KR900019390A - 순간 전력 제한 회로 - Google Patents

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KR900019390A
KR900019390A KR1019900006584A KR900006584A KR900019390A KR 900019390 A KR900019390 A KR 900019390A KR 1019900006584 A KR1019900006584 A KR 1019900006584A KR 900006584 A KR900006584 A KR 900006584A KR 900019390 A KR900019390 A KR 900019390A
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더블유. 호브레크트 스테펜
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죤 지. 웨브
내쇼날 세미콘덕터 코포레이션
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/52Circuit arrangements for protecting such amplifiers
    • H03F1/523Circuit arrangements for protecting such amplifiers for amplifiers using field-effect devices
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
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Abstract

내용 없음

Description

순간 전력 제한 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명 회로의 개략적인 다이아그램, 제2도는 gm증폭기를 설명하는 개략적인 다이아그램.

Claims (8)

  1. DMOST에서의 전력 분산(power dissipation)을 안전한 값으로 제한하는데 있어서, 상기 DMOST에 거친 전압 감지용 수단, 상기 DMOST를 통과하는 전류 감지용 수단, 전력 분산 관련 전류를 획득하도록 감지된 전류에 의해 감지된 전압을 멀티 플라이(multiply)하는 수단 및, 상기 전력 분산을 안전한 값으로 제한하도록 상기 DMOST의 게이트 전압을 제어하는 상기 분산 관련 전류에 응답하는 수단등을 포함하는 회로.
  2. 제1항에 있어서, 전류 감지용 상기 수단은 상기 DMOST와 직결로 연결된 DMOST "온" 레지스턴스와 비교하여 작은 값을 지니는 레지스터를 포함하는 회로.
  3. 제1항에 있어서, 전압 감지용 상기 수단은 상기 DMOST와 병렬로 연결된 레지스터를 포함하는 회로.
  4. 제2항에 있어서, 상기 레지스터는 금속화(metallization)로 구성된 회로.
  5. 제1항에 있어서, 상기 멀티플라이 수단은 트랜스콘덕턴스 증폭기를 포함하는 회로.
  6. 제4항에 있어서, 상기 트랜스콘덕턴스 증폭기는, 전류감지용 상기 수단에 연결된 차동 입력 및 전압 감지용 상기 수단에 연결된 통상의 입력을 지님으로써, 상기 트랜스코덕턴스 증폭기 출력은 전류에 의해 멀티플라이된 전압에 비례하는 전류의 회로.
  7. 제6항에 있어서, 상기 트랜스콘덕턴스 증폭기는 트랜지스터들로 구성되고, 이 트랜지스터들 각각은 높은 정도의 밸런스를 이루도록 교차 연결된 복수개의 에미터를 포함하는 회로.
  8. 제4항에 있어서, 상기의 멀티플라이 수단은, 상기 금속 레지스터내 레지스턴스의 양의 온도 계수를 오프셋(offset)시키는 트랜스콘덕턴스의 역의 온도 계수를 지닌 트랜스콘덕턴스 증폭기인 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900006584A 1989-05-11 1990-05-10 순간 전력 제한 회로 KR0164657B1 (ko)

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