KR910001370A - 표면계측방법 및 장치 - Google Patents

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KR910001370A
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Abstract

내용 없음

Description

표면계측방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본원 발명의 일실시예를 도시한 도면,
제4도 및 제5도는 각각 본원 발명의 다른 일실시예를 도시한 도면.

Claims (38)

  1. 중성입자를 분출시키는 스텝, 상기 분출된 중성입자를 빔형상으로 형성하는 스텝, 상기 중성입자빔을 시료의 표면에 충돌시키는 스텝, 상기 시료표면에서 반사되는 상기 중성입자를 검출하는 스텝, 그리고 상기 검출된 중성입자의 에너지를 분석하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면계측방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 충돌시키는 스텝은 상기 중성입자빔의 궤도를 제어하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면계측방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 궤도를 제어하는 스텝은 상기 중성입자빔을 수속(收束)시키는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면계측방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 중성입자를 분출시키는 스텝은 상기 중성입자의 전체에너지를 1 eV이하로 제어하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면계측방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 분출된 중성입자의 전체 에너지는 병진, 진동, 회전의자유도가 가지는 각 에너지의 총화로서 취하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면계측방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 중성입자는 희가스 원자인 것을 특징으로 하는 표면계측방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 중성입자를 He원자인 것을 특징으로 하는 표면계측방법.
  8. 제2항에 있어서, 상기 궤도를 제어하는 스텝은 고체표면에서 상기 중성입자빔을 반사시킴으로써 상기 궤도를 제어하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면계측방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 고체표면에는 Au, Pt, Ag, Cu 중 최소한 하나 또는 이들의 둘이상을 혼합한 물질 또는 이들중 최소한 하나를 구성요소의 일부로 하는 물질이 도포되어 있는 것을 특징으로 하는 표면계측방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 분석하는 스텝은 비행시간법에 의해 상기 중성입자빔이 상기 시료면에서 행하는 에너지 또는 운동량의 전이를 측정하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면계측방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 분석하는 스텝은 정전형 에너지 분석기에 의해 상기 중성입자빔이 상기 시료표면에서 행하는 에너지 또는 운동량의 전이를 측정하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면계측방법.
  12. 제2항에 있어서, 상기 궤도를 제어하는 스텝은 회절을 이용한 렌즈를 사용해서 상기 궤도를 제어하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면계측방법.
  13. 중성입자가 비행하는 공간을 진공배기하는 스텝, 상기 중성입자를 포함한 가스를 냉각하는 스텝, 상기 냉각된 가스를 상기 진공배기된 공간에 분출시키는 스텝, 상기 분출된 중앙입자를 빔형상으로 형성하는 스텝, 상기 중성입자빔을 시료의 표면에 충돌시키는 스텝, 상기 시료표면에서 반사되는 상기 중성입자를 검출하는 스텝, 그리고, 상기 겸출된 중성입자의 에너지를 분석하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면계측방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 충돌시키는 스텝은 상기 중성입자빔의 궤도를 제어하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면계측방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 냉각하는 스텝은 상기 가스를 80°K이하로 냉각하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면계측방법.
  16. 제14항에 있어서, 상기 궤도를 제어하는 스텝은 상기 중성입자빔을 수속시키는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면계측방법.
  17. 제13항에 있어서, 상기 진공배기하는 스텝은 상기 중성입자빔이 형성되는 공간과 상기 시료가 설치되는 공간이 차동배기되는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면계측방법.
  18. 제14항에 있어서, 상기 궤도를 제어하는 스텝은 고체표면에서 상기 중성입자빔을 반사시킴으로써 기 궤도를 제어하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면계측방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 고체표면에는 Au, Pt, Ag, Cu 중 최소한 하나 또는 이들의 둘 이상을 혼합한 물질 또는 이들중 최소한 하나를 구성요소의 일부로 하는 물질이 도포되어 있는 것을 특징으로 하는 표면계측방법.
  20. 제13항에 있어서, 상기 중성입자는 회가스원자인 것을 특징으로 하는 표면계측방법.
  21. 제13항에 있어서, 상기 중성입자는 He원자인 것을 특징으로 하는 표면계측방법.
  22. 제13항에 있어서, 상기 분석하는 스텝은 비행시간법에 의해 상기 중성입자빔이 상기 시료표면에서 행하는 에너지 또는 운동량의 전이를 측정하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면계측방법.
  23. 제13항에 있어서, 상기 분석하는 스텝은 정전형 에너지 분석기에 의해 상기 중성입자빔이 상기 시료표면에서 행하는 에너지 또는 운동량의 전이를 측정하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면계측방법.
  24. 제14항에 있어서, 상기 궤도를 제어하는 스텝은 회절을 이용한 렌즈를 사용해서 상기 궤도를 제어하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면계측방법.
  25. 중성입자를 분출시키는 수단, 상기 분출된 중성입자를 빔형상으로 형성하는 수단, 상기 중성입자빔을 시료의 표면에 충돌시키는 수단, 상기 시료표면에서 반사되는 상기 중성입자를 검출하는 수단, 그리고 상기 검출된 중성입자의 에너지를 분석하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면계측장치.
  26. 제25항에 있어서, 중성입자를 상기 충돌시키는 수단은 상기 중성입자빔의 궤도를 제어하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면계측장치.
  27. 제26항에 있어서, 상기 쉐도를 제어하는 수단은 상기 중성입자빔을 수속시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면계측장치.
  28. 제25항에 있어서, 상기 중성입자를 분출시키는 수단은 상기 중성입자의 전체에너지를 1 eV이하로 제어하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면계측장치.
  29. 제25항에 있어서, 상기 중성입자는 희가스 원자인 것을 특징으로 하는 표면계측장치.
  30. 제25항에 있어서, 상기 중성입자는 He원자인 것을 특징으로 하는 표면계측장치.
  31. 제26항에 있어서, 상기 궤도를 제어하는 수단은 고체표면에서 상기 중성입자빔을 반사시킴으로써 상기 궤도를 제어하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면계측장치.
  32. 제31항에 있어서, 상기 고체표면에는 Au, Pt, Ag, Cu 중 최소한 하나 또는 이들의 둘이상을 혼합한 물질 또는 이들중 최소한 하나를 구성요소의 일부로 하는 물질이 도포되어 있는 것을 특징으로 하는 표면계측방법.
  33. 제25항에 있어서, 상기 분석하는 수단은 비행시간법에 의해 상기 중성입자빔이 상기 시료표면에서 행하는 에너지 또는 운동량의 전이를 측정하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면계측방법.
  34. 제25항에 있어서, 상기 분석하는 수단은 정전형 에너지 분석기에 의해 상기 중성입자빔이 상기 시료표면에서 행하는 에너지 또는 운동량의 전이를 측정하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면계측방법.
  35. 제25항에 있어서, 상기 분출시키는 수단은 상기 중성입자를 포함한 가스를 냉각하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면계측방법.
  36. 제25항에 있어서, 상기 냉각하는 수단은 상기 가스를 80°K이하로 냉각하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면계측방법.
  37. 제25항에 있어서, 다시 상기 중성입자가 비행하는 공간을 진공배기하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면계측장치.
  38. 제26항에 있어서, 상기 궤도를 제어하는 수단은 회전을 이용해서 상기 궤도를 제어하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면계측방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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