KR900011165Y1 - 솔리드 스테이트 릴레이(Solid State Rylay) - Google Patents

솔리드 스테이트 릴레이(Solid State Rylay) Download PDF

Info

Publication number
KR900011165Y1
KR900011165Y1 KR2019900016222U KR900016222U KR900011165Y1 KR 900011165 Y1 KR900011165 Y1 KR 900011165Y1 KR 2019900016222 U KR2019900016222 U KR 2019900016222U KR 900016222 U KR900016222 U KR 900016222U KR 900011165 Y1 KR900011165 Y1 KR 900011165Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
solid state
diode
relay
resistor
capacitor
Prior art date
Application number
KR2019900016222U
Other languages
English (en)
Inventor
김관진
Original Assignee
김관진
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1019880003388A external-priority patent/KR890015323A/ko
Application filed by 김관진 filed Critical 김관진
Priority to KR2019900016222U priority Critical patent/KR900011165Y1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR900011165Y1 publication Critical patent/KR900011165Y1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

솔리드 스테이트 릴레이(Solid State Rylay)
제1도는 공지회로 설명도.
제2도는 본 발명을 설명키 위한 실시예의 회로도.
제3도는 다른 변형된 실시예의 회로도.
제4도는 동작설명을 위한 타임차드도이다.
도면중 부호 TRIAC은 반도체 스위칭소자로 트라이악을 의미하며, TRIAC은 포토트라이악 C 및 C1은 축전기, R1R2, R3.는 저항, P, O는 포토다이오드, D1, D2, D3은 다이오드, TR은 NPN형 트랜지스터, RY는 릴레이를 의미한다.
본 고안은 솔리드 스테이트 릴레이(Solid Slate Rylay) 즉 무접점 릴레이의 개량에 관한 것이다.
종래의 무접점 릴레이에 있어서는 제1도에 회로도가 도시되어 있는 바와같이 직류(DC)신호가 제로크로스형(Zero Cross 쇼pe)신호 발생기의 신호가 트라이악(TRIAC)의 게이트에 입력되었을 때 아노드와 캐소드 사이가 ON 또는 OFF 되도록 된것이므로 ON시 1-2볼트정도의 전압드롭 현상이 있어서 결국 부하측에 영향이 있으며 반도체 자체의 전력손실을 가져오게 된다. 따라서 반도체 자체에서 발생되는 열을 반듯이 방열시켜 주어야 하는 결점이 있고 이를 위하여는 방열판을 설치해야 하므로 많은 공간과 비용이 필요했다.
또 기계적인 릴레이에 있어서는 릴레이 접점이 ON 또는 OFF시 접점이 소손되며, 불꽃방전에 의한 노이즈 발생의 원인이 되기도 한다.
본 고안은 반도체에 의한 무접점 스위치와 기계적인 릴레이의 결점을 모두 제거하기 위한 것으로, 제2도에 본 고안 실시예의 회로도가 도시되어 있다.
즉 신호(+)는 다이오드(D3)를 통해 저항(R3)으로 접지된 축전기(C1)를 충전하도록 됨과 동시 직열연결된 다이오드(D3)에는 다이오드(D1) 및 저항(R1)을 통해 포토다이오드(P.D)를 발광시키도록되어 있으며, 또 축전기(C1)의 충전이 끝나면 릴레이(Ry)가 동작하도록 되어있다.
또한 상기한 포토다이오드(P. D)에는 다이오드(D3)와 축전기(C1) 및 다이오드(D2)와 저항(R1)을 통한 신호가 겹쳐서 포토다이오드(P. D)의 발광을 계속하며 축전기(C1)와 저항(R2)의 시정수 만큼 지연되도록 되어있다.
또한 OFF되는 경우 축전기(C1)와 저항(R2)에 의한 시정수만큼의 방전시간과 다이오드(D1)와 저항(R1) 및 포토다이오드(P. D)로 되는 방전시간만큼 지연되므로 처음 지연시간에 끝날 때의 시간만큼 지연된다. 대략 3ms-100ms정도다. 때문에 릴레이(Ry)의 접점사이에 연결설치하는 포토트라이악(Photo Triac : TRIAC)에는 거의 무시할 정도로 가열이 되지 아니하며 또 릴레이(Ry)의 접점에서의 불꽃 방전이 방지되어 수명이 길며 이에따라 노이즈의 발생이 전혀 없게 된다.
즉 상기한 작용을 제4도의 타임차드에 의해 설명하면 입력신호가 ON되면, 릴레이(Ry)접점의 시간은 기계적인 동작시간(t1) 만큼 지연된 후 통전되었다가 OFF되는 경우 기계적인 시간(t2)만큼 지연되었다가 끊어진다.
또 릴레이(Ry)접정점사이에 연결된 포토트라이악(TRRAC1)은 축전기(C1)의 충전되는 시간보다 먼저 다이오드(D1)와 저항(R1)을 통해 포토다이오드(P. O)에 통전되어 포토트라이악(TRRAC1)을 도통시키게 되고 또 OFF되는 경우 축전기(C1)와 저항(R1)에 의해 방전되는 시간만큼 지연되므로 릴레이(Ry)의 접점에서는 불꽃 방전이 억제되어 접점의 소손을 방지함으로서 릴레이의 수명을 길게하며, 노이즈를 방지할 수 있게된다.
상기와 같은 이론을 근거하여 또 다른 실시예가 제3도에 도시되어 있다.
즉 제3도에 있어서 제2도의 다이오드(D1) 대신 NPN형 트랜지스터(TR)의 에미터-콜렉터가 연결되고 베이스에는 저항(R3)으로 접지되고 또 신호(+)에 연결된 것이다.
따라서 제4도의 트라이악(2)의 차드에서 보는 바와같이 신호가 입력되는 순간부터 축전기(C1)가 충전되는 시간만큼 다이오드(D3)와 축전지(C1) 및 NPN형 트랜지스터(TR)의 에미터-콜렉터를 통해 포토다이오드(P.D)가 점등되었다가 축전지(C1)가 충전된 다음에는 시간(t3)만큼 소등되고 다시 입력신호가 OFF되면 NPN형 트랜지스터(TR)가 즉시 도통되어 축전지(C1)의 충전된 저하를 방전시키는 시간만큼 지연되어 신호 ON, OFF의 처음과 끝을 지연시키므로 릴레이 접점의 포토트라이악(TRIAC1)에는 시작과 끝시간 동안만 도통되므로 릴레이(Ry)접점의 손손없이, 또 불꽃방전이 방지되며 노이즈를 없애면서도 반도체인 포토트라이악(TRIAC1)에 흐르는 전류가 극히 적으므로 발열이 없어서 방열장치 등의 거추장스런 설치를 하지 아니하여도 좋된다. 또한 상기한 실시에는 교류전원에서의 예이며, 직류전원시에는 릴레이(Ry)와 접점사이에 도시하지 않은 포토트랜지스터의 에미터-콜렉터를 연결하고 수광소자부인 베이스를 상기한 포토다이오드(P. D)의 광원에 의해 동작하도륵 할 수도 있으며 또한 포토 MOSFET의 트레인과 소오스를 상기한 릴레이접점의 양단에 연결하고 게이트를 포토다이오드의 광원에 맞출 수가 있고 상기한 교류전원시와 똑같은 효과를 얻을 수 있는 것이 다.

Claims (3)

  1. 반도체 스위칭소자를 릴레이접점 사이에 연결하여서 되는 무접점스위치를 구성하는 것에 있어서, 다이오드(D3)와 축전기(C1) 및 저항(R2)이 신호입력 사이에 연결되고, 이와 병열로 다이오드(D1)와 저항(R1) 및 포토다이오드(P. D)가 직렬연결되며, 상기한 축전기(C1)와 저항(R1)사이에 다이오드(D2)가 연결되어 포토트라이악(TRIAC)에 신호를 주도록하여서 되는 솔리드 스테이트 릴레이.
  2. 청구의 범위 제1항에 있어서 다이오드(D1)가 NPN형 트랜지스터(TR)로 되는 것을 특징으로 하는 솔리드 스테이트릴레이.
  3. 청구의 범위 제1항 기재의 반도체 스위칭소자가 포토트랜지스터 또는 포토 MOSFET로 되는 것을 특징으로 하는 솔리드 스테이트 릴레이.
KR2019900016222U 1988-03-28 1990-10-25 솔리드 스테이트 릴레이(Solid State Rylay) KR900011165Y1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019900016222U KR900011165Y1 (ko) 1988-03-28 1990-10-25 솔리드 스테이트 릴레이(Solid State Rylay)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019880003388A KR890015323A (ko) 1988-03-28 1988-03-28 솔리드 스테이트 릴레이(Solid State Rylay)
KR2019900016222U KR900011165Y1 (ko) 1988-03-28 1990-10-25 솔리드 스테이트 릴레이(Solid State Rylay)

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019880003388A Division KR890015323A (ko) 1988-03-28 1988-03-28 솔리드 스테이트 릴레이(Solid State Rylay)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR900011165Y1 true KR900011165Y1 (ko) 1990-12-20

Family

ID=26627833

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2019900016222U KR900011165Y1 (ko) 1988-03-28 1990-10-25 솔리드 스테이트 릴레이(Solid State Rylay)

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR900011165Y1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101502451B1 (ko) * 2012-12-12 2015-03-13 한국건설기술연구원 유체 제어 장치, 그리고 유체 제어 시스템 및 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101502451B1 (ko) * 2012-12-12 2015-03-13 한국건설기술연구원 유체 제어 장치, 그리고 유체 제어 시스템 및 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4745311A (en) Solid-state relay
KR930001442B1 (ko) 반도체 릴레이 회로
US4217618A (en) Thyristor firing circuit module with integral optical isolation, dv/dt limitation, and bidirectional voltage transient suppression
KR100381971B1 (ko) 자여식dc-dc컨버터
EP0379320A1 (en) Photocoupler circuit
KR900011165Y1 (ko) 솔리드 스테이트 릴레이(Solid State Rylay)
US4174896A (en) Adapter for electronic flash unit
KR19990082549A (ko) 열 보호 스위칭 트랜지스터를 포함하는 장치
US3568005A (en) Control circuit
GB2049329A (en) Electrical load control system
JP2521663B2 (ja) 半導体リレ−回路
US5134304A (en) Light projecting circuit in a photoelectric switch
JP2520332B2 (ja) ストロボ装置
JP3707002B2 (ja) スイッチ回路
SU1444903A1 (ru) Устройство дл бездуговой коммутации электрической цепи
SU1756590A1 (ru) Генераторное устройство с искробезопасным выходом
RU2019916C1 (ru) Коммутирующее устройство
JPH039393Y2 (ko)
KR200176401Y1 (ko) 캐패시터 돌입 전류방지 회로
KR200148206Y1 (ko) 무접점 릴레이 장치
JPS5842971B2 (ja) 近接スイッチ
US3571751A (en) Transistor-reed switch flasher
SU868607A1 (ru) Устройство дл фиксации продолжительности исчезновени напр жени сети
SU1398076A1 (ru) Реле времени
KR100356100B1 (ko) 지연석방릴레이

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right