KR19990082549A - 열 보호 스위칭 트랜지스터를 포함하는 장치 - Google Patents

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KR19990082549A
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KR1019980706287A
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루돌프 하슬레르
Original Assignee
요트. 게. 아. 롤페즈
코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
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    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
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    • H03K2017/0806—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage against excessive temperature

Abstract

장치(1)에 접속된 부하(4)에 전력을 공급하기 위한 장치(1)는 구동기 스테이지(7), 구동기 스테이지(7)에 턴-온 펄스를 공급하도록 적합된 제어 유닛(9), 및 턴-온 펄스가 발생할 경우 전원-온 모드시 기간(TEIN) 동안 도통 상태로 구동될 수 있으며 기간(TEIN)의 만료후 비도통 상태로 구동될 수 있는 스위칭 트랜지스터(11)를 갖는 출력 스테이지(12)를 구비하며, 구동기 스테이지(7)는 또한 스위칭 트랜지스터(11)의 동작 온도(TS)를 모니터하고 스위칭 트랜지스터(11)의 동작 온도(TS)가 제 1 제한 온도(TG1)를 초과할 때 전원-오프 모드를 활성화하도록 적합되며, 전원-오프 모드에서 스위칭 트랜지스터(11)는 턴-온 펄스(IS)의 발생에도 불구하고 구동기 스테이지(7)에 의해 그 비도통 스위칭 상태로 불변하게 구동되며, 상기 구동기 스테이지(7)는 스위칭 트랜지스터(11)의 동작 온도(TS)를 모니터하기 위해 감지 트랜지스터(21), 감지 저항기(22), 턴-온 트랜지스터(23), 턴-온 저항기(24)를 구비하고, 스위칭 트랜지스터(11)의 단락 스위칭 시간을 얻기 위해 제너 다이오드(29), 턴-오프 스테이지(32)를 더 구비하며, 감지 트랜지스터(21)는 스위칭 트랜지스터(11)의 동작 온도(TS)에 의해 실질적으로 영향을 받지 않도록 배치된다.

Description

열 보호 스위칭 트랜지스터를 포함하는 장치
서두에 규정된 형태의 장치는 예컨데 DE 38 43 277 A1 에 공지되어 있다. 이러한 공지된 장치에 있어서, 회로 장치는 전류 감지 저항기 및 클럭 발생기를 구비하는 제어 유닛을 포함하며, 상기 유닛은 턴-온 펄스를 구동기 스테이지에 공급하고 턴-온 펄스가 발생하는 경우 스위칭 트랜지스터는 턴-온 펄스가 전원-온 모드에서 하이 상태에 있는 시간 동안 구동기 스테이지에 의해 도통 스위치 상태로 구동될 수 있다.
공지된 장치가 동작하는 동안 출력 스테이지의 스위칭 트랜지스터는 동작 온도를 측정한다. 실례로 스위칭 트랜지스터가 영구적으로 도통하게 되거나 또는 상기 장치에 접속된 부하가 단락 회로가 되는 고장 상태에서, 스위칭 트랜지스터의 동작 온도는 강력하게 상승하게 되어, 스위칭 트랜지스터가 허용가능한 온도에 도달하거나 초과하는 위험이 있게되며, 그 결과로서 스위칭 트랜지스터는 손상을 입게 되거나 파괴될 수 도 있게 된다. 이러한 문제를 해소하기 위하여, 구동기 스테이지가 제공되며, 상기 스테이지는 출력 스테이지의 동작 온도를 모니터하도록 작용하고, 또한 스위칭 트랜지스터의 동작 온도가 최대 허용가능한 온도 보다 낮은 제 1 제한 온도를 초과할 때 전원-오프 모드를 활성화시키는 작용을 한다. 전원-오프 모드를 달성하기 위하여, 구동기 스테이지는 온도 종족 저항기, 즉 네가티브 온도 계수를 갖는 NTC 저항기를 포함한다. NTC 저항기는 열적 전도 접속을 통해 스위칭 트랜지스터에 접속되며, 그 결과로서 NTC 저항기는 스위칭 트랜지스터의 순간적 동작 온도를 측정한다. NTC 저항기는 제어 유닛의 출력에 접속된 한 단부와 구동기 스테이지의 제 2 저항기에 접속된 다른 단부를 가지며, 제 2 저항기로 온도 종속 전압 구동기를 형성하고, 이 구동기에 제어 유닛의 턴-온 펄스가 인가될 수 있고 그 탭핑을 스위칭 스테이지의 제어 입력에 접속하며, 상이 스테이지는 제어 유닛의 출력에 역시 접속되고 사이리스터형 장치의 두 트랜지스터를 구비한다. 전압-구동기 저항의 순간적 온도 종속 저항비에 따라서, 스위칭 스테이지는 전원-온 모드에 대응하는 비도통 스위칭 상태나 또는 전원-오프 모드에 대응하는 도통 스위칭 상태로 스위치될 수 있다.
전원-온 모드에서 발생하는 고정 상태의 경우 스위칭 저항기의 동작 온도가 상승할 때, NTC 저항기는 열적 전도 접속을 통해 강력하게 가열되며, 그 결과로서 NTC 저항기의 저항값이 감소한다. 스위칭 트랜지스터의 동작 온도가 제 1 제한 온도를 초과할 때 NTC 저항기의 저항은 감소하며, 그에 따라 전압 구동기의 저항기 사이의 저항비로 인하여 스위칭 스테이지를 그 도통 스위칭 상태로 구동되게 하고, 제어 유닛에 의해 구동기 스테이지로 공급된 턴-온 펄스는 스위칭 스테이지를 통해 기준 전위로 드레인되어, 전원-오프 모드가 상기 장치에서 활성화되어, 상기 모드에서 구동기 스테이지로부터 스위칭 펄스가 발생함에도 불구하고 스위칭 트랜지스터는 턴 온되지 않고서 비도통 스위칭 상태로 영구히 구동되며, 그 결과로서 부하에는 단지 미세한 전원이 공급되거나 또는 전혀 전원이 공급되지 않는다.
스위칭 트랜지스터가 비도통 스위칭 상태에 있고 따라서 스위칭 상태의 변경에 의해 스위칭 트랜지스터에 스위칭 손실이 발생되지 않는 전원-오프 모드에서, 스위칭 트랜지스터의 동작 온도 및 그에 따른 NTC 저항기의 온도가 냉각의 결과로서 감소하게 된다. 스위칭 트랜지스터의 온도가 제 2 제한 온도 이하로 떨어질 때, NTC 저항기의 저항은 증가하게 되어, 전압 구동기의 저항기 사이의 저항비로 인하여 스위칭 스테이지를 턴 오프되게 되므로, 전원-온 모드가 복원된다.
하지만, 공지된 장치에 있어서 만일 고장의 경우 스위칭 트랜지스터의 동작 온도는, 열적 전도 접속으로 스위칭 트랜지스터에 접속된 온도 종속 저항기 즉, NTC 저항기에 의해 전원-오프 모드의 활성화가 너무 늦게 달성되고 결과적으로 온도 종속 저항기가 제 1 제한 온도에 도달하기 전에 스위칭 트랜지스터가 과열에 의해 파괴될 정도로 빠르게 상승할 수 있다는 것이 밝혀졌다. 더욱이, 공지된 장치에 있어서 그 도통 스위칭 상태의 기간 끝에 스위칭 트랜지스터는 구동기 스테이지에 의해 상당히 느리게 그 비도통 스위칭 상태로 스위치될 뿐이며, 그 결과로서 스위칭 상태의 변경으로 인하여 스위칭 트랜지스터에 소비되는 전원은 비교적 높게 되고 스위칭 트랜지스터의 동작 온도는 동작시 계속적으로 상승된다는 것이 밝혀졌다. 하지만, 스위칭 트랜지스터의 동작 온도가 영구히 상승됨에 따라 바람직하지 않게 스위칭 트랜지스터의 수명도 단축된다.
본 발명은 구동기 스테이지, 구동기 스테이지에 턴-온 펄스를 공급하도록 적합된 제어 유닛, 및 스위칭 트랜지스터를 포함하는 출력 스테이지를 구비하며, 전원-온 모드시 장치에 접속된 부하에 전력을 공급하기 위한 회로 장치를 포함하는 장치로서, 상기 스위칭 트랜지스터는 턴-온 펄스가 발생할 경우 전원-온 모드시 기간 동안 도통 스위칭 상태를 취하도록 구동기 스테이지에 의해 턴-온될 수 있으며, 상기 기간의 만료후 비도통 스위칭 상태를 취하도록 턴-오프될 수 있으며, 구동기 스테이지는 또한 스위칭 트랜지스터의 동작 온도를 모니터하고 전원-오프 모드를 활성화하도록 적합되고, 상기 전원-오프 모드는 스위칭 트랜지스터의 동작 온도가 제 1 제한 온도를 초과할 때 활성화되며, 전원-오프 모드에서 스위칭 트랜지스터는 턴-온 펄스의 발생에도 불구하고 구동기 스테이지에 의해 그 비도통 스위칭 상태로 불변하게 구동되는, 상기 장치에 관한 것이다.
도 1은 구동기 스테이지가 스위칭 트랜지스터의 동작 온도를 모니터하도록 작용하는 감지 트랜지스터 및 감지 저항기를 구비하며, 구동기 스테이지가 스위칭 트랜지스터를 도통에서 비도통 스위칭 상태로 매우 빠르게 스위치될 수 있게 하는 제너 다이오드 및 턴-오프 스테이지를 더 구비하는, 스위치-모드 전원 형태의 본 발명의 제 1 실시예에 따른 장치를 도시하는 도면.
도 2A는 도 1에 도시된 장치에서 발생하는 턴-온 전류(IS)의 파형을 도시하는 도면.
도 2B는 도 1에 도시된 장치에 의해 부하에서 발생된 출력 전압(UA)의 파형을 도시하는 도면.
도 3은 스위칭 트랜지스터의 베이스-이미터 다이오드와 감지 트랜지스터의 베이스-이미터 다이오드에서의 온도-종속 전압 및 전류를 도시하는 도면.
도 4는 모터 차량의 자동 열 차단기로 제공된 본 발명의 제 2 실시예에 따른 장치를 도시하는 도면.
본 발명의 목적은 열적 전도 접속의 비활발성(inertia)에 의해 야기된 상술된 문제를 해소하고, 동작 온도가 고장의 경우 빠르게 상승할 때라도 출력 스테이지의 스위칭 트랜지스터가 파괴되지 않는, 서두에 규정된 형태의 개선된 장치를 제공하는 것이다. 서두에 규정된 형태의 장치에 있어서, 이러한 문제는: 구동기 스테이지가 감지 트랜지스터의 베이스-이미터 다이오드와 감지 저항기의 직렬 장치를 구비하며, 상기 직렬 장치는 스위칭 트랜지스터의 베이스-이미터 다이오드와 병렬로 접속되고, 감지 트랜지스터의 베이스 단자는 스위칭 트랜지스터의 이미터 단자에 접속되며, 상기 구동기 스테이지는 감지 트랜지스터의 컬렉터 단자에 접속된 베이스 단자와 감지 트랜지스터의 베이스 단자에 접속된 컬렉터 단자를 갖는 턴-온 트랜지스터를 더 구비하고, 상기 구동기 스테이지가는 턴-온 트랜지스터의 이미터 단자에 접속된 제 1 단자와 턴-온 트랜지스터의 컬렉터 단자에 접속된 제 2 단자를 갖는 턴-온 저항기를 더 구비하며, 상기 감지 트랜지스터가 스위칭 트랜지스터의 동작 온도에 의해 실질적으로 영향을 받지 않도록 배치된다는 것에 의해, 매우 간단히 해소될 수 있다. 이러한 방식에서, 어떠한 지연도 없이 스위칭 트랜지스터의 동작 온도를 따르는 전압으로서 스위칭 트랜지스터의 베이스-이미터 다이오드 양단의 온도 종속 전압은 전원-온 모드시 스위칭 트랜지스터의 동작 온도를 모니터하고 스위칭 트랜지스터의 동작 온도가 제 1 제한 온도를 초과할 때 전원-오프 모드를 활성화하도록 이용되며, 그 결과로서 전원-오프 모드는 어떠한 지연도 없이 활성화되며, 결과적으로 스위칭 트랜지스터는 높은 신뢰성을 갖는 방식으로 손상 및 파괴로부터 보호된다.
본 발명에 따른 장치에 있어서, 감지 트랜지스터 및 턴-온 트랜지스터가 사이리스터로 형성되는 경우 유익한 것으로 판명되었다. 구동기 스테이지는 감지 트랜지스터를 턴-온 트랜지스터와 결합함으로써 매우 간단하게 실행된다.
본 발명에 따른 장치에 있어서, 구동 스테이지가 턴-온 저항기의 제 1 단자에 접속된 제 1 단자와 스위칭 트랜지스터의 베이스 단자에 접속된 제 2 단자를 가지며, 장치가 동작하는 동안 턴-온 트랜지스터의 제 1 단자와 스위칭 트랜지스터의 베이스 단자 사이에 발생하는 전압을 제너 전압으로 제한하는 제너 다이오드를 더 구비하는 경우 유익한 것으로 판명되었다. 이러한 방식에서, 구동기 스테이지의 스위칭 트랜지스터는 그 도통에서 그 비도통 스위칭 상태로 매우 빠르게 스위칭될 수 있으며, 그 결과로서 단지 낮은 스위칭 손실 만이 발생하고 결과적으로 스위칭 트랜지스터의 수명 연장이 달성될 수 있게 된다. 제너 다이오드의 제공과 턴-온 저항기의 제 1 단자와 스위칭 트랜지스터의 베이스 단자 사이의 전압을 제너 전압으로 제한하는 것에 의해서, 높은 유전 세기를 갖는 값비싼 고전압 트랜지스터가 요구되지 않으므로 감지 트랜지스터 및 턴-온 트랜지스터에 대하여 상업적으로 이용가능한 트랜지스터 또는 상업적으로 이용가능한 값싼 사이리스터가 이용될 수 있게 된다.
본 발명에 따른 장치에 있어서, 상기 구동기 장치가 도통 스위칭 상태로부터 비도통 스위칭 상태로의 스위칭 트랜지스터의 스위칭 시간이 감소될 수 있게 하는 턴-오프 스테이지를 더 구비하며, 턴-오프 스테이지는 턴-오프 저항기, 턴-오프 커패시터 및 턴-오프 트랜지스터를 구비하며, 턴-오프 트랜지스터는 턴-오프 저항기의 제 1 단자에 접속되고 턴-온 저항기의 제 1 단자에 접속된 이미터 단자를 가지고, 턴-오프 트랜지스터는 턴-오프 저항기의 제 2 단자에 접속되고 턴-오프 커패시터의 제 1 단자에 접속된 베이스 단자를 가지며, 또한 턴-오프 트랜지스터는 스위칭 트랜지스터의 베이스 단자에 접속된 컬렉터 단자를 가지며, 상기 커패시터는 스위칭 트랜지스터의 컬렉터 단자에 접속된 제 2 단자를 갖는 경우 유익한 것으로 판명되었다. 이러한 방식에 있어서, 스위칭 트랜지스터의 스위칭 상태의 급속한 변경이 턴-오프 스테이지에 의해 진행되고, 결과적으로 스위칭 트랜지스터는 턴-오프 스테이지를 포함하는 구동기 스테이지에 의해 도통에서 비도통 상태로 매우 빠르게 스위칭될 수 있게 되며, 그 결과로서 특히 낮은 스위칭 손실과 그에 따른 스위칭 트랜지스터의 수명 연장이 달성될 수 있게 된다.
본 발명에 따라서, 구동기 스테이지가 집적 회로에 의해 실행되는 경우 유익한 것으로 판명되었다. 이러한 것은 특히 값싸고 신뢰가능한 구동기 스테이지를 얻게 한다.
본 발명의 상술된 점과 또다른 특징은 이후 기술되는 실시예로부터 명확하게 이해될 수 있으며, 이들 실시예에 기초하여 설명될 것이다.
본 발명은 본 발명을 제한하지는 않는 두 실시예를 도시하는 도면을 참조하여 상세하게 설명될 것이다.
도 1은 스위치-모드 전원을 형성하는 장치(1)를 도시하며, 상기 장치(1)는 장치(1)의 전원-온 모드시 장치(1)의 출력 단자(3)에 접속된 부하(4)에 전원을 공급하기 위한 회로(2)를 구비한다. 장치(1)의 전원-오프 모드시에, 장치(1)는 그 출력 단자(3)를 통하여 단지 매우 낮은 전원을 부하(4)에 공급하거나 거의 공급하지 않는다. 저항기로서 도식적으로 도시된 부하(4)는 실례로 전기적 충전기 및 전기적 충전기에 접속된 배터리를 구비한다. 기준 전위(6)와 관련하여 제 1 입력 단자(5)상에 나타나는 입력 직류 전압(UE)은 장치(1)로 공급될 수 있으며, 그 입력 직류 전압(UE)은 실례로 100V 내지 370V 범위의 전압 값을 가질 수 있다.
회로(2)의 구동기 스테이지(7)는 입력 단자(5)에 접속되며, 그에 따라 입력 직류 전압(UE)을 구동기 스테이지(7)에 공급되게 한다. 제어 유닛(9)은 연속하는 턴-온 펄스를 구비하는 펄스형의 턴-온 전류(IS)를 공급할 수 있으며, 도 2A에 도시된 그 파형 i 는 구동기 스테이지(7)의 제어 단자(8)를 통하여 구동기 스테이지(7)에 공급될 수 있다. 출력 스테이지(12)의 스위칭 트랜지스터(11)는 고전압 트랜지스터에 의해 형성될 수 있으며, 구동기 스테이지(7)의 제어 출력(10)에 접속된 베이스 단자를 갖고, 스위칭 트랜지스터(11)는 제어 출력(10)으로부터 베이스 전류(IBS)를 수신하도록 배치된다.
구동기 스테이지(7)는 또한 스위칭 트랜지스터(11)의 이미터 단자에 접속된 전압 출력(13)을 갖는다. 스위칭 트랜지스터(11)는 출력 스테이지(12)의 프리휠 다이오드(14)의 캐소드 단자에 접속된 컬렉터 단자를 갖고, 상기 다이오드는 기준 전위(6)에 접속된 애노드 단자를 갖는다. 스위칭 트랜지스터(11)의 컬렉터 단자는 또한 출력 스테이지(12)의 저장 코일(15)의 제 1 단자에 접속되며, 상기 코일의 제 2 단자는 출력 스테이지의 충전 커패시터(16)의 제 1 단자에 접속된다. 충전 커패시터(16)는 기준 전위(6)에 접속된 제 2 단자를 갖는다. 저장 코일(15) 및 충전 커패시터(16)는 장치(1)의 출력 단자(3)와 제어 유닛(9)의 피드백 입력(17) 모두에 접속된 공통 단자를 갖는다. 피드백 입력(17)에 의해 제어 유닛(9)은 장치(1)의 출력 단자(3)에 접속된 부하(4)와 충전 커패시터(16)에 나타나는 출력 전압(UA)을 수신할 수 있으며, 그 파형이 도 2B에 도시된다. 제어 스테이지(9)의 피드백 입력(17)은 출력 전압(UA)에 따라서 제어 유닛(9)의 전류원 트랜지스터(19)를 도통 또는 비도통 스위칭 상태로 구동하는 피드백 스테이지(18)에 접속되며, 상기 트랜지스터(19)는 피드백 스테이지(18)에 접속된 베이스 단자를 갖는다. 전류원 트랜지스터(19)는 또한 기준 전위(6)에 접속된 이미터 단자를 가지며, 전류원 저항기(20)를 통하여 구동기 스테이지(7)의 제어 단자(8)에 접속된 컬렉터 단자를 갖는다. 출력 스테이지(12) 및 제어 유닛(9)은 당업자들 사이에 공지된 dc-dc 변환기를 형성한다.
제어 스테이지(9)가 도 2A에 도시된 파형의 턴-온 전류(IS)의 턴-온 펄스를 순간 tEIN에 구동기 스테이지(7)에 공급할 때, 출력 스테이지(12)의 스위칭 트랜지스터(11)는 이후 상세히 설명될 턴-온 동작 동안 전원-온 모드시 구동기 스테이지(7)에 의해 도통 스위칭 상태로 구동된다. 이러한 결과로서, 입력 전압(UE)은 프리휠 다이오드(14)에 공급되고, 역방향으로 극성화된다. 이러한 전압은 또한 저장 코일(15)와 충전 커패시터(16)의 직렬 장치에 나타나며, 상기 직렬 장치는 프리휠 다이오드(14)와 병렬로 접속된다. 이러한 전압은 저장 코일(15)에 톱니파형 코일 전류(IL)를 발생시키며, 상기 전류는 충전 커패시터(16)를 충전시킨다. 결과적으로, 도 2B에 도시된 신호 파형으로서 출력 전압(UA)에 대응하는 충전 커패시터(16) 양단의 전압은 최대 출력 전압(UA-MAX)로 증가한다.
이후 상세히 설명될 바와 같이, 턴-오프 동작의 완료시 제어 유닛(9)이 더 이상 턴-온 전류(IS)의 턴-온 펄스를 구동기 스테이지(7)에 공급하지 않는 순간 tAB에서 순방향 기간 TEIN의 만료후 구동기 스테이지(7)는 스위칭 트랜지스터(11)를 턴-오프한다. 플라이백 기간(TAB)에 충전 커패시터(16)에 의해 부하(4)에 공급된 전원의 결과로서 출력 전압(UA)은 감소한다. 피드백 스테이지(18)가 최소 출력 전압(UA-MIN)을 검출할 경우 피드백 스테이지(18)는 전류원 트랜지스터(19)를 턴-온하며, 그 결과로서 전류원 트랜지스터(19)와 전류원 트랜지스터(20)에 의해 형성된 전류원은 턴-온 전류(IS)를 구동기 스테이지(7)의 제어 단자(8)에 공급하고, 따라서 구동기 스테이지는 전원-온 모드에서 스위칭 트랜지스터(11)를 턴-온하고, 충전 커패시터(16)의 충전이 재개된다. 결과적으로 출력 단자(3)를 통하여 장치(1)에 의해 부하(4)에 공급된 출력 전압(UA)은 평균 출력 전압(UA-MIT)으로 변화한다. 다음 피드백 스테이지(18)는 출력 단자(3)를 통하여 장치(1)에 접속된 부하(4)에 따라서 스위칭 트랜지스터(11)의 플라이백 기간(TAB)을 제어한다.
장치(1)가 동작하는 동안 출력 스테이지(12)의 스위칭 트랜지스터(11)는 동작 온도(TS)를 추정한다. 실례로, 스위칭 트랜지스터(11)가 도통 스위칭 상태로 영구히 구동되거나, 또는 장치(1)에 접속된 부하(4)가 단락 회로가 되는 고장 상태가 되는 경우, 스위칭 트랜지스터(11)의 동작 온도(TS)는 강력하게 상승하여, 스위칭 트랜지스터(11)가 손상을 입거나 또는 제 1 제한 온도(TG1) 이상의 초과 온도의 결과로서 파괴될 수 있게 되는 위험이 발생한다. 스위칭 트랜지스터(11)의 그러한 손상을 방지하기 위하여, 장치(1)의 구동기 스테이지(7)는 스위칭 트랜지스터(11)의 동작 온도(TS)를 모니터하고, 스위칭 트랜지스터(11)의 동작 온도(TS)가 제 1 제한 온도(TG1)를 초과할 경우 활성화되는 전원-오프 모드를 활성화시키도록 적합되며, 이러한 전원-오프 모드에서 스위칭 트랜지스터(11)는 턴-온 전류(IS)의 턴-온 펄스의 발생에도 불구하고 영구히 차단된다. 이러한 목적을 위하여, 구동기 스테이지(7)는 감지 트랜지스터(21)의 베이스-이미터 다이오드와 감지 저항기(22)의 직렬 장치를 구비하며, 이러한 직렬 장치는 스위칭 트랜지스터(11)의 베이스-이미터 다이오드와 병렬로 배치되고, 감지 트랜지스터(21)는 스위칭 트랜지스터(11)의 이미터 단자에 접속된 베이스 단자를 갖는다. 상기 목적을 위하여, 구동기 스테이지(7)는 또한 턴-온 트랜지스터(23)의 이미터 단자에 접속된 제 1 단자(25)와 턴-온 트랜지스터(23)의 컬렉터 단자에 접속된 제 2 단자(26)를 갖는 턴-온 저항기(24)를 구비한다. 턴-온 저항기(24)와 턴-온 트랜지스터(23)의 병렬 장치의 저항기는 스위칭 트랜지스터(11)용 동적 이미터 저항(27)을 형성한다. 블리더 저항기(28)는 턴-온 저항기(24)의 제 1 단자(25)에 접속된 제 1 단자와 턴-온 트랜지스터(23)의 베이스 단자에 접속된 제 2 단자를 갖는다. 회로 장치(2)내 구동기 스테이지(7)의 감지 트랜지스터(21)는 스위칭 트랜지스터(11)의 동작 온도(TS)가 감지 트랜지스터(21)에 실질적으로 영향을 미치지 않는 방식으로 배치된다. 동작시, 이러한 것은 장치(1)의 주변 온도(TU)를 실질적으로 추정하는 감지 트랜지스터(21)의 온도와 동작 온도(TS)를 추정하는 스위칭 트랜지스터(11)의 온도 사이의 온도차(TD)로 귀착된다. 스위칭 트랜지스터(11)의 동작 온도(TS)가 제 1 제한 온도(TG1)를 초과하지 않으며, 따라서 온도차(TD)가 주어진 값을 초과하지 않는 경우, 장치(1)는 파워-온 모드에 있게 된다. 스위칭 트랜지스터(11)의 동작 온도(TS)가 제 1 제한 온도(TGI)를 초과하며, 결과적으로 온도차(TD)가 주어진 값을 초과하는 경우, 이후 상세히 기술될 바와 같이 파워-오프 모드가 발생한다.
턴-온 트랜지스터(23), 감지 트랜지스터(21) 및 스위칭 트랜지스터(11)가 파워-온 모드 또는 파워-오프 모드에서 비도통 스위칭 상태에 있고, 제어 유닛(9)이 턴-오프 전류(IS)의 턴-온 펄스를 구동기 스테이지(7)에 공급하는 경우, 스위칭 트랜지스터(11)의 턴-온 동작이 구동기 스테이지(7)에서 개시된다. 턴-온 동작에 있어서, 턴-온 전류(IS)는 기본적으로 스위칭 트랜지스터(11)의 베이스 단자에 대한 베이스 구동 전류(IBS)와 감지 트랜지스터(21)의 이미터 단자에 대한 이미터 감지 전류()로 분할된다. 이러한 베이스 구동 전류(IBS)는 이미 스위칭 트랜지스터(11)를 턴-온한다. 하지만, 스위칭 트랜지스터(11)의 동적 이미터 저항이 턴-온 저항기(24)의 매우 높은 임피던스에 의해 결정되는 경우에 따라, 스위칭 트랜지스터(11)는 저장 코일(20)에 거의 코일 전류(IL)를 공급하지 않으며, 그러한 결과로서, 스위칭 트랜지스터(11)는 실질적으로 마치 비도통 상태에 있는 것과 같이 작동한다.
턴-온 동작 동안 스위칭 트랜지스터(11) 및 감지 트랜지스터(21)가 실질적으로 동일한 동작 온도, 예컨데 동작 온도(T1)를 갖고, 결과적으로 온도차(TD)가 없거나 미세하여, 장치(1)의 전원-온 모드가 활성화되는 경우, 도 3에 도시된 다이오드 특성(KT1)은 두 트랜지스터(11 및 21)의 베이스-이미터 다이오드에 유효하게 된다. 베이스 구동기 전류(IBS)는 결과적으로 스위칭 트랜지스터(11)의 베이스-이미터 다이오드 양단에 전압(UEB-S(T1))을 발생하고, 상기 전압(UEB-S(T1))은 감지 트랜지스터(21)의 베이스-이미터 다이오드 양단의 전압()과 감지 저항기(22) 양단의 전압()이 된다. 감지 트랜지스터(21)의 베이스-이미터 다이오드 양단의 전압()은 감지 트랜지스터(21)를 턴-온시킨다. 턴-온된 감지 트랜지스터(21)는 블리더 저항기(28)를 통하여 블리더 전류(IAB)를 공급하고 턴-온 트랜지스터(23)의 베이스 단자를 통하여 베이스 턴-온 전류(IBE)를 공급하며, 베이스 턴-온 전류(IBE)는 또한 턴-온 트랜지스터(23)를 턴-온시킨다. 턴-온 트랜지스터(23)와 턴-온 저항기(24)의 병렬 장치에 의해 형성된 동적 이미터 저항(27)은 도통 턴-온 트랜지스터(23)로 인하여 매우 낮은 저항값을 취하고, 그 결과로서 기본적으로 입력 직류 전압(UE)이 프리휠 다이오드(14)에 나타나고, 턴-온 동작이 완료된다. 이러한 것은 턴-온 트랜지스터(23) 및 스위칭 트랜지스터(11)를 통하여 초기에 작은 톱니파형 코일 전류(IL)가 있게 하고, 그러한 전류는 출력 전압(UA-MIN)으로 방전된 저장 커패시터(16)를 재충전한다. 제어 유닛(9)이 턴-온 전류(IS)의 턴-온 펄스를 구동기 스테이지(7)에 공급할 때, 스위칭 트랜지스터(11)는 전원-온 모드에서 기간 TEIN동안 구동기 스테이지에 의해 전환되며, 스위칭 트랜지스터(11)는 제 1 제한 온도(TG1) 보다 작은 동작 온도(TS)를 갖는다.
반대로, 고장 상태에서 스위칭 트랜지스터(11)가 제 1 제한 온도(TG1) 보다 이미 높거나 또는 동일한 빠르게 상승하는 동작 온도(T2)를 나타내고, 결과적으로 스위칭 트랜지스터(11)와 감지 트랜지스터(21)의 동작 온도 사이의 크고 빠른게 증가하는 온도차(TD)가 존재하는 경우, 다이오드 특성 KT1은 동작 온도(T1)를 갖는 감지 트랜지스터(21)의 베이스-이미터 다이오드에 대해 유효하며, 다이오드 특성 KT2는 고장의 경우 빠르게 상승하는 동작 온도(T2)로 가열된 스위칭 트랜지스터(11)의 베이스-이미터 다이오드에 대해 유효하다. 제어 유닛(9)으로부터 턴-온 전류(IS)에 의해 야기된 스위칭 트랜지스터(11)의 베이스 단자의 베이스 구동 전류(IBS)는 감지 트랜지스터(21)의 베이스-이미터 다이오드 양단에 전압()을 발생하고, 감지 저항기(22) 양단에 전압()을 발생한다. 본 경우에서는 작은 전압이 되는 감지 트랜지스터(21)의 베이스-이미터 다이오드 양단의 전압()은 감지 트랜지스터(21)를 턴-오프하는데 적합하지 않다. 결과적으로, 스위칭 트랜지스터(23)는 비도통 스위칭 상태로 남아있게 되며, 스위칭 트랜지스터(11)의 동적 이미터 저항(27)은 높게 유지된다. 스위칭 트랜지스터(11)의 높은 동적 이미터 저항(27)으로 인하여, 스위칭 트랜지스터(11)는 저장 코일(15)에 실질적으로 코일 전류(IL)를 공급하지 않으며, 그 결과로서 스위칭 트랜지스터(11)는 실질적으로 마치 비도통 상태와 같이 동작한다.
스위칭 트랜지스터(11)와 감지 트랜지스터(21)의 동작 온도 사이에 큰 온도차(TD)가 발생하는 경우, 구동기 스테이지(7)는 장치(1)의 전원-오프 모드를 활성시킨다. 본 경우에서 전원-오프 모드가 되는 장치(1)의 턴-온 트랜지스터(11)의 턴-온 동작은 턴-온 전류(IS)의 턴-온 펄스의 발생에도 불구하고 스위칭 트랜지스터(11)를 계속해서 실질적으로 차단 상태로 있게 한다.
스위칭 트랜지스터(11)의 동작 온도(TS)가 고장의 경우에 있어서 빠르게 상승할 때, 구동기 스테이지(7)의 각각의 턴-온 동작시 베이스-이미터 다이오드에 나타나는 전압(UEB-S)은 어떠한 시간 지연 없이도 변화하게 되는데, 이는 전압(UEB-S)이 스위칭 트랜지스터(11)의 온도-종속 다이오드 특성에 직접 의존하기 때문이다. 바람직하게, 장치(1)의 고장 상태의 경우에 구동기 스테이지(7)에 의한 지연 없이 전원-오프 모드가 활성화될 수 있어, 높은 신뢰가능한 방식으로 스위칭 트랜지스터(11)가 손상 또는 파괴로부터 보호될 수 있게 된다.
장치(1)는 또한 턴-온 저항기(24)의 제 1 단자(25)에 접속된 캐소드 단자인 제 1 단자(30)와 스위칭 트랜지스터(11)의 베이스 단자에 접속된 애노드 단자인 제 2 단자(31)를 갖는 제너 다이오드(29)를 더 구비하며, 상기 제너 다이오드는 장치(1)의 동작 동안 턴-온 저항기(24)의 제 1 단자와 스위칭 트랜지스터(11)의 베이스 단자 사이에 나타나는 전압(UZD)을 통상 10V 정도인 제너 전압(UZ)으로 제한한다.
턴-온 트랜지스터(23)와 스위칭 트랜지스터(11) 모두가 전원-온 모드에서 턴-온 동작후에 턴-온되는 경우, 두 트랜지스터(11 및 23)를 통하여 흐르는 코일 전류(IL)는 톱니파로서 증가한다. 턴-온 트랜지스터(23)는 턴-온 트랜지스터(23)를 통하여 흐르는 코일 전류(IL)의 주어진 값으로부터 시작하여 턴-온 트랜지스터(23)의 컬렉터 단자와 이미터 단자 사이의 전압(UEC-X)이 매우 빠르게 증가하도록 되는데, 이는 턴-온 트랜지스터(23)가 이미 코일 전류(IL)에 의해 충전 캐리어로 포화되기 때문이다. 코일 전류(IL)가 톱니파로서 더욱 증가함에 따라, 턴-온 트랜지스터(23)의 포화 전압으로 공지된 전압(UEC-X)는 제너 다이오드(29) 양단의 전압(UZD)이 실질적으로 제너 전압(UZ)에 도달할 때까지 상승한다. 이러한 순간에서 제너 다이오드(29)는 도통 상태가 되고 제너 전류(IZ)를 전달하여, 스위칭 트랜지스터(11)의 컬렉터 단자를 통하여 흐르는 전류의 일부를 대신하게 된다. 이러한 것은 역 방향의 스위칭 트랜지스터(11)의 베이스 구동 전류(IBS)가 되게 하여, 스위칭 트랜지스터(11)가 코일 전류(IL)를 더 이상 유지할 수 없고 코일 전류(IL)가 매우 빠르게 차단될 때까지 스위칭 트랜지스터(11)의 도통 상태에서 스위칭 트랜지스터(11)에서 발생하는 베이스-컬렉터 충전을 천천히 감소시킨다. 결과적으로, 스위칭 트랜지스터(11)의 이미터 단자와 컬렉터 단자 사이의 전압(UEC-S)는 빠르게 증가한다. 이제 블리더 저항기(28)를 통해 흐르는 블리더 전류(IAB)는 턴-온 트랜지스터(23)의 베이스-이미터 충전을 제거하며, 그에 따라 턴-온 트랜지스터(23)의 의도치 않은 턴-온을 배제시킨다.
바람직하게, 구동기 스테이지에 의한 스위칭 트랜지스터(11)의 기술된 턴-오프 동작은 스위칭 트랜지스터(11)를 도통에서 비도통 상태로 빠르게 즉, 적은 스위칭 시간으로 스위칭되게 한다. 스위칭 트랜지스터(11)의 스위칭 손실은 스위칭 시간 동안 스위칭 트랜지스터(11)를 통하여 흐르는 흐르는 코일 전류(IL)와 스위칭 시간 동안 스위칭 트랜지스터 양단에 나타나는 전압(UEC-S)의 곱과 스위칭 시간에 의해 규정된다. 적은 스위칭 시간으로 인하여 스위칭 트랜지스터(11)에서 발생된 낮은 스위칭 손실은 동작하는 동안 스위칭 트랜지스터(11)의 영구적인 낮은 동작 온도(TS)로 되게 하며, 스위칭 트랜지스터(11)의 수명을 연장시킨다. 바람직하게, 전압(UZD)은 제너 다이오드(29)에 의해 제너 전압(UZ)으로 제한되어, 감지 증폭기(21)와 턴-온 트랜지스터(23)에 대하여 저렴하게 상업적으로 이용가능한 트랜지스터를 사용할 수 있게 하는데, 이는 높은 유전 세기를 갖는 값비싼 고전압 트랜지스터가 필요치 않기 때문이다.
장치(1)의 구동기 스테이지(7)는 또한 턴-오프 스테이지(32)를 더 구비하며, 그에 의해서 스위칭 트랜지스터(11)가 도통 상태에서 비도통 상태로 매우 빠르게 스위칭될 수 있으며, 결과적으로, 스위칭 트랜지스터(11)의 스위칭 시간은 줄어들 수 있다. 턴-오프 스테이지(32)는 턴-오프 저항기(35), 턴-오프 커패시터(34) 및 턴-오프 트래지스터(35)를 구비하며, 상기 턴-오프 트랜지스터(35)는 턴-오프 저항기(33)의 제 1 단자(36)와 턴-온 저항기(24)의 제 1 단자(25)에 접속된 이미터 단자와, 턴-오프 저항기(33)의 제 2 단자(37)와 턴-오프 커패시터(34)의 제 1 단자(38)에 접속된 베이스 단자와, 스위칭 트랜지스터(11)의 베이스 단자에 접속된 컬렉터 단자를 가지며, 상기 턴-오프 커패시터(34)는 스위칭 트랜지스터(11)의 컬렉터 단자에 접속된 제 2 단자(39)를 갖는다.
장치(1)가 전원-온 모드에서 활성화되고, 스위칭 트랜지스터(11)가 도 2B에 표시된 턴-오프 순간 TAB에서 이루어진 턴-오프 동작후 이미 턴-오프된 경우, 저장 코일(15) 양단에 발생된 전압(UL)의 극성은 변경되고, 그 결과로서 톱니파로서 감소하는 코일 전류(IL)가 프리휠 다이오드(14)를 경유하여 저장 코일(15)을 통해 저장 커패시터(16)로 흐르게 된다. 이러한 과도 전압은 또한 스위칭 트랜지스터(11)의 컬렉터 단자에 접속되는, 턴-오프 커패시터(34)의 제 2 단자(39)상에 발생한다. 턴-오프 커패시터(34) 양단의 결과적 전압(UCA)은 턴-오프 트랜지스터(35)를 그 도통 상태로 구동하는 턴-오프 저항기(33) 양단의 전압(URA)을 발생한다. 결과적으로 턴-오프 트랜지스터(35)를 통하여 흐르는 턴-오프 전류(IA)는 제너 다이오드(29)의 충전 캐리어를 제거하며, 스위칭 트랜지스터(11)의 베이스-컬렉터 충전의 쇠퇴를 가속화하여, 그에 따라 스위칭 시간을 감소시킨다. 이러한 것은 스위칭 트랜지스터(11)의 스위칭 시긴의 추가적인 감소를 제공하고, 그 결과로서 매우 작은 스위칭 손실과, 그에 따른 스위칭 트랜지스터(11)의 수명 연장이 달성된다는 점에서 유익하다.
턴-오프 동작 동안 충전 캐리어로 포화되며 이러한 경우의 전압(UEC-X)이 제너 전압(UZ)과 실질적으로 일치하는, 턴-오프 트랜지스터(23)는 스위칭 시간 동안 역 방향으로 스위칭 트랜지스터(11)의 이미터-베이스 다이오드를 바이어스하고 역 베이스 전압을 확립하기에 충분한 충전을 갖는다. 이러한 역 베이스 전압은 스위칭 트랜지스터(11)의 유전 세기를 개선시키며, 이는 예컨데 저장 코일(15)이 표유 인덕턴스를 갖는 변압기에 의해 형성되는 경우 유익하다.
회로 장치(2)의 트랜지스터(2)는 또한 역 트랜지스터에 의해 실행될 수 있다는 것을 유의 해야한다. 그때 각각의 npn 트랜지스터는 pnp 트랜지스터로 또는 그 역으로 교체하여야한다.
또한, 실제로 사이리스터와 같은 장치에 접속된 트랜지스터(21 및 23)는 사이리스터(40)로 구성되는데, 이는 감지 트랜지스터(21)와 턴-온 트랜지스터(23)를 사이리스터(40)로 결합하는 것이 매우 간단한 구동기 스테이지(7)를 야기하기 때문이다.
도 4는 장치(1)를 통하여 부하(4)로서 배치된 두 점멸등(43)에 접속된 차량용 배터리(42)의 전기적 보호를 위한 모터 차량(41)의 자동 열 퓨즈로서 이용된 장치(1)를 도시한다. 장치(1)의 구동기 스테이지(7) 및 제어 유닛(9)은 집적 회로(44)로 형성되어, 특히 저렴한 장치(1)가 얻어진다. 장치(1)의 출력 스테이지(12)는 스위칭 트랜지스터(11)와 종단 저항기(45)로 형성되며, 상기 종단 저항기(45)는 스위칭 트랜지스터(11)의 컬렉터 단자에 접속된 제 1 단자와 기준 전위(6)에 접속된 제 2 단자를 갖는다. 장치(1)에 있어서, 차량용 배터리(42)의 포지티브 단자는 장치(1)의 제 1 입력 단자(5)에 접속되며, 상기 장치(1)의 제 1 입력 단자(5)에는 12V 의 직류 전압이 공급될 수 있다.
모터 차량(42)에서, 모터 차량(42)의 사용자가 점멸 모드를 활성화하는 경우 도 2A에서 도시된 턴-온 전류(IS)의 턴-온 펄스로 형성된 직사각형 점멸 펄스를 제어 유닛(9)의 전류원 트랜지스터(19)에 공급하는 펄스 발생기(46)가 제공된다. 장치(1)에서, 턴-온 순간(tEIN)은 점멸 펄스의 하강 에지에 의해 결정되고, 턴-오프 순간(tAB)은 점멸 펄스의 상승 에지에 의해 결정된다. 이렇게, 구동기 스테이지(7)의 턴-온 동작과 턴-오프 동작은 점멸 펄스의 에질 발생에 의해 따라서 펄스 발생기(46)에 의해 규정된다.
점멸 펄스의 하강 에지가 나타나는 경우, 제어 유닛(9)은 턴-온 전류(IS)의 턴-온 펄스를 구동기 스테이지(7)에 공급한다. 장치(1)에서 전원-온 모드가 활성될 때, 감지 트랜지스터(21), 턴-온 트랜지스터(23) 및, 결과적으로 스위칭 트랜지스터(11)가 점멸등(43)이 켜지게 되는 턴-온 동작 동안 턴-온된다. 이어서 점멸 펄스의 상승 에지 발생시 제어 유닛(9)은 턴-온 전류(IS)를 구동기 스테이지(7)에 공급하지 않으며, 그 결과로서 점멸등(43)은 꺼지게 된다.
실례로 점멸등(43)이 증가된 습기로 인하여 단락하게 되는 고장 상태의 경우에, 스위칭 트랜지스터(11)의 동작 온도(TS)는 상승하게 된다. 스위칭 트랜지스터(11)는 기껏해야 순방향 기간(TEIN) 동안 큰 출력 전류(IA)의 비순환적 발생을 지속할 수 있는 방식으로 설계된다. 큰 출력 전류(IA)에 의해 야기된 스위칭 트랜지스터(11)의 증가된 동작 온도(TS)로 인하여, 장치(1)는 상술된 바와 같이 구동기 스테이지(7)의 전원-오프 모드로 설정되며, 그 결과로서 스위칭 트랜지스터(11)는 펄스 발생기(46)로부터 점멸 펄스의 하강 에지가 나타나는 경우라 하더라도 비도통 상태에 있게 된다.
바람직하게, 과다한 습기의 종결로 인하여 점멸등의 상기 단락이 중지되는 경우 스위칭 트랜지스터(11)의 냉각시 전원-온 모드가 장치(1)에 복원된다. 자동 열 퓨즈로서 그러한 장치(1)를 사용함으로 인하여, 모터 차량(41)의 차량용 배터리(42)와 전기적 배선을 보호하기 위하여 점멸등(43)의 단락의 경우 파괴되며 결과적으로 교체되어야 하는 종래의 일회용 퓨즈를 더 이상 사용할 필요가 없으며, 교체의 필요성이 없게 된다.

Claims (5)

  1. 구동기 스테이지(7), 구동기 스테이지(7)에 턴-온 펄스를 공급하도록 적합된 제어 유닛(9), 및 스위칭 트랜지스터(11)를 포함하는 출력 스테이지(12)를 구비하며, 전원-온 모드시 장치(1)에 접속된 부하(4)에 전력을 공급하기 위한 회로 장치(2)를 포함하는 장치(1)로서, 상기 스위칭 트랜지스터(11)는 턴-온 펄스가 발생할 경우 전원-온 모드시 기간(TEIN) 동안 도통 스위칭 상태를 취하도록 구동기 스테이지(7)에 의해 턴-온될 수 있으며, 기간(TEIN)의 만료후 비도통 스위칭 상태를 취하도록 턴-오프될 수 있으며, 구동기 스테이지(7)는 또한 스위칭 트랜지스터(11)의 동작 온도(TS)를 모니터하고 전원-오프 모드를 활성화하도록 적합되고, 상기 전원-오프 모드는 스위칭 트랜지스터(11)의 동작 온도(TS)가 제 1 제한 온도(TG1)를 초과할 때 활성화되며, 전원-오프 모드에서 스위칭 트랜지스터(11)는 턴-온 펄스의 발생에도 불구하고 구동기 스테이지(7)에 의해 그 비도통 스위칭 상태로 불변하게 구동되는, 상기 장치(1)에 있어서,
    상기 구동기 스테이지(7)는 감지 트랜지스터(21)의 베이스-이미터 다이오드와 감지 저항기(22)의 직렬 장치를 구비하며, 상기 직렬 장치는 스위칭 트랜지스터(11)의 베이스-이미터 다이오드와 병렬로 접속되고, 감지 트랜지스터(21)의 베이스 단자는 스위칭 트랜지스터(11)의 이미터 단자에 접속되며,
    상기 구동기 스테이지(7)는 감지 트랜지스터(21)의 컬렉터 단자에 접속된 베이스 단자와 감지 증폭기(21)의 베이스 단자에 접속된 컬렉터 단자를 갖는 턴-온 트랜지스터(23)를 더 구비하고,
    상기 구동기 스테이지(7)는 턴-온 트랜지스터(23)의 이미터 단자에 접속된 제 1 단자(25)와 턴-온 트랜지스터(23)의 컬렉터 단자에 접속된 제 2 단자(26)를 갖는 턴-온 저항기(24)를 더 구비하며,
    상기 감지 트랜지스터(21)는 스위칭 트랜지스터(11)의 동작 온도(TS)에 의해 실질적으로 영향을 받지 않도록 배치된 것을 특징으로 하는 장치(1).
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 감지 트랜지스터(21) 및 턴-온 트랜지스터(23)는 사이리스터(40)로 형성되는 것(도 1)을 특징으로 하는 장치(1).
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 구동 스테이지(7)는 턴-온 저항기(24)의 제 1 단자(25)에 접속된 제 1 단자(30)와 스위칭 트랜지스터(11)의 베이스 단자에 접속된 제 2 단자(31)를 가지며, 장치(1)가 동작하는 동안 턴-온 트랜지스터(24)의 제 1 단자(25)와 스위칭 트랜지스터(11)의 베이스 단자 사이에 발생하는 전압(UZD)을 제너 전압(UZ)으로 제한하는 제너 다이오드(29)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 장치(1).
  4. 제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 구동기 장치(7)는 도통 스위칭 상태로부터 비도통 스위칭 상태로의 스위칭 트랜지스터(11)의 스위칭 시간이 감소될 수 있게 하는 턴-오프 스테이지(32)를 더 구비하며,
    턴-오프 스테이지(32)는 턴-오프 저항기(33), 턴-오프 커패시터(34) 및 턴-오프 트랜지스터(35)를 구비하며, 턴-오프 트랜지스터(35)는 턴-오프 저항기(33)의 제 1 단자(36)에 접속되고 턴-온 저항기(24)의 제 1 단자(25)에 접속되는 이미터 단자, 턴-오프 저항기(33)의 제 2 단자(37)에 접속되고 턴-오프 커패시터(34)의 제 1 단자(38)에 접속되는 베이스 단자, 및 스위칭 트랜지스터(11)의 베이스 단자에 접속된 컬렉터 단자를 가지며, 상기 커패시터(34)는 스위칭 트랜지스터(11)의 컬렉터 단자에 접속된 제 2 단자(39)를 갖는 것(도 1)을 특징으로 하는 장치(1).
  5. 제 1 항 내지 제 4 항중 어느 한 항에 있어서, 구동기 스테이지(7)는 집적 회로(44)로서 실행되는 것(도 4)을 특징으로 하는 장치(1).
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