KR900006952B1 - 광센서 - Google Patents

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KR900006952B1
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가부시끼가이샤 도오시바
사바 쇼오이찌
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Abstract

내용 없음.

Description

[발명의 명칭]
광센서
[도면의 간단한 설명]
제1도는 본 발명을 구체화시킨 광센서의 구성을 나타낸 도면.
제2도는 제1도에 도시된 광센서의 회로도.
제3도는 제1도의 광쎈서로 구성한 이미지센서의 회로도.
제4도는 본 발명의 광센서에 사용되는 박막트랜지스터의 게이트·소오스간 전압과 드레인전류의 S/N비간의 관게를 나타낸 그래프,
제5도는 종래의 광센서와 본 발명의 광센서에 대한 온도의존성을 나타낸 그래프.
제6도는 본 발명의 광센서를 나타낸 다른 회로도.
제7도 내지 제10도는 박막트랜지스터의 다른 구성을 나타낸 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 기판 2 : 포토다이오드
3 : 박막트랜지스터 4 : 충전용 트랜지스터
5 : 검출용 트랜지스터 6 : 캐패시터
11 : 드레인전극 12 : 소오스전극
13, 25 : 활성층 14, 23 : 절연층
15, 26 : 게이트전극층 16 : 캐소드전극
17, 22 : a-Si : H막(수소화된 비정질실리콘막)
18 : 애노드전극 20 : 빛
21, 24 : 전극층 28 : 출력증폭기
41, 42 : 온도의존성
[발명의 상세한 설명]
(산업상의 이용분야)
본 발명은 광센서에 관한 것으로, 특히 이미지센서에 적합한 광센서에 관한 것이다.
(종래의 기술 및 그 문제점)
전자복사기 및 팩시밀리와 같은 장치의 화상독출용 이미지센서소자로서는 수소화된 비정질실리큰막(hydrogenated amorphous silicon 膜:a-Si : H 膜)을 사용한 포토다이오드가 주목되고 있는 바, 상기 a-Si:H막은 광감도가 높고 대면적화가 용이하다고 하는 잇점을 갖고 있기 때문에 특히 밀착형 이미지센서에 적합하다.
즉, 이미지센서는 상기와 같은 포토다이오드를 다수의 라인상에 배열함으로써 형성되는데, 이러한 포토다이오드는 통상적으로 a-Si H막이 상하전극사이에 끼워진 샌드위치형 구조를 취하게 된다 여기서 하부전극으로서는 크롬과 같은 금속이 사용되고, 상부전극으로서는 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투광성(optically transparent) 도전막이 사용된다 이와 같은 구성에 있어서는 a-Si : H막과 상부전극사이의 경계에서 쇼트키장벽(schottky barrier)이 형성되어 다이오드특성을 나타내게 되므로 하부전극은 캐소드전극으로 작용하고, 상부전극은 애노드전극으로 작용하게 된다.
이와 같은 포토다이오드가 다수개 기판상에 선모양으로 형성되어 이미지센서를 구성하도록 되어 있는 바, 각 포토다이오드의 애노드는 직류전원의 마이너스단자에 접속되고, 캐소드는 충전용 스위치를 매개로 직류전원의 플러스단자에 접속됨과 더불어 전하독출스위치를 매개해서 공통의 출력증폭기에 접속되게 된다. 이와 같은 구성에 있어서, 충전스위치가 온상태로 되면 포토다이오드의 전극간 용량이 충전되는 반면 충전스위치가 오프상태로 되면 애노드전극을 통과한 입사광에 응답해서 전극간 용량은 입사광량에 따라 방전된다. 그후 전하독출용 스위치가 온상태로 되어 캐패시터의 신호전압이 출력증폭기에 의해 독출되게 된다
캐패시터로 부터의 신호전압은 수광면적과 조도 및 축적시간의 곱에 비례하게 되는 바, 최근의 고속화 및 고해상도화때문에 보다 작은 수광면적과 보다 짧은 축적시간이 요구되게 된다. 예를 들어, 16비트/mm의 해상도와 1msec의 축적시간이 요구되게 된다. 여기서, 16비트/mm의 해상도에 상당하는 1개의 포토다이오드의 수광면적은 3.91×10-13/mm2이며, 이경우 전극간 용량은 약 0.2pF이다. 즉, 500lx라는 실용적인 조도와 내부양자효율이 1이라는 조건하에서는 계산에 의해 최대신호전압이 약 6.8V로 되게 된다.
이어, 이미지센서의 노이즈에 대해 고찰해 보면, 노이즈는 주로 스위치소자(트랜지스터)에 기인하는 스위칭노이즈성분과 포토다이오드의 암전류에 기인하는 암전류노이스성분을 갖는 바, 스위칭노이즈는 온도에 무관하지만 암전류노이즈는 온도가 상승함에 따라 커지게 된다. 즉 40。C이하의 온도에서 독출신호의 S/N비가 기껏해야 38dB이므로 이것은 실용상 불충분하다. 최근에 와서는 고속화 및 고해상도화에 덧붙여 0∼80。C의 온도범위에서 80dB 이상의 S/N비가 요구된다.
종래의 광센서의 다른 예로서는 1984년 2월 9일에 공개된 일본국 공개특허 소59-25280에 개시(開示)되어 이는 태양전지와 MOS트랜지스터를 조합시킨 것이 잘 알려져 있는 바, 이것은 실리콘기판상에 형성된 MOS트랜지스터의 상부에는 a-Si : H막을 사용한 태양전지가 게이트와 소오스간에 접속되도륵 적층되어 있으므로 MOS트랜지스터의 드레인전류가 그 태양전지에 대한 입사광에 의해 제어되게 된다. 이러한 종래기술은 대면적화가 곤란한 실리콘결정기판을 이용하기 때문에 이미지센서와 같이 대면적화가 요구되는 광센서에는 부적당하게 된다.
[발명의 목적]
이에 본 발명은 개량된 광센서를 제공하기 위하여 발명된 것으로, 특히 높이 S/N비를 실현하도록 된 광센서와, 고해상도와 고속동작 및 높은 S/N비를 갖는 이미지센서를 제공하고자 함에 그 목적이 있다.
[발명의 구성]
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 광센서는, 기본적으로 게이트전극과 상기 게이트전극에 인가되는 제어전압에 응답해서 그 사이에 챈널(이 챈널에는 제어전압에 의해 제어되는 챈널전류가 흐른다)을 형성하는 트레인전극과 소오스전극을 갗춘 박막트랜지스터와, 이 박막트랜지스터의 드레인전극과 소오스전극의 한쪽과 게이트전극간에 트랜지스터기판상에 일체적으로 형성된 비정질실리콘 포토다이오드, 포토다이오드의 전극간 용량을 충전시키는 충전수단 및, 충전후 입사광에 응답해서 변화하는 포토다이오드의 전극간용량의 전압에 의해 제어되는 박막트랜지스터의 챈널전류를 검출하는 수단을 구비하여 구성된다.
상기 포토다이오드는 캐소드전극과 투광성 도전막으로 왼 애노드전극 및 캐소드전극과 애노드전극에 의해 샌드위치되는 수소화된 비정질실리콘막을 갖추고 있으며, 캐소드전극과 애노드전극은 각각 박막트랜지스터의 드레인전극과 게이트전극에 전기적으로 접속된다. 그렇지 않으면 캐소드전극과 애노드전극이 각각 박막트랜지스터의 게이트전극과 소오스전극에 전기적으로 접속되어도 좋다.
충전수단은 직류전원과 이 직류전원을 포토다이오드에 결합시켜 그 전극간 용량을 충전시키는 충전스위치소자를 갖추고 있으며, 이 충전스위치소자는 외부에서 공급되는 제어신호에 의해 온·오프되며 회로기판상에 박막트랜지스터와 포토다이오드에 연접하게 형성된 다른 박막트랜지스터로 형성된다.
검출수단은 박막트랜지스터에 결합되며 그 챈널전류에 의해 충전되는 전하축적용 캐패시터와 광센서의 출력신호를 추출하기 위한 출력증폭기 및 외부제어신호에 의해 온·오프되며 전하축적용 캐패시터를 출력증폭기에 결합시키기 위한 검출스위치소자를 구비하여 구성되는 바, 검출스위치소자는 박막트랜지스터로 형성되고, 전하축적용 캐패시터와 검출스위치소자는 회로기판상에 형성된다.
(실시예)
이하, 예시도면을 참조해서 본 발명의 각 실시예를 상세히 설명한다.
제1도는 본 발명을 구체화시킨 기판상에 형성된 엇갈리게 배치된 형태의 광센서의 구성을 나타낸 것으로, 기판(1)은 절연성을 갖는 표면이 매끄러운(광택)판으로 형성되는 바, 이 실시예에서는 주표면이 광학연마된 무알카리성 유리판으로 형성된다. 기판(1)의 주표면상에 샌드위치구조의 포토다이오드(2)와 박막트랜지스터(TFT;3)가 일체적으로 인접하게 형성된다. 상기 박막트랜지터(3)에 인접해서 충전용 트랜지스터(TFT,4)와 검출용 트랜지스터(TFT,5)가 기판상에 형성되고, 트랜지스터(4)와 트랜지스터(5)간에는 캐패시터(6)가 형성된다. 더 상세하게 설명하면 기판(1)의 주표면상에 트랜지스터(3)의 드레인전극(11)과 소오스전극(l2)이 형성된다. 상기 드레인전극(11)과 소오스전극(12)간에는 a-Si : H막으로 이루어진 활성층(13)과 SiNx로 이루어진 절연층(14) 및 예컨대 크톰으로 이루어진 게이트전극층(15)이 순차적으로 형성됨으로써 박막트랜지스터(3)가 형성되게 된다.
또한 드레인전극(11)과 소오스전극(12)은 알루미늄의 진공증착과 포토에칭공정(PEP)에 의해 형성될 수가 있다. a-Si : H막(13) 및 SiNx막(l4)은 예컨대 플라즈마CVD법에 의해 각각 100%의 SiH4가스와 SiH4/N2혼합가스를 사용함으로써 형성되게 된다. 게이트절연막(14)으로서는 SiNx를 활성층(13)측에 배치한 SiNx/SiOX의 2층막이라도 팬찮다. 또한 게이트전극(15)은 포토에칭공정에 의해 형성될 수가 있다.
포토다이오드(2)에 있어서는 드레인전극층(11)상에 절연막(14)으로 덮여 있지 않은 부분과 그 근방의 절연층(14)상에 게이트전극(15)와 동일한 재료와 동일한 공정에 의해 캐소드전극(16)이 형성된다. 절연층(14)상의 캐소드전극(16)의 상부에 a-Si : H막(17)이 형성되고, 이 a-Si-H막(17)과 절연층(14)상에 일부가 게이트전극(15)과 접촉되도록 투광성 도전막으로 이루어진 애노드전극(18)이 형성된다. 그에 따라, a-Si : H막이 애노드전극과 캐소드전극간에 샌드위치된 구조의 포토다이오드(2)가 형성되게 된다.
명백히 트랜지스터(3)의 게이트전극(15)과 드레인전극(11)은 각각 포토다이오드(2)에 애노드전극(18)과 캐소드전극(16)에 전기적으로 접속되어 있다. 투광성 도전막의 재료로서는 ITO막을 사용할 수가 있다. 포토다이오드(2)에 있어서는 빛(20)이 투명한 애노드전극(18)을 통해서 a-Si : H막(17)에 입사되게 된다. 이와 같이 박막트랜지스터와 포토다이오드가 하나의 기판(1)상에 인접하게 형성되어 있기 때문에 양자간의 배선용량이 크게 저감되어 S/N비의 향상에 기여하게 된다.
충전트랜지스터(4)와 검출트랜지스터(5) 및 캐패시터(6)는 포토다이오드(2) 및 트랜지스터(3)와 일체적으로 기판상에 형성된다. 상기 캐패시터(6)는 소오스전극층(12)과 이 전극층상에 형성된 절연막(14) 및 이 절연막(14)상에 형성된 전극층(21)으로 형성된다. 이 전극층(21)은 트랜지스터(3)의 게이트전극(15)으로부터 분리되어 형성되는 바, 그 사이에 a-Si : H막(22)이 형성된다. 전극층(21)과 a-Si : H막(22) 및 트랜지스터(3)의 게이트전극(15)상에 절연층(23)이 형성되고, 그 위에 전극층 24)이 형성되는 바, 그에 따라 포토다이오드(2)의 전극간 용량을 충전시키기 위한 충전트랜지스터(4)가 형성되게 된다 트랜지스터(3)의 게이트전극(15)과 캐패시터(6)의 전극층(21)은 각각 충전트랜지스터(4)의 드레인전극과 소오스전극으로서 작용하게된다
전극(12)과 분리되어 기판(1)의 주표면상에 전극층(24)이 형성되고, 그 사이에 a-Si : H막의 활성층(25)이 형성된다. 절연층(14)은 전극(11,12) 및 활성층(13,25)상을 통하도록 형성되고, 활성층(25)상에는 절연충(l4)을 사이에 두고 게이트전극(26)이 형성된다. 그에 따라 검출트랜지스터(5)가 형성되는 바, 전극층(12,24)은 각각 검출트랜지스터(5)의 드레인전극 및 소오스전극으로서 작용하게 된다.
충전트랜지스터(4)와 검출트랜지스터(5)의 게이트전극에는 각각 충전(리셋트)펄스와 독출펄스가 인가되고,5∼6볼트의 직류전원(27)의 정단자가 포토다이오드(2)의 캐소드전극(16)에 접속되며, 부단자는 공동접위(접지)에 접속된다. 그리고, 캐패시터전극(21)은 출력증폭기(28)의 비반전입력에 접속되고, 검출트랜지스터(5)의 소오스전극(24)이 출력중폭기(28)의 반전입력에 접속되는 바, 여기서 출력증폭기(28)는 기판(1)상에 집적된 광센서회로와는 별도로 설치된다.
제1도에 도시된 광센서의 동작을 그 회로도로 나타내는 제2도를 참조해서 기술한다.
충전트랜지스터(스위치 ; 4)와 검출트랜지스터(스위치 ; 5)는 항시 오프되는 바, 각각 도시되지 않은 제어회로로부터의 충전필스와 독출펄스에 의해 턴온되게 된다. 충전펄스에 의해 충전트랜지스터(4)가 턴온되면, 포토다이오드(2)의 전극간 용량(C)이 직류전원(27)에 의해 충전되게 되는데, 이때 박막트랜지스터(3)의 게이트전극(15)은 도통되어 있는 트랜지스터(4)의 챈널을 매개로 접지전위로 되어 있는 전극층(21)에 결합되기 때문에 오프상태로 된다. 박막트랜지스터(3)의 드레인전류는 미세한 오프전류(IDoff)이다. 충전트랜지스터(4)가 턴오프된 후 포토다이오드(2)의 전극간 용량(C)은 입사된 화상정보광에 기초해서 광전류에 의해 차제에 방전하게 된다. 전극간 용량의 방전은 박막트랜지스터(3)의 게이트전극(15)의 전이상승을 초래하게되고, 그 결과 박막트랜지스터(3)에는 그 게이트전위에 의존하는 드레인전류가 흐르게 되는데, 이 드레인전류에 의해 캐패시터(6)가 충전되게 된다. 이때, 캐패시터(6)의 충전건하는 포토다이오드(2)에 입사되는 화상정보광(20)의 강도에 의존한다.
이어, 독출펄스가 검출트랜지스터(5)의 게이트전극에 인가되면 검출트랜지스터가 도통하게 되기 때문에 캐패시터(6)의 충전전압이 출력증폭기(28)에 인가되어 그로부터 화상정보신흐가 구해지게 된다.
제3도는 상술한 복수의 광센서가 라인상에 배열된 이미지센서의 회로도를 나타낸 것으로, 이미지센서에 있어서는 각각 포토다이오드(2)와 박막트랜지스터(3), 충전트랜지스터(4), 검출트랜지스터(5) 빛 캐패시터(6)로 구성되는 1화소(돗트)에 상당하는 광센서의 n개의 조(組)가 기판상에 일렬로 배열되는 바, 각조의 광센서는 제2도에 도시된 바와 같이 결선된다. n개의 광센서조는 제어회로로 부터의 충전펄스와 독출필스를 갖는 제어신호에 의해 순차적으로 이네이블되기 때문에 공통의 출력증폭기(28)로부터 화상정보신호가 순차적으로 츌력되게 되는 바, 16돗트/mm의 해상도를 갖는 경우에는 n이 약 3500으로 된다
제4도는 박막트랜지스터(3)의 게이트.소오스간 전압(VGS)과 드레인전류(ID)의 S/N비 관계를 나타낸 것으로, 도시된 바와 같이 박막트랜지스터의 임계전압은 2∼3V이므로 VGS를 수 V변화시킴으로써 드레인전류에 대해 100dB 이상의 S/N비를 얻을 수 있게 된다.
상술한 바와 같은 샌드위치구조의 포토다이오드로부터 독출되는 신허전압(전극간 캐패시터양단에 발생되는 전압)은 상술한 바와 같이 0.51x·sec 이하의 입사광량에서 0∼7V이다.
따라서, 본 발명과 같이, 포토다이오드로부터의 신호전압에 의해 박막트랜지스터의 게이트전압을 제어하고 그 드레인전류를 검출함으로써 약 100dB의 다이나믹레인지를 갖는 출력을 얻을 수 있게 된다. 즉, 대단히 큰 S/N비를 갗는 화상정보신호를 얻을 수 있게 되는 것이다. 더욱이, 스위칭노이즈나 압전류노이즈와같은 노이즈전압은 박막트스터의 임계전압정도이기 때문에 노이즈전압이 압축되는 경향이 있다. 이 때문에S/N비의 향상효과가 더욱 더 현저해지게 된다.
제5도는 샌드위치형 포토다이오드만으로 된 광센서의 출력신호의 온도의존성(41)과 본 발명의 광센서출력신호의 온도의존성(42)을 나타낸 것으로, 본 발명에 의하면 0∼80。C의 온도범위에서 80dB 이상의 S/N비가 실현되는 것을 알 수 있다. 이것은 상술한 16돗트/mm의 해상도와 1msec의 독출속도라는 고성능이미지센서의 요구를 만족시키게 된다.
이하, 본 발명의 다른 실시예에 대해 상세히 설명한다.
회로기판(1)으로서는 광택제 세라믹(glazed ceramic)이나 400℃의 고온에서 견딜 수 있는 폴리이미드수지계와 같은 유기필름을 사용할 수도 있다, 그리고, 활성층으로서는 진공중착법이나 스패더법(spatter 法)등에 의해 형성된 a-Si막 또는 다결정 Si막을 사용해도 좋고, 포토다이오드로서는 pin구조의 다이오드가 사용되어도 좋은 바, 그 구조는 한정되지 않는다.
제6도에 도시된 바와 같이 포토다이오드(2)는 박막트랜지스터(3)의 게이트전극과 소오스전극사이에 접속되어도 좋은 바, 포토다이오드는 그 사이에 챈널이 형성되는 드레인전극과 소오스전극중 한쪽의 전극과 게이트전극사이에 접속되면 좋다.
포토다이오드와 박막트랜지스터의 구성은 제1도에 도시된 엇갈림식 구조(staggred 構造)에 한정되지 않고, 제7도에 도시된 바와 같이 박막트랜지스터(3)의 드레인전극(11)과 소오스전극(12), 활성층(13), 절연층(14) 및 게이트전극(15)의 상하관계가 제1도의 그것과 역전되어도 좋은 바, 기판(1)상에 이 기판(1)측으로부터 포토다이오드(2)의 게이트전극(15), 절연층(14), 활성층(13) 및 박막트랜지스터(3)의 드레인전극[11;소오스전극(12)]의 순으로 적층해서 설치한 역엇갈림식 구조(逆staggered 構造)를 채용해도 좋다. 더욱이, 제8도에 도시된 바와 같이 박막트랜지스터는 드레인전극(11)과 소오스전극(12) 및 게이트전극(15)이 활성층(13)의 동일측에 형성된 동일평면구조(coplanar 構造)를 취할 수도 있다.
박막트랜지스터는 제9도 및 제10도에 도시된 바와 같은 구조를 취할 수도 있는 바, 제9도 및 제10도에 있어서 제1도와 대응되는 부분에는 동일한 참조번호를 붙였다. 제9도는 활성층(13)이 드레인전극(11)과 소오스전극(12)사이에 샌드위치되고 절연층(l4) 이 드레인전극(1)으로부터 소오스전극(l2)에 도달하도륵 U 또는 V자형으로 형성된 UMOS형 또는 VMOS형 트랜지스터를 나타내는 반면, 제10도는 활성층(13)이 드레인전극(11)과 소오스전극(12)사이에 샌드위치되고 복수의 게이트부가 형성된 SIT형(static inductiontransistor 型) 트랜지스터를 나타낸다.
상기 실시예에서는 박막트랜지스터의 드레인전류에 의해 전하축적용 캐패시터(6)를 충전시킨 다음 스위치(5)를 매개로 화상정보신호를 독출하도록 구성되어 있지단, 박막트랜지스터의 드레인전류를 직정 전압신호로 변화시킬 수도 있다.
(발명의 효과)
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 개량된 광센서를 제공할 수 있고, 또 높은 S/N비를 실현하는광센서와, 고해상도와 고속동작 높은 S/N비를 갖는 이미지센서를 제공할 수 있게 된다.

Claims (6)

  1. 회로기판(1)과; 이 회로기판(1)상에 설치되며 애노드전극(18)과 캐소드전극(16) 및 이들의 사이에 구성되는 전극간 용량(C)를 갖춘 비정질 실리콘다이오드(2), 상기 회로기판(1)상에 설치되며 게이트전극(15)과 드레인 및 소오스전극(11,12)을 갖추고서 상기 게이트전극(15)에 제어전압을 인가함으로써 상기 드레인 및 소오스전극(11,l2) 사이에 챈널을 형성하고, 이 챈널에는 상기 게이트전극(15)에 인가된 제어전압에 의해 제어되어 챈널전류가 흐르도록 구성하며, 상기 비정질 실리콘다이오드(2)와 일체적으로 구성하고, 상기 드레인 및 소오스전극(11,12)중 어느 하나가 상기 비정질 실리콘다이오드(2)의 애노드전극(18)과 캐소드전극(16)중 적어도 한쪽에 전기적으로 접속되어 있는 박막트랜지스터(3) , 상기 포토다이오드(2)의 상기전극간 용량(C)을 충전시키기 위해 상기 포토다이오드(2)에 접속되는 충전수만(4,27) 및: 상기 전극간 용량(C)을 충전시킨 후에 입사광(20)의 강도에 따라 제어되는 상기 박막트랜지스터(3)의 챈널전류를 검출하기 위해 상기 박막트랜지스터(3)에 접속된 검출수단(5,6,28)을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 광센서.
  2. 제1항에 있어서, 상기 포토다이오드(2)는 캐소드전극(16)과, 투광성 도전막으로 이루어진 애노드전극(18) 및, 캐소드전극(16)과 얘노드전극(l8)에 의해 샌드위치되는 수소화된 비정질 실리콘막(17)을 갖추고서 캐소드전극(16)과 애노드전극(18)이 각각 박막트랜지스터(3)의 드레인전극(11)과 게이트전극(15)에 전기적으로 접속되도록 된 것을 특징으로 하는 광센서.
  3. 제1항에 있어서, 사이 포로다이오드(2)는 캐소드전극(16)과, 투광성 도전막으로 이루어진 애노드전극(18) 및 캐소드전극(16)과 애노드전극(18)에 의해 샌드위치되는 수소화된 비정질 실리콘막(17)을 갖추고서 캐소드전극(16)과 애노드전극(l8)이 각각 박막트랜지스터(3)의 게이트전극(15)과 소오스전극(12)에 전기적으로 접속되도록 된 것을 특징으로 하는 광센서.
  4. 제1함에 있어서, 상기 충전수단은 직류전원(27)과 이 직류전원(27)을 포토다이오드(2)에 결합시켜 그 전극간 용량(C)을 충전스위치소자(4)를 갖추고 있는데, 이 충전스위치소자(4)는 외부에서 제공되는 제어신호에 의해 온·오프되며 회로기판상에 박막트랜지스터(3)와 포토다이오드(2)에 인접하게 형성된 다른 박막트랜지스터로 형성된 것을 특징으로 하는 광센서.
  5. 제l항에 있어서, 상기 검출수단이 박막트랜지스터(3)에 결합되어 그 챈널전류에 의해 충전되는 전하축적용 캐패시터(6)와, 츌력증폭기(28) 및, 외부제어신호에 의해 온·오프되어 전하축적용 캐패시터(l6)를 출력중폭기(28)에 결합시키기 위한 검출스위치(5)로 구성되는 것을 특징으로 하는 광센서.
  6. 제1항에 있어서, 상기 검출수단이 박막트랜지스터(3)에 결합되어 그 챈널전류에 의해 충전되는 전하축적용 캐패시터(6)와, 광센서의 출력신호를 추출하기 위한 츨력증폭기(28) 및, 외부제어신호에 의해 온·오프되어 전하축적용 캐패시터(6)를 출력증폭기(28)에 결합시키기 위한 검출스위치소자(5)로 구성원 광센서에 있어서, 상기 검출스위치소자(5)가 박막트랜지스터(3)로 형성되고, 전하축적용 캐패시터(6)와 검출스위치조사(5)가 회로기판(1)상에 형성된 것을 특징으로 하는 광센서.
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