KR900019281A - 티타늄 표면의 틈새 부식의 방지방법 - Google Patents

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윌리암 맥마이클 제임스
스티븐스 버어니 2세 해리
유겐 비드 카알
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리챠드 지. 워터맨
더 다우 케미칼 캄파니
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Abstract

내용 없음

Description

티타늄 표면의 틈새 부식의 방지방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 전해조 조립체의 티타늄 프레임 부재상에 본 발명의 피복 조성물을 사용하는 전해조 조립체의 플랜지부의 분해 단면도이고, 제2도는 전해조 조립체의 개스킷 부재의 표면상에 본 발명의 피복조성물을 사용한 전해조 조립체의 플랜지부의 분해 단면도이며, 제3도는 티타늄과 접촉하는 전해조 조립체의 멤브레인 부재 표면의 주변부분에 본 발명의 피복조성물을 사용한 전해조 조립체의 플랜지부의 분해 단면도이다.

Claims (19)

  1. (a)조립체의 일부를 밀봉하기 위하여 접촉하는 밀봉변(sealing surface)을 제공하는 플랜지를 갖는 적어도 2개의 인접한 전지 조립체 부재(member)(여기서, 전지 조립체 부재의 적어도 하나는 티타늄을 밀봉면으로서 갖고 : 상기밀봉면은 다른 밀봉면과 접촉하며 : 상기 티타늄 표면은 밀봉된 전지조립체로 조립되어 작동도중 전지내의 환경에 처할 때 밀봉 영역내에서의 틈새부식에 취약한 표면이다) : (b)접촉하는 전극 프레임 부재사이에 설치된 멤브레인 수단(membrane means) 여기서, 적어도 하나의 전극 프레임 부재는 밀봉면을 갖는 티타늄을 포함하고 : 상기 멤브레인의 주변부는 전지 프레임 부재를 밀봉하는 경우에 다른 밀봉수단과 함께 밀봉수단으로서 작용 가능하며 : 상기 멤브레인의 비-주변부는 밀봉된 프레임 부재에 의해 한정되는 전지의 영역을 음극 면 및 양극단면으로 분할시키는데 적합하다 : (c)임의로는 전지를 밀봉하는 경우에 전지 조립체 부재의 적어도 몇몇 티타늄 밀봉면의 접촉을 보조하기 위해 개시킷 물질 및 (d)티타륨 자체의 밀봉면상에 또는 밀봉시에 티타늄 표면과 접촉하는 또다른 부재(여기서, 다른 부재는 개스킷이거나 멤브레인이거나, 개스킷 및 맴브레인 모두이다)의 밀봉면상에 위치시킴으로써 티타늄의 틈새부식을 방지하기 위한 피막 또는 필름을 포함하는 틈새부식방지 물질[여기서, 상기 틈새부식방지 피막 또는 필름을 적어도 하나의 플래티늄족 금속의 산화물 및 적어도 하나의 플루오로카본 중합체의 결합제 물질 및 임의로는 적어도 하나의 판상 금속산화물(valve metal oxide)의 고화된 혼합물을 포함한다]을 포함하는, 필터-프레스 형태(filter-press type)의 전해조 조립체.
  2. 제1항에 있어서, 판상 금속 산화물이 산화티타늄을 포함하는 전지 조립체.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 플래티늄족 금속 산화물이 산화루테늄을 포함하는 전지 조립체.
  4. 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서, 플로오로카본 종합체가 하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 제1형태의 단량제(Ⅰ)과 하기 일반식(Ⅱ)로 표시되는 화합물로부터 선택되는 하나 이상의 단량체로 이루어진 제2형태의 단량체(Ⅱ) 및 임의로는 하기 일반식(Ⅲ)을 표시되는 화합물로부터 선택되는 하나 이상의 다른 단량제와의 공중합체인 전지 조립체.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 플래티늄족 금속 산화물이 산화루테늄을 포함하는 전지 조립체.
  6. 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서, 플로오로카본 종합체가 하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 제1형태의 단량제(Ⅰ)과 하기 일반식(Ⅱ)로 표시되는 화합물로부터 선택되는 하나 이상의 단량체로 이루어진 제2형태의 단량체(Ⅱ) 및 임의로는 하기 일반식(Ⅲ)을 표시되는 화합물로부터 선택되는 하나 이상의 다른 단량제와의 공중합체인 전지 조립체.
  7. 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서, 플로오로카본 종합체가 하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 제1형태의 단량제(Ⅰ)과 하기 일반식(Ⅱ)로 표시되는 화합물로부터 선택되는 하나 이상의 단량체로 이루어진 제2형태의 단량체(Ⅱ) 및 임의로는 하기 일반식(Ⅲ)을 표시되는 화합물로부터 선택되는 하나 이상의 다른 단량제와의 공중합체인 전지 조립체.
    CF2=CZZ' (Ⅰ)
    Y-(CF2)a-(CFRf)b(CFRf')m-O[CF(CF2X)-CF2-O]a-CF=CF2(Ⅱ)
    Y-(CF2)a-(CFRf)b(CFRf')m-O[CF(CF2X)-CF2-O]a-CF=CF2(Ⅱ)
    Y'-(CF2)a'-(CFRf)b'-(CFRf')d'-O-[CF(CF2X')-CF2-O]a'-CF=CF2(Ⅲ)
    상기 일반식(Ⅰ)에서 Z 및 Z′는 독립적으로 -H, -Cl, -F 또는 -CF3로부터 선택된다.
    상기 일반식(Ⅱ)에서, Y는 -SO2Z, -CN, -COZ 또는 C(R3 f) (R4 f)OH로부터 선택되고 Z는 I, Br, C1, F,OR 또는 NR1R2이며, R는 탄소수 1 내지 10의 측쇄 또는 선형 알킬 라디칼, 또는 아릴 라디칼이고,( R3 f) 및( R4 f)는 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 퍼플루오로알킬 라디칼로부터 선택되며, R1및 R2는 독립적으로 H, 탄소수 1 내지 10의 측쇄 또는 선형 알킬 라디칼 또는 아릴 라디칼로부터 선택되고, a는 0내지 6이며, b는 0내지 6이고 c는 0 또는 1이며, 단, a+b+c는 0 이고 아니고, x는 n＞1일 때 C1, Br, F 또는 이들의 혼합물이며, n은 0 내지 6이고, Rf및 Rf′는 독립적으로 -F, -C1, 탄소수 1 내지 10의 퍼플루오로알킬 라디칼 및 탄소수 1 내지 10의 플루오로클로로 알킬 라디칼로부터 선택된다.
    상기 일반식(Ⅱ)에서, Y는 -SO2Z, -CN, -COZ 또는 C(R3 f) (R4 f)OH로부터 선택되고 Z는 I, Br, C1, F,OR 또는 NR1R2이며, R는 탄소수 1 내지 10의 측쇄 또는 선형 알킬 라디칼, 또는 아릴 라디칼이고,( R3 f) 및( R4 f)는 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 퍼플루오로알킬 라디칼로부터 선택되며, R1및 R2는 독립적으로 H, 탄소수 1 내지 10의 측쇄 또는 선형 알킬 라디칼 또는 아릴 라디칼로부터 선택되고, a는 0내지 6이며, b는 0내지 6이고 c는 0 또는 1이며, 단, a+b+c는 0 이고 아니고, x는 n＞1일 때 C1, Br, F 또는 이들의 혼합물이며, n은 0 내지 6이고, Rf및 Rf′는 독립적으로 -F, -C1, 탄소수 1 내지 10의 퍼플루오로알킬 라디칼 및 탄소수 1 내지 10의 플루오로클로로 알킬 라디칼로부터 선택된다.
    상기 일반식(Ⅲ)에서, Y′는 F, C1 또는 Br이고, a′ 및 b′는 독립적으로 0 내지 3이며, c′는 0 또는 1이고, 단 a′+b′+c′는 0이 아니며, n′는 0 내지 6이고, Rf및 Rf′는 독립적으로 Br, C1, F, 탄소수 1 내지 10의 퍼를루오로알킬 라디칼 및 탄소수 1 내지 약 10의 클로로퍼 플루오로알킬 라디칼로부터 선택되며, x′는 n′＞1인 경우에 -F, C1, -Br 또는 이들의 혼합물이다.
  8. 제1항 내지 제4항중 어느 한 항에 있어서, 틈새부식방지 물질이 100℃이하의 온도에서 물, 에테르 또는 이들의 혼합물로부터 선택된 비용매(non-solvent)담체중의 분산액 형태로부터 고화되는 전지 조립체.
  9. 적어도 하나의 플래티늄족 금속 산화물의 산화물, 플루오로카본 중합제 결합제 물질 및 임의로는 적어도 하나의 판상 금속 산화물의 고화된 혼합물을 포함하는 부식방지 피복물질.
  10. 제6항에 있어서, 플루오로카본 중합체가 하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 제1형태의 단량체(Ⅰ)과 하기 일반식(Ⅱ)로 표시되는 화합물로부터 선택되는 하나 이상의 단량체로 이루어진 제2형태의 단량제(Ⅱ) 및 임의로는 하기 일반식(Ⅱ)으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 하나 이상의 다른 단량체와의 공중합체인 피복물질.
    CF2=CZZ' (Ⅰ)
    Y-(CF2)a-(CFRf)b-(CFRf')e-O[CF(CF2X)-CF2-O]a-CF=CF2(Ⅱ)
  11. 적어도 하나의 플래티늄족 금속 산화물의 산화물, 플루오로카본 중합제 결합제 물질 및 임의로는 적어도 하나의 판상 금속 산화물의 고화된 혼합물을 포함하는 부식방지 피복물질.
  12. 제6항에 있어서, 플루오로카본 중합체가 하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 제1형태의 단량체(Ⅰ)과 하기 일반식(Ⅱ)로 표시되는 화합물로부터 선택되는 하나 이상의 단량체로 이루어진 제2형태의 단량제(Ⅱ) 및 임의로는 하기 일반식(Ⅱ)으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 하나 이상의 다른 단량체와의 공중합체인 피복물질.
    CF2=CZZ' (Ⅰ)
    Y-(CF2)a-(CFRf)b-(CFRf')e-O[CF(CF2X)-CF2-O]a-CF=CF2(Ⅱ)
  13. 제6항에 있어서, 플루오로카본 중합체가 하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 제1형태의 단량체(Ⅰ)과 하기 일반식(Ⅱ)로 표시되는 화합물로부터 선택되는 하나 이상의 단량체로 이루어진 제2형태의 단량제(Ⅱ) 및 임의로는 하기 일반식(Ⅱ)으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 하나 이상의 다른 단량체와의 공중합체인 피복물질.
    CF2=CZZ' (Ⅰ)
    Y-(CF2)a-(CFRf)b-(CFRf')e-O[CF(CF2X)-CF2-O]a-CF=CF2(Ⅱ)
    CF2=CZZ' (Ⅰ)
    Y-(CF2)a-(CFRf)b-(CFRf')e-O[CF(CF2X)-CF2-O]a-CF=CF2(Ⅱ)
    Y-(CF2)a-(CFRf)b-(CFRf')e-O[CF(CF2X)-CF2-O]a-CF=CF2(Ⅱ)
    Y'-(CF2)a'-(CFRf)b'-(CFRf')e'-O-[CF(CF2X')-CF2-O]a'-CF=CF2(Ⅲ)
    상기 일반식(Ⅰ)에서, Z 및 Z′는 독립적으로, -H, -C1, -F 또는 -CF3로부터 선택된다.
    상기 일반식(Ⅱ)에서, Y는 -SO2Z, -CN, _COZ 또는 C(R3 f)(R4 f)OH로부터 선택되고, Z는 I, BR, C1, F, OR 또는 NR1R2이며, R은 탄소수 1 내지 10의 측쇄 또는 선형 알킬 라디칼 또는 아릴 라디칼이고, R3 f및 R4 f는 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 퍼플루오로알킬 라디칼로부터 선택되며, R1및 R2는 독립적으로 H, 탄소수 1내지 10의 측쇄 또는 선형 알킬 라디칼 또는 아릴 라디칼로부터 선택되고, a는 0 내지 6이며, b는 0 내지 6이고, c는 0 또는 1이며, 단 a+b+c는 0이 아니고 X는 n＞1일 때 C1, Br, F 또는 이들의 혼합물이며, n은 0 내지 6이고, Rf및 Rf′는 독립적으로 -F, -C1, 탄소수 1 내지 10의 퍼플루오로알킬 라디칼 또는 탄소수 1 내지 10의 플루오로클로로 알킬 라디칼로부터 선택된다.
    상기 일반식(Ⅱ)에서, Y는 -SO2Z, -CN, _COZ 또는 C(R3 f)(R4 f)OH로부터 선택되고, Z는 I, BR, C1, F, OR 또는 NR1R2이며, R은 탄소수 1 내지 10의 측쇄 또는 선형 알킬 라디칼 또는 아릴 라디칼이고, R3 f및 R4 f는 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 퍼플루오로알킬 라디칼로부터 선택되며, R1및 R2는 독립적으로 H, 탄소수 1내지 10의 측쇄 또는 선형 알킬 라디칼 또는 아릴 라디칼로부터 선택되고, a는 0 내지 6이며, b는 0 내지 6이고, c는 0 또는 1이며, 단 a+b+c는 0이 아니고 X는 n＞1일 때 C1, Br, F 또는 이들의 혼합물이며, n은 0 내지 6이고, Rf및 Rf′는 독립적으로 -F, -C1, 탄소수 1 내지 10의 퍼플루오로알킬 라디칼 또는 탄소수 1 내지 10의 플루오로클로로 알킬 라디칼로부터 선택된다.
    상기 일반식(Ⅲ)에서, Y′는 F, C1 또는 Br이고, a′ 및 b′는 독립적으로 0내지 3이며, c′는 0 또는 1이고, 단 a′+b′+c′는 0이 아니며, n′는 0 내지 6이고, Rf및 Rf′는 독립적으로 Br, C1, F, 탄소수 1 내지 10의 퍼플루오로알킬 라디칼 및 탄소수 1 내지 약 10의 클로로퍼플루오로알킬 라디칼로부터 선택되며, X′는 n′＞1인 경우에 -F, -C1, -Br 또는 이들의 혼합물이다.
  14. 제6항 또는 제7항에 이Td서, 플래티늄족 금속 산화물이 산화루데늄을 포함하며, 판상 금속 산화물이 산화티타늄을 포함하는 피복 물질.
  15. (a)티타늄 표면의 밀봉부(seal portion)또는 다른 접촉 조립체 부재의 접촉 밀봉면(sea : surface)을 비용 매 담체중의 플래티늄족 금속 산화물 및 플로오로중합체의 분산액으로 피복시켜 상기 표면 상에 틈새부식방지 피막을 형성시키고, (b)기재(substrate)를 250℃미만의 온도에서 유지시키면서 기재에 대한 피막의 결합을 달성하는데 충분한 온도로 상기 밀봉부상에 상기와 같이 도포시킨 분산액을 가열한 다음, (c)밀봉부를 밀봉시킴을 포함하여, 전지 조립체의 적용 일부를 밀봉하기 위한 적어도 하나의 다른 전지 조립체 부재의 적어도 하나의 밀봉면과 접촉하는 밀봉부를 가진 적어도 하나의 티타늄 표면을 함유하는 전해조 조립체 구조물중의 티타늄 틈새부식을 방지하는 방법.
  16. (a)티타늄 표면의 밀봉부(seal portion)또는 다른 접촉 조립체 부재의 접촉 밀봉면(sea : surface)을 비용 매 담체중의 플래티늄족 금속 산화물 및 플로오로중합체의 분산액으로 피복시켜 상기 표면 상에 틈새부식방지 피막을 형성시키고, (b)기재(substrate)를 250℃미만의 온도에서 유지시키면서 기재에 대한 피막의 결합을 달성하는데 충분한 온도로 상기 밀봉부상에 상기와 같이 도포시킨 분산액을 가열한 다음, (c)밀봉부를 밀봉시킴을 포함하여, 전지 조립체의 적용 일부를 밀봉하기 위한 적어도 하나의 다른 전지 조립체 부재의 적어도 하나의 밀봉면과 접촉하는 밀봉부를 가진 적어도 하나의 티타늄 표면을 함유하는 전해조 조립체 구조물중의 티타늄 틈새부식을 방지하는 방법.
  17. 제9항에 있어서, 상기 조성물이 적어도 하나의 판상 근속 화합물의 미분된 입자 및 담체(여기서, 상기 성분들은 분산되며, 상기 담체는 물, 알콜, 에테르, 플루오로카본, 케톤, 클롤카본 또는 이들의 혼합물로부터 선택된 적어도 하나의 액체이다)를 포함하는 방법.
  18. 제10항에 있어서, 플래티늄족 금속 산화물이 산화루테늄을 포함하며, 판상 금속 산화물이 TiO2, TaO2또는 ZrO2를 포함하는 방법.
  19. 제10항에 있어서, 플래티늄족 금속 산화물이 산화루테늄을 포함하며, 판상 금속 산화물이 TiO2, TaO2또는 ZrO2를 포함하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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