KR900015157A - 다이나믹형 반도체기억장치 및 구동방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

다이나믹형 반도체기억장치 및 구동방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제6도는 본 발명의 1실시예에 따른 다이나믹형 반도체기억장치의 주요부의 구성을 표시하는 도면,

제8도는 본 발명의 1실시예에 따른 다이나믹형 반도체기억장치의 전체구성을 표시하는 약도.

Claims (16)

1. 행과 열의 매트릭스로 배열된 복수의 메모리셀을 가지는 1개 셀어레이(1 : MB1-MB16)와 열의 제1그룹(영역1)과 열의 제2그룹(영역Ⅱ)을 포함하는 상기 셀어레이열과 관련열에 신호전위를 감지하고 증폭하는 열의 상기 제1그룹의 각 열에 제공되는 제1센스 증폭기수단(10-1,10-3,……)과 관련열에 신호전위를 감지하고 증폭하는 열의 상기 제2그룹의 각 열에 제공되는 제2센스증폭기와 열그룹지정신호를 발생하는 외부에서 제공되는 상기 어드레스비트에 응답하는 발생수단(2)과 다른 타이밍에서 상기 제1센스증폭기수단과 제2센스증폭기수단을 활성화하는 상기 열지정신호에 응답하는 활성화수단(20)을 포함하고 데이터판독 또는 데이터기록의 메모리셀을 지정하는 외부로부터 제공되는 어드레스비트에 응답하고 상기 외부로 제공된 어드레스비트에 의해 지정되는 메모리셀을 가지는 열을 포함하는 열그룹에 제공되는 센스증폭기수단은 먼저 활성화되고 메모리셀을 액세스하는 반도체기억장치.
2. 제1항에 있어서 열의 상기 제1그룹은 거기에 적어도 하나의 트위스트부를 가지는 각 복수의 비트선쌍(BL0,,BL2,……)을 포함하고 그리고 열의 상기 제2그룹은 0이거나 또는 1 또는 그 이상의 트위스트부를 가지는 복수의 비트선쌍(BL1,,BLm,……)을 포함하고 그리고 상기 제1그룹의 비트선쌍과 상기 제2그룹의 비트선쌍은 교호로 배열되는 반도체기억장치.
3. 제1항에 있어서 상기 외부에서 제공된 어드레스비트는 상기 셀어레이에서 행을 지정하는 행어드레스비트(XA)와 그리고 상기 행어드레스비트와 상기 열어드레스비트는 동시에 상기 기억장치에 제공되고 그리고 상기 발생기수단은 상기 열어드레스비트의 일부에 응답하고 상기 열그룹지정신호를 발생하는 반도체기억장치.
4. 제1항에 있어서 상기 외부에서 제공된 어드레스비트는 행어드레스비트(RA0-RA10)와 열어드레스비트(CA0-CA10)를 포함하고 그리고 상기 행어드레스비트와 상기 열어드레스비트는 상기 기억장치에 제공되는 시분할다중형태이고 그리고 상기 발생기수단은 상기 행어드레스비트의 1부(RA10)에 응답하고 상기 열지정신호를 발생하고 그리고 상기 행어드레스비트의 상기 부분은 상기 열어드레스비트와 공동으로 상기 셀어레이에서 열을 지정하기 위해 사용되는 반도체기억장치.
5. 제1항에 있어서 상기 활성화수단은 소정시간에 의해 수신된 센스증폭기 활성화신호(φ0)를 지연하게 하는 지연수단(201)과 상기 지연수단 또는 상기 센스증폭기 활성화 신호를 상기 제1센스증폭기수단에 선택적으로 제공하는 상기 열그룹지정신호에 응답하는 제1수단(202,203,203,207), 그리고 상기 지연수단 또는 상기 센스증폭기 활성화신호를 제2센스증폭기수단에 선택적으로 제공하는 상기 열그룹지정신호에 응답하는 제2수단(202,205,206,208)을 포함하는 반도체기억장치.
6. 제1항에 있어서 상기 활성화수단은 센스증폭기 활성화신호를 통과하는 상기 열그룹지정신호에 응답하고 활성화되는 제1게이트수단(203)과 소정시간에 의해 상기 센스증폭기 활성화신호를 지연하게 하는 지연수단(201)과 지연수단의 상기 출력을 통과하는 상기 열그룹지정신호의 역전신호에 응답하고 활성화되는 제2게이트수단(204)과 상기 제1센스증폭기수단에 같이 전송하기 위해 활성화신호를 유도하는 제1과 제2게이트수단중 적어도 어느하나 중에서 활성화신호에 응답하는 3게이트수단(207)과 센스증폭기 활성화신호와 같이 통과하는 상기 열그룹지정신호의 역전신호에 응답하고 활성화되는 제4게이트수단(205)과 지연수단의 상기 출력을 통과하는 상기 열그룹지정신호에 응답하고 활성화되는 제5게이트수단(206)과 상기 제2센스증폭기수단에 동일하게 전송하기 위해 활성화신호를 유도하는 상기 제4와 제5게이트수단중 적어도 하나에서의 활성화신호에 응답하는 제6게이트수단 (208)을 포함하는 반도체기억장치.
7. 제1항에 있어서 상기 제1센스증폭기수단과 상기 제2센스증폭기수단은 2선으로 배열되고 그리고 상기 제1센스증폭기수단은 한선상에 배설되고 그리고 상기 제2센스증폭기수단은 다른 한선에 배설되는 다이나믹형 반도체기억장치.
8. 제1항에 있어서 상기 제1증폭기수단은 상기 비트선쌍의 한쪽에 배설되고 그리고 상기 제2센스증폭기수단은 상기 비트선쌍의 다른 한쪽에 배설되는 다이나믹형 반도체기억장치.
9. 상기 열이 열(BL0,,BL2,……)의 제1그룹과 열의 제2그룹(BL1,)으로 분류되는 행과 열의 매트릭스에 배열되는 복수의 메모리셀을 가지는 셀어레이(1 : MB1에서 MB16까지)관련열상에 신호전위를 감지하고 증폭하는 제2그룹의 열에 제공된 제2센스증폭기(10-2)와 관련열상에 신호전위를 감지하고 증폭하는 상기 제1그룹의 열을 제공하는 제1감지증폭기(10-1,10-3)을 포함하는 반도체기억장치를 위해 상기 셀어레이에서 메모리셀을 지정하는 외부에서 제공된 어드레스비트(YA : RA0-RA10)에 응답하고 열그룹지정신호(YAO : RA10)를 발생하고 다른 타이밍에서 상기 열그룹지정신호에 응답하고 상기 제1센스증폭기와 상기 제2센스증폭기를 활성화하는 스텝을 포함하는 센스증폭기를 구동하는 방법과 상기 열그룹지정신호에 의해 지정되는 열에 제공되는 센스증폭기가 먼저 활성화되는 구동방법.
10. 제9항에 있어서 상기 열그룹지정신호를 발생하는 상기 스텝은 상기 셀어레이에서 행을 지정하는 외부에서 제공된 행어드레스비트의 일부(RA10)응답하고 열그룹지정신호의 스텝과 상기 어레이에서 열을 지정하는 외부에서 제공된 열어드레스비트와 공동으로 상기 셀어레이에서 열을 지정하기 위해 역시 사용되는 외부에서 제공된 행어드레스비트의 상기 부분을 포함하고 그리고 상기 열어드레스비트와 상기 행어드레스비트는 상기 기억장치에 제공되는 시분할다중형태인 구동방법.
11. 제9항에 있어서 열그룹지정신호를 발생하는 상기 스텝은 상기 셀어레이에서 열을 지정하는 외부에서 제공된 열어드레스비트에 응답하고 열그룹지정신호를 발생하는 스텝을 포함하고 그리고 상기 셀어레이에서 지정하는 상기 열어드레스비트와 행어드레스비트는 동시에 상기 기억장치에 제공되는 구동방법.
12. 제9항에 있어서 상기 활성화스텝은 센스증폭기 활성화신호를 지연하게 되고 상기 제1센스증폭기에 동일하게 전송하기 위해 상기 열그룹지정신호에 응답하고 상기 지연된 센스증폭기 활성화신호와 상기 센스증폭기 활성화신호중 어느하나를 통과하고 상기 제2센스증폭기에 동일하게 전송하기 위해 상기 열그룹지정신호에 응답하고 상기 지연된 센스증폭기 활성화신호와 상기 센스증폭기활성호신호중 어느하나를 통과하는 스텝을 포함하고 상기 센스증폭기 활성화신호가 그룹중 하나의 센스증폭가에 전송될때 상기 지연된 센스증폭기 활성화신호는 다른 그룹의 센스증폭기에 전송되는 구동방법.
13. 상기 열이 적어도 하나의 교차부를 가지는 각 비트선쌍의 제1그룹(BL0,,BL2,……)과 없거나 또는 하나 또는 그 이상의 교차부를 가지는 각 비트선쌍의 제2그룹(BL1,), 관련비트선쌍에 신호전위를 감지하고 증폭하는 상기 제1그룹의 비트선쌍에 제공되는 제1센스증폭기(10-1,10-3)와 관련비트선쌍에 신호전위를 감지하고 증폭하는 상기 제2그룹의 열에 제공되는 제2센스증폭기(10-2)를 포함하는 행과 열의 매트릭스로 배열되는 복수의 메모리셀을 가지는 셀어레이를 포함하는 반도체 기억장치를 위해 상기 제1그룹의 상기 비트선쌍과 상기 제2그룹의 비트선쌍은 상기 셀어레이에 교호로 배열되고 상기 셀어레이에서 메모리셀을 지정하는 외부에서 제공된 어드레스비트(YA : RA0-RA10)에 응답하고 그룹지정신호(YAO : RA10)를 발생하고 다른 타이밍에서 상기 그룹지정신호에 응답하고 상기 제1센스증폭기와 상기 제2센스증폭기를 활성화하는 스텝을 포함하는 센스증폭기를 구성하는 방법과 상기 그룹지정신호에 의해 지정되는 비트선쌍을 위해 제공되는 센스증폭기가 먼저 활성화되는 구동방법.
14. 제13항에 있어서 상기 그룹지정신호발생은 상기 셀어레이에서 행을 지정하는 외부에서 제공된 행어드레스비트의 일부(RA10)와 상기 어레이에서 비트선쌍을 지정하는 외부에서 제공된 열어드레스비트와 공동으로 상기 셀어레이에서 비트선쌍을 지정하기 위해 역시 사용되는 외부에서 제공된 행어드레스비트와 상기 부분에 응답하고 그룹지정신호를 발생하는 스텝을 포함하고 그리고 상기 열어드레스비트와 상기 행어드레스비트는 상기 기억장치에 제공되는 시분할다중형태인 구동방법.
15. 제13항에 있어서 그룹지정신호를 발생하는 상기 스텝은 상기 셀어레이에서 비트선쌍을 지정하는 외부에서 제공된 열어드레스비트에 응답하고 그룹지정신호를 발생하는 스텝을 포함하고 그리고 상기 셀어레이에서 행을 지정하는 행어드레스비트와 상기 열어드레스는 상기 기억장치에 동시에 제공되는 구동방법.
16. 제13항에 있어서 상기 활성화스텝은 센스증폭기 활성화신호를 지연케하고 상기 제1센스증폭기에 동일하게 전송하기 위해 상기 그룹지정신호에 응답하고 상기 지연된 센스증폭기 활성화신호와 상기 센스증폭기 활성화신호중 어느하나를 통과하고 그리고 상기 제2센스증폭기에 동일하게 전송하기 위해 상기 그룹지정신호에 응답하고 상기 지연된 센스증폭기 활성화신호와 상기 센스증폭기 활성호신호중 어느하나를 통과하는 스텝을 포함하고 상기 센스증폭기 활성화신호가 그룹의 하나의 센스증폭기에 전송될때 상기 지연된 센스증폭기 활성화신호는 다른 그룹의 센스증폭기에 전송되는 구동방법.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.