상기 드레인 전극 사이에는 상기 반도체층상에 형성된 상이한 절연막이 삽입되는 것으로 특징으로 하는 박막트랜지스터와 그의 제조방법.The insulating layer of claim 1, wherein the gate electrode is formed on a side surface of the insulating substrate, the source electrode and the drain electrode are directly formed on the semiconductor, and a different insulating layer formed on the semiconductor layer between the source electrode and the drain electrode. The thin film transistor and its manufacturing method characterized in that the insertion.
제3항에 있어서, 상기 소스전극 및 상기 드레인전극과 접촉되는 상기 반도체층의 영역들에는 전도율을 변화시키기 위한 불순물이 주입된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터와 그의 제조방법.4. The thin film transistor and a method of manufacturing the thin film transistor according to claim 3, wherein impurities for changing conductivity are implanted into regions of the semiconductor layer in contact with the source electrode and the drain electrode.
제1항에 있어서, 상기 게이트전극은 상기 절연기판의 측면 DP 형성되고, 상기 소스전극 및 상기 드레인전극은 상기 반도체층 상에 형성된 접촉층상에 각각 형성되며 상기 소스전극 및 드레인전극 사이에는 상이한 절연막이 절연된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터와 그의 제조방법.The semiconductor device of claim 1, wherein the gate electrode is formed on a side surface of the insulating substrate, the source electrode and the drain electrode are formed on a contact layer formed on the semiconductor layer, and a different insulating film is formed between the source electrode and the drain electrode. Thin film transistor, characterized in that insulated and method of manufacturing the same.
제1항에 있어서, 상기 게이트전극은 상기 절연기판의 측면에 형성되고, 상기 게이트전극은 상기 절연막상에 형성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터와 그의 제조방법.The thin film transistor of claim 1, wherein the gate electrode is formed on a side surface of the insulating substrate, and the gate electrode is formed on the insulating film.
제6항에 있어서, 상기 게이트전극에 해당하는 영역으 제외한 상기 반도체층에 전도율을 변화시키기 위한 불순물이 도핑된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터와 그의 제조방법.The thin film transistor and a method of manufacturing the thin film transistor according to claim 6, wherein the semiconductor layer except for the region corresponding to the gate electrode is doped with impurities for changing conductivity.
제7항에 있어서, 상기 게이트전극은 상이한 절연막으로 도포되고, 상기 소스전극 및 상기 드레인전극은 상기 상이한 절연막상에 형성되고 상기 상이한 절연막 각각에 형성된 관통구멍들을 통하여 불순물이 주입된 영역의 상기 반도체층에 각각 연결된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터와 그의 제조방법.8. The semiconductor layer of claim 7, wherein the gate electrode is coated with a different insulating film, and the source electrode and the drain electrode are formed on the different insulating film, and the semiconductor layer in the region where impurities are injected through through holes formed in each of the different insulating films. And a method for manufacturing the thin film transistor, characterized in that connected to each.
절연기판과; 상기 절연기판상에 형성된 게이트와, 상기 절연기판상에 형성되되 상기 게이트를 덮도록 형성되는 제1절연막과; 상기 제1절연막상에 형성되어 상기 게이트와 절연된 상태로 있게 되는 반도체층과, 상기 반도체층상에 형성되고 2개의 접촉구멍을 갖는 제2절연막 및; 상호 분리된 상태로 상기 제2절연막상에 각각 형성되고상기 제2절연막의 상기 접촉구멍을 통하여 상기 반도체층과 각각 접촉되는 소스 및 드레인을 포함하되, 상기 소스와 접촉되는 부분의 상기 바노체층과, 상기 드레인과 접촉되는 부분이 상기 반도체층에는 불순물이 주입된 박막트랜지스터와 그의 제조방법.An insulating substrate; A gate formed on the insulating substrate and a first insulating layer formed on the insulating substrate to cover the gate; A semiconductor layer formed on the first insulating film and insulated from the gate; a second insulating film formed on the semiconductor layer and having two contact holes; A source and a drain respectively formed on the second insulating layer in a state of being separated from each other and contacting the semiconductor layer through the contact hole of the second insulating layer; A thin film transistor and a method of manufacturing the same wherein the portion in contact with the drain is implanted with impurities into the semiconductor layer.
제9항에 있어서, 상기 반도체층은 비정질 실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터와 그의 제조방법.The thin film transistor and a method of manufacturing the semiconductor layer of claim 9, wherein the semiconductor layer is formed of amorphous silicon.
제9항에 있어서, 상기 반도체층은 결점이 무정형으?? 흩어져 있는 미정질상태의 시리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터와 그의 제조방법.The semiconductor device of claim 9, wherein the semiconductor layer has a defect. A thin film transistor and a method for manufacturing the thin film transistor, characterized in that formed from scattered microcrystalline silicon.
절연기판상에 게이트, 제1절연막, 반도체층 및 제2절연막을 순차로 적층하는 단계와, 상기 제2절연막에 한쌍의 접촉구멍을 형성하되 상기 접촉구멍들이 상기 반도체층에 이르도록 하는 단계와, 상기 제2절연막의 상기 접촉구멍들을 통하여 상기 반도체층으로 불순물을 주입하는 단계 및, 상기 제2절연막의 접촉구멍들을 통하여 상기 반도체층과 각각 접촉되도록 소스 및 드레인을 상기 제2절연막상에 적층하는 단계를 포함하는 박막트랜지스터와 그의 제조방법.Sequentially stacking a gate, a first insulating film, a semiconductor layer, and a second insulating film on an insulating substrate, forming a pair of contact holes in the second insulating film, wherein the contact holes reach the semiconductor layer; Implanting impurities into the semiconductor layer through the contact holes of the second insulating film, and stacking a source and a drain on the second insulating film so as to be in contact with the semiconductor layer through the contact holes of the second insulating film, respectively. Thin film transistor and a manufacturing method comprising a.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.