KR900005092Y1 - 과부하시 퓨우즈 융단 유도회로 - Google Patents

과부하시 퓨우즈 융단 유도회로 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

과부하시 퓨우즈 융단 유도회로
제1도는 종래의 정전압 안정화회로의 회로도.
제2도는 본 고안 퓨우즈 융단 유도회로의 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
T : 트랜스 BD : 브리지정류기
F : 퓨우즈 가 : 정전압 회로
나 : 퓨우즈융단 유도회로 TR1~TR4: 트랜지스터
R1~R16: 저항 C1~C4: 콘덴서
D1, D2: 다이오드 ZD : 제너다이오드
VR : 가변저항
본 고안은 AC 전원을 이용하여 DC 전원으로 변화시켜 사용하는 각종 전자기기의 정전압 안정화 회로에 있어서 과부하시 퓨우즈 융단 유도회로에 관한 것으로 특히 정전압 안정화 회로의 부하에 이상이 발생하여 과부하 상태가 되면 퓨우트 융단 유도회로를 동작시켜 퓨우즈를 단락시켜 줌으로써 과부하시 발생하는 화재 및 회로의 부품의 파괴를 방지할 수 있도록 한 과부하시 퓨우즈 융단 유도 회로에 관한 것이다.
종래의 정전압 안정화 회로는 제1도에 도시한 바와같이 트랜스(T1) 브리지 정류기(BD)에 저항(R1~R8) 콘덴서(C1)(C2) 제너다이오드(ZD) 다이오드(D1) 가변저항(VR1) 트랜지스터(TR1~TR3)로 구성된 정전압회로(가)를 연결하여 트랜스(T1)와 브리지 정류회로(BD)로부터 정류된 전압이 저항(R1)에서 저항(R2)으로 흐르는 전류와 저항(R1) 저항(R3) 트랜지스터(TR1)(TR2)의 전류 콘덴서(C2) 양단에 낮은 전압이 유기되면 트랜지스터(TR1)의 베이스에 저항(R6)(R7) 가변저항(VR) 저항(R5)에 의하여 분압된 전압이 나타난다.
따라서 이 베이스 전압이 제너다이오드(ZD)에 의하여 나타나는 비교전압보다 낮게 되어 트랜지스터(TR3)는 오프된다.
트랜지스터(TR3)가 오프되면 트랜지스터(TR3)의 콜렉터 전압이 높아지게 되어 트랜지스터(TR1)의 베이스 전압을 상승시키게 되어 트랜지스터(TR2)의 순방향 바이어스가 되어 트랜지스터(TR2)의 에미터에 많은 전류가 흐르게 된다. 그러므로 콘덴서(C2)의 양단 전압은 높아지게 된다. 반대로 입력 전압이 증가하여 콘덴서(C2) 양단전압이 높아지게 되면 트랜지스터(TR3)가 반대로 온되어 트랜지스터의 베이스 전압을 감소시키고 트랜지스터(TR2)에 역방향 바이어스를 작용하여 트랜지스터(TR2)의 에미터로 유입되는 전류를 감소시켜 콘덴서(C2) 양단전압을 낮추게 된다.
이상에서와 같이 종래의 회로는 부하에 쇼트 또는 이상 조건이 발생할 경우 꾸준히 많은 전류가 흐르게 되어 결국 퓨우즈를 단락시키게 된다.
그러므로 퓨우즈가 단락될 때까지는 일정한 기간동안 많은 전류가 흐르게 되어 화재 또는 회로의 부품을 파괴시키게 되므로 기기의 신뢰성을 저하시키는 문제점을 가지고 있었다.
본 고안은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 트랜스를 거쳐 브리지 정류 회로에서 정류된 전압을 정전압으로 만들어 출력시키는 정전압 회로에 퓨우즈 융단 유도회로를 연결하여 과부하시에 과부하 전류를 유도시켜 즉시 퓨우즈를 단락해줌으로써 과부하로 인한 화재 또는 회로의 부품이 파괴되는 것을 방지할 수 있도록 한 것으로 이하 첨부된 도면에 의하여 본 고안을 상세히 설명하면 다음과 같다.
트랜스(T1) 브리지정류기(BD)에 저항(R1~R8) 콘덴서(C1)(C2) 제너다이오드(ZD) 다이오드(D1) 가변저항(VR1) 트랜지스터(TR1~TR3)로 구성된 정전압회로(가)를 연결하여서 된 정전압 안정화 회로에 있어서, 상기 브리지 정류기(BD)는 저항(R10~R13) 콘덴서(C3)를 통하여 트랜지스터(TR4)의 베이스 단자에 연결하고 그 트랜지스터(TR4)의 콜렉터 단자는 저항(R14)을 통하여 상기 저항(R10)에 연결하며 그의 에미터 단자는 다이오드(D2) 저항(R15)(R16) 콘덴서(C4)를 통하여 상기 정전압회로(가)의 트랜지스터(TR1)의 베이스 단자에 연결하여서 된 것으로 도면중 미설명 부호 F : 퓨우즈이다.
상기와 같이 구성된 본 고안의 작용효과를 설명하면 다음과 같다.
먼저 정상 동작시에는 트랜스(T) 및 브리지 정류기(BD)를 통하여 정류된 전압은 저항(R10) 저항(R1)을 통하여 안정화 저항(R8)에 의하여 전류가 유입되어 콘덴서(C2)에 충전되는 한편 전류는 저항(R10)(R11)(R16) 저항(R9)을 통하여 트랜지스터(TR1)의 베이스 전위가 상승되어 제어 트랜지스터(TR2)의 베이스 단자에 충분한 전류를 인가하게 된다.
따라서 콘덴서(C2)의 양단에 나타나는 전압은 저항(R6)(R7) 가변저항(VR) 저항(R8)에 의하여 분압되어 트랜지스터(TR3)의 베이스 단자에 인가되게 된다.
이때 이 전압이 제너다이오드(ZD)에 의하여 발생되는 에미터 전압보다 낮으면 트랜지스터(TR3)는 오프되어 트랜지스터(TR3)의 콜렉터 단자에는 고전위가 되고 트랜지스터(TR3)의 콜렉터 단자는 트랜지스터(TR1)의 베이스 단자와 저항(R4)을 통하여 연결되어 있어 트랜지스터(TR1)의 베이스 전위를 상승시키고 다일링톤은 접속된 트랜지스터(TR2)의 에미터 단자 전류를 상승시켜 출력전압을 상승시키게 되고 입력되는 전압이 높아 출력 전압이 상승하면 트랜지스터(TR3)의 베이스 전압이 제너다이오드(ZD)에 의하여 발생되는 트랜지스터(TR3) 전압보다 높아져 트랜지스터(TR3)가 온되어 트랜지스터(TR3)의 콜렉터 전위가 낮아진다.
이 트랜지스터(TR3)의 콜렉터 단자는 트랜지스터(TR1)의 베이스 단자에 연결되어 트랜지스터(TR1)의 베이스 전위를 하강시켜 트랜지스터(TR2)의 에미터 전류를 감소시켜 정전압을 유지하도록 되어 있다.
이때 트랜지스터(TR4)의 저항(R13)의 전압이 저항(R9)의 전압보다 낮게 저항(R13)이 저항(R9)보다 훨씬 작다.
그러므로 정상 동작중에는 항상 트랜지스터(TR4)의 에미터 전압이 베이스 전압보다 높아 오프되게 된다.
그러나 정전압 회로의 출력에 과부하(또는 쇼트)가 발생되면 콘덴서(C2)의 양단 전압이 급격히 낮아지고 다일링톤으로 연결되어 있는 트랜지스터(TR2)의 에미터 전압은 트랜지스터(TR1)의 베이스 전압과 거의 같거나 똑같게 된다.
그러면 트랜지스터(TR4)의 에미터 전위가 트랜지스터(TR4)의 베이스 전위보다 낮게되어 트랜지스터(TR4)이온되어 과다한 전류가 저항(R10) 저항(R14) 트랜지스터(TR4) 다이오드(D2) 트랜지스터(TR1)(TR2)로 흘러 저항(R1) 저항(R2)(R8)으로 흐르는 전류와 합하여 과다한 전류를 유도하여 퓨우즈를 빨리 융단시켜 과전류를 흐르지 못하도록 한 것이다.
이때 다이오드(D2)는 저항(R9)의 전압이 낮아졌을 때 콘덴서(C4)의 방전으로 인하여 트랜지스터(TR4)가 파괴되는 것을 막기 위한 트랜지스터(TR4)이 보호 다이오드이다.
이상에서 설명한 바와 같이 브리지 정류기와 정전압 회로에 퓨우즈 융단 유도회로를 연결하여 정상 동작시 퓨우즈 융단 회로로 흐르는 전위가 정전압 회로의 전위보다 낮게 하고, 과부하나 쇼트시에 퓨우즈 융단 유도회로에 흐르는 전위가 정전압 회로의 전위보다 높게 함으로써 부하의 쇼트시나 접촉 불량 과부하시 발생될 경우 즉시 퓨우즈를 융단시키도록 유도하여 화재나 회로의 부품 파괴를 방지시켜주기 때문에 기기가 안정한 회로 동작을 하게되어 기기의 신뢰성을 향상시켜 줄 수 있는 장점을 제공해 줄 수 있는 것이다.

Claims (1)

  1. 트랜스(T1) 브리지 정류기(BD)에 저항(R1~R8) 콘덴서(C1)(C2) 제너다이오드(ZD) 다이오드(D1) 가변저항(VR1) 트랜지스터(TR1~TR3)로 구성된 정전압 회로(가)를 연결하여서 된 정전압 안정화 회로에 있어서, 상기 브리지 정류기(BD)와 정전압회로(가) 사이에 저항(R10~R16) 콘덴서(C3)(C4) 다이오드(D2) 트랜지스터(TR4)로 구성된 퓨우즈 융단 유도회로(나)를 연결하여 과부하시나 쇼트시 회로의 부품이 파괴 및 화재를 방지할 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 과부하시 퓨우즈 융단 유도회로.
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