KR900007128Y1

KR900007128Y1 - 순간전류 변환에 대한 안정화 회로

Info

Publication number: KR900007128Y1
Application number: KR2019870022542U
Authority: KR
Inventors: 이규식
Original assignee: 삼성전자 주식회사; 안시환
Priority date: 1987-12-21
Filing date: 1987-12-21
Publication date: 1990-08-06
Also published as: KR890014975U

Abstract

내용 없음.

Description

순간전류 변환에 대한 안정화 회로

제1도는 종래의 회로도.

제2도는 본 고안의 블럭 계통도.

제3도는 본 고안의 상세 회로도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 증폭기 2 : 제어부

3 : 검출부 4 : 기준전압부

5 : 감지부 TR1-TR5 : 트랜지스터

SCR : 실리콘 컨트롤 정류기 R1-R6 : 저항

VR1,VRT2 : 가변저항기

본 고안은 순간 전류변환에 대한 안정화 회로에 관한 것으로서, 특히 입력되는 과전류를 실리콘 컨트롤 정류기에 의하여 그라운드 시켜 트랜지스터의 동작을 오픈시키고 아울러 트랜지스터를 보호할 수 있게 한 것이다.

종래에는 제1도에 도시한 바와같이 입력전압 단자(Vin)와 출력단자(Vout) 및 전원코트롤 단자에 트랜지스터(TR1-TR3) 및 저항(R1), (R2)으로 구성된 제어부(2)와, 트랜지스터(TR4) 및 저항(R3)으로 구성된 검출부(3)와 제너다이오드(ZD1), 가변저항(VR1), 저항(R5)(R5)으로 구성된 기준전압부(4)로 연결 구성하여 입력전압 (Vin)은 트랜지스터(TR1)를 통해 출력 전압단자(Vout)에 인가되는 것으로 전원컨트롤 신호에 의하여 트랜지스터(TR3)가 동작하면 트랜지스터(TR2)도 동작하여 상기 트랜지스터(TR1)를 동작시키는데 이때 입력전압단자(Vin)로 부터 과전류가 입력되면 상기 트랜지스터(TR1)에 과전류가 인가 되어 트랜지스터가 파괴되는 문제점이 있었다.

본 고안은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것인바, 순간적인 전류변환에 의한 사전조치로 SCR(Silicon controlled redtifier) 소자를 사용하여 전류치의 극대에 대하여 온, 오프 변환되는 특성을 이용 순간적으로 변화되는 전류값을 제어토록 하여 트랜지스터를 보호할 수 있게 한 것이다.

이하 첨부된 도면에 의하여 본 고안을 상세히 설명하면 다음과 같다.

제2도는 본 고안의 블럭도이고, 제3도는 제2도의 상세 회로도로서 제3도에 따라 본 고안의 구성을 설명한다.

입력전압단자(Vin)에 저항(R6) 및 트랜지스터(TR5)로 구성된 증폭부(1)를 연결하고, 상기 증폭부(1)의 출력단에는 트랜지스터(TR1-TR3) 및 저항(R1), (R2)로 구성된 제어부를 연결하며 상기 제어부(2)의 출력단과 출력 전압단자(Vout) 사이에 트랜지스터(TR5) 및 저항(R1)으로 구성된 검출부(3)를 연결함과 동시에 제너다이오드(ZD1), 가변저항(VR1), 저항(R4), (R5)으로 구성된 기준전압(4)를 각각 연결 구성한 것에 있어서, 상기 제어부(2)와 증폭부(1) 사이에 저항(R6), 가변저항(VR2), 실리콘 콘트롤 정류기(SCR1)로 구성된 감지부(5)를 연결하여서 구성한 것이다.

이와같이 구성된 본 고안의 작용효과를 설명하면 다음과 같다.

제3도에서와 같이 초기에 입력단자(Vin)에 전원이 인가되고 이 전원을 컨트롤 하는 컨트로 신호가 트랜지스터(TR3)의 베이스에 인가되면 상기 트랜지스터(TR3)는 도통되고, 이에 따라 상기 트랜지스터(TR2)의 베이스에도 로우전압이 인가되어 상기 트랜지스터(TR2)도 도통된다.

이와같이 트랜지스터(TR2)가 통되면 입력단자(Vin)의 전압은 트랜지스터(TR2)의 에미터와 콜렉터측을 통해 트랜지스터(TR1)의 베이스에 인가되어 상기 트랜지스터(TR1)로 도통되므로 상기 입력단자(Vin)의 전압은 가변저항(VR1)의 기준 전압에 의해 출력단자(Vout)에 나타나게 된다.

이상태에서 상기 입력단자(Vin)에 과전류가 입력되면 상기 트랜지스터(TR1)를 통해 출력단자(Vout)에 나타나게 되는데 이때 가변저항(VR2)의 저항(R4)와 저항(RB)의 비율에 따라 실리콘 콘트롤 정류기(SCR1)가 동작된다. 그리하여 상기 트랜지스터(TR1)의 베이스에 흐르는 과전압은 저항(R6)과 실리콘 컨트롤 정류기(SCR1)의 애노드와 캐소드측을 통해 로우로 떨어트리게 되므로 즉 그라운드 시킴으로서 상기 트랜지스터(TR1)는 오프되며 따라서 상기 트랜지스터(TR2)의 콜렉터 전위는 상기 실리콘 컨트롤 정류기(SCR1)을 통해 접지되어 상기 트랜지스터(TR1)를 보호할 수 있는 것이다.

상기한 바와같이 순간적인 전류변환을 실리콘 컨트롤 정류기를 이용하여 조절함으로써 과전류에 의한 트랜지스터의 파괴를 방지할 수 있는 효과가 있는 것이다.

Claims

입력단자(Vin)와 출력단자(Vout) 및 전원콘트롤 단자에 증폭부(1), 제어부(2), 검출부(3) 및 기준전압부(4)를 각각 연결 구성한 것에 있어서, 상기 제어부(2)내의 트랜지스터(TR1) 베이스에 저항(R6)을 통해 실리콘 컨트롤 정류기(SCR1)에 에노드를 연결하고, 상기 증폭부(1)내의 트랜지스터(TR5) 에머터에 가변저항(VR1)을 연결하며 상기 가변저항(VR2)에 상기 실리콘 컨트롤 정류기(SCR1)의 게이트와 캐소드를 연결 구성하여 상기입력단자(Vin)의 과전류가 상기 트랜지스터(TR1)에 인가될때 상기 실리콘 컨트롤 정류기(SCR1)가 동작하여 상기 트랜지스터(TR1)의 동작을 오프시키도록 하는 것을 특징으로 하는 순간전류 변환에 대한 안정화 회로.