JPH0850518A - 過電流保護装置 - Google Patents
過電流保護装置Info
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- JPH0850518A JPH0850518A JP7109180A JP10918095A JPH0850518A JP H0850518 A JPH0850518 A JP H0850518A JP 7109180 A JP7109180 A JP 7109180A JP 10918095 A JP10918095 A JP 10918095A JP H0850518 A JPH0850518 A JP H0850518A
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- thyristor
- limiting device
- current
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H3/00—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
- H02H3/02—Details
- H02H3/06—Details with automatic reconnection
- H02H3/066—Reconnection being a consequence of eliminating the fault which caused disconnection
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H3/00—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
- H02H3/02—Details
- H02H3/025—Disconnection after limiting, e.g. when limiting is not sufficient or for facilitating disconnection
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0824—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in thyristor switches
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- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Control Of Voltage And Current In General (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 負荷と電源との間に直列接続されるべき過電
流保護装置は、電流制限装置の両端に現れる電圧によっ
て制御されるスイッチを含んでいる。このスイッチは電
流制限装置に直列に接続されたGTOサイリスタによっ
て構成される。電流制限装置の出力は負荷に接続されて
いる。
流保護装置は、電流制限装置の両端に現れる電圧によっ
て制御されるスイッチを含んでいる。このスイッチは電
流制限装置に直列に接続されたGTOサイリスタによっ
て構成される。電流制限装置の出力は負荷に接続されて
いる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、数百ボルトの電圧が供
給される負荷を保護するように設計された静的なブレー
カに関する。本発明は、より特定的には、電子回路を含
んでおり過電流から負荷を保護するための装置に関す
る。
給される負荷を保護するように設計された静的なブレー
カに関する。本発明は、より特定的には、電子回路を含
んでおり過電流から負荷を保護するための装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】現在得
られるブレーカとしては、ヒューズ、正の温度係数を有
する抵抗、及び電磁ブレーカがある。
られるブレーカとしては、ヒューズ、正の温度係数を有
する抵抗、及び電磁ブレーカがある。
【0003】これらデバイスには、次のような欠点があ
る。即ち、ヒューズは一度のみしか使用できず、各使用
毎に交換しなければならない。正の温度係数を有する抵
抗は、応答時間が長くしかもそれらの使用は低電力の負
荷に限定される。電磁ブレーカは、応答時間が長くしか
も製造コストが高い。
る。即ち、ヒューズは一度のみしか使用できず、各使用
毎に交換しなければならない。正の温度係数を有する抵
抗は、応答時間が長くしかもそれらの使用は低電力の負
荷に限定される。電磁ブレーカは、応答時間が長くしか
も製造コストが高い。
【0004】静的なブレーカとして動作しかつ固体スイ
ッチを用いる電子回路も、知られている。この種の回路
は、負荷の短絡時に大電流が流れるため、短絡時の応答
時間が非常に短くなければならない。このためには、製
造が複雑で高価な電子回路が必要となる。
ッチを用いる電子回路も、知られている。この種の回路
は、負荷の短絡時に大電流が流れるため、短絡時の応答
時間が非常に短くなければならない。このためには、製
造が複雑で高価な電子回路が必要となる。
【0005】従って本発明の目的は、単純な構造を有し
かつ低コストであり、過電流保護装置を構成すると共に
負荷保護要素としての最適な動作信頼性を与える電子回
路を提供することにある。
かつ低コストであり、過電流保護装置を構成すると共に
負荷保護要素としての最適な動作信頼性を与える電子回
路を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ため本発明によれば、負荷と電源との間に直列接続され
るように設計された過電流保護装置であって、電流制限
装置の両端に現れる電圧によって制御されるスイッチを
含んでいる過電流保護装置が提供される。
ため本発明によれば、負荷と電源との間に直列接続され
るように設計された過電流保護装置であって、電流制限
装置の両端に現れる電圧によって制御されるスイッチを
含んでいる過電流保護装置が提供される。
【0007】本発明の一実施態様によれば、上述のスイ
ッチは電流制限装置に直列のゲートターンオフ(GT
O)サイリスタによって構成される。このGTOサイリ
スタのカソードは電流制限装置の入力に接続されてお
り、このGTOサイリスタのアノードは供給電圧を受け
取るように構成されている。電流制限装置の出力は負荷
に接続されており、GTOサイリスタのゲート及びアノ
ード間に第1の高抵抗が設けられている。
ッチは電流制限装置に直列のゲートターンオフ(GT
O)サイリスタによって構成される。このGTOサイリ
スタのカソードは電流制限装置の入力に接続されてお
り、このGTOサイリスタのアノードは供給電圧を受け
取るように構成されている。電流制限装置の出力は負荷
に接続されており、GTOサイリスタのゲート及びアノ
ード間に第1の高抵抗が設けられている。
【0008】本発明の一実施態様によれば、保護装置
は、電流制限装置に並列に接続されておりかつGTOサ
イリスタによって構成される前述のスイッチのターンオ
フ閾値を設定するアバランシェダイオードを含んでい
る。
は、電流制限装置に並列に接続されておりかつGTOサ
イリスタによって構成される前述のスイッチのターンオ
フ閾値を設定するアバランシェダイオードを含んでい
る。
【0009】本発明の一実施態様によれば、保護装置
は、電流制限装置の両端間の電圧がアバランシェダイオ
ードによって固定された閾値に達した際にGTOサイリ
スタのターンオフを制御するように設計された補助サイ
リスタを含んでいる。この補助サイリスタのゲートがア
バランシェダイオードのアノードに接続されており、そ
のカソードが電流制限装置の出力に接続されており、そ
のアノードがGTOサイリスタのゲートに接続されてい
る。
は、電流制限装置の両端間の電圧がアバランシェダイオ
ードによって固定された閾値に達した際にGTOサイリ
スタのターンオフを制御するように設計された補助サイ
リスタを含んでいる。この補助サイリスタのゲートがア
バランシェダイオードのアノードに接続されており、そ
のカソードが電流制限装置の出力に接続されており、そ
のアノードがGTOサイリスタのゲートに接続されてい
る。
【0010】本発明の一実施態様によれば、保護装置
は、補助サイリスタのゲート及びカソード間に設けられ
ておりかつ正常動作時にダイオードを流れる漏れ電流を
吸収するように設計された第2の抵抗をさらに含んでい
る。
は、補助サイリスタのゲート及びカソード間に設けられ
ておりかつ正常動作時にダイオードを流れる漏れ電流を
吸収するように設計された第2の抵抗をさらに含んでい
る。
【0011】本発明の一実施態様によれば、電流制限装
置及びGTOサイリスタは、電流制限装置の制限電流値
「ICL」がGTOサイリスタの最大ターンオフ電流値
より低くなるように選択されている。
置及びGTOサイリスタは、電流制限装置の制限電流値
「ICL」がGTOサイリスタの最大ターンオフ電流値
より低くなるように選択されている。
【0012】本発明の電流制限装置を用いることによ
り、回路の構造を非常に単純化することができる。さら
に、回路は、スイッチの応答時間中、短絡の最初の時点
において負荷に大電流が流れて損傷を受ける危険からも
回避される。従って、スイッチが非常に速い速度で制御
される必要はなくなる。さらにまた、使用する構成要素
は、過電流を受ける危険がないので小さなサイズとする
ことが可能であり、従ってシリコン表面における占有面
積が少なくて済むこととなる。
り、回路の構造を非常に単純化することができる。さら
に、回路は、スイッチの応答時間中、短絡の最初の時点
において負荷に大電流が流れて損傷を受ける危険からも
回避される。従って、スイッチが非常に速い速度で制御
される必要はなくなる。さらにまた、使用する構成要素
は、過電流を受ける危険がないので小さなサイズとする
ことが可能であり、従ってシリコン表面における占有面
積が少なくて済むこととなる。
【0013】
【実施例】本発明の上述した及び他の目的、構成、態様
及び効果は、添付図面を参照した以下に述べる本発明の
詳細な説明によって明らかとなるであろう。
及び効果は、添付図面を参照した以下に述べる本発明の
詳細な説明によって明らかとなるであろう。
【0014】図1に表されているように、本発明で使用
されるごとき電流制限装置は、相互に接続されたゲート
及びソースを有するMOSトランジスタのそれに対応す
る電圧−電流特性を有している。この実施例の装置にお
いて電流が増大すると、この装置は低抵抗素子のごとく
動作する。電流が制限値「ICL」に達すると、電流は
この値に制限され電流制限装置の両端間の電圧が増大す
る。この装置の動作上の制限値は、これを越えると装置
が電子なだれ現象を起こす電圧「VMAX」によって規
定される。
されるごとき電流制限装置は、相互に接続されたゲート
及びソースを有するMOSトランジスタのそれに対応す
る電圧−電流特性を有している。この実施例の装置にお
いて電流が増大すると、この装置は低抵抗素子のごとく
動作する。電流が制限値「ICL」に達すると、電流は
この値に制限され電流制限装置の両端間の電圧が増大す
る。この装置の動作上の制限値は、これを越えると装置
が電子なだれ現象を起こす電圧「VMAX」によって規
定される。
【0015】図2に示されるごとき本発明による保護装
置1は、整流されているが平滑されてない正弦波供給信
号「Valim」を受け取る。この装置1には、例えば
220ボルトの幹線の交流電圧「VAC」が供給されるダ
イオードブリッジ2が設けられている。装置1は、上述
した整流された信号を負荷3へ供給する。この装置は、
ブレーカとして動作するように設計されている。即ち、
幹線における過電圧に基づく過電流が生じた場合に、又
は負荷の一時的若しくは恒久的な短絡が生じた場合に、
回路を開くように設計されている。
置1は、整流されているが平滑されてない正弦波供給信
号「Valim」を受け取る。この装置1には、例えば
220ボルトの幹線の交流電圧「VAC」が供給されるダ
イオードブリッジ2が設けられている。装置1は、上述
した整流された信号を負荷3へ供給する。この装置は、
ブレーカとして動作するように設計されている。即ち、
幹線における過電圧に基づく過電流が生じた場合に、又
は負荷の一時的若しくは恒久的な短絡が生じた場合に、
回路を開くように設計されている。
【0016】装置1は、電流制限装置4と、保護すべき
負荷3に直列に接続されたゲートターンオフサイリスタ
(GTOサイリスタ)T1 とを含んでいる。サイリスタ
T1のアノードは、ブリッジ2の正側の端子に接続され
ている。負荷3の第2の端子は、ブリッジ2の負側の端
子に接続されている。サイリスタT1 は、制限装置4の
両端に現れる電圧によって制御されるスイッチとして動
作する。この目的のために、サイリスタT1 のゲート
は、カソードが電流制限装置4の出力に接続された補助
サイリスタT2 のアノードに接続されている。補助サイ
リスタT2 のゲートは、アバランシェダイオードDのア
ノードに接続されており、さらに抵抗R2を介して自己
のカソードに接続されている。アバランシェダイオード
Dのカソードは、このダイオードが電流制限装置4の両
端間の電圧を「測定」するように、電流制限装置4の入
力に接続されている。GTOサイリスタT1 のアノード
及びゲート間には、高抵抗R1 が接続されている。
負荷3に直列に接続されたゲートターンオフサイリスタ
(GTOサイリスタ)T1 とを含んでいる。サイリスタ
T1のアノードは、ブリッジ2の正側の端子に接続され
ている。負荷3の第2の端子は、ブリッジ2の負側の端
子に接続されている。サイリスタT1 は、制限装置4の
両端に現れる電圧によって制御されるスイッチとして動
作する。この目的のために、サイリスタT1 のゲート
は、カソードが電流制限装置4の出力に接続された補助
サイリスタT2 のアノードに接続されている。補助サイ
リスタT2 のゲートは、アバランシェダイオードDのア
ノードに接続されており、さらに抵抗R2を介して自己
のカソードに接続されている。アバランシェダイオード
Dのカソードは、このダイオードが電流制限装置4の両
端間の電圧を「測定」するように、電流制限装置4の入
力に接続されている。GTOサイリスタT1 のアノード
及びゲート間には、高抵抗R1 が接続されている。
【0017】装置1に電力が供給されると、抵抗R1 、
サイリスタT1 のゲート−カソード接合、電流制限装置
4、及び負荷3を通って電流が流れる。この電流が充分
な値となると、サイリスタT1 がターンオンする。サイ
リスタT1 がオンとなると、規定の負荷電流が電流制限
装置4を流れ、負荷3に供給される。
サイリスタT1 のゲート−カソード接合、電流制限装置
4、及び負荷3を通って電流が流れる。この電流が充分
な値となると、サイリスタT1 がターンオンする。サイ
リスタT1 がオンとなると、規定の負荷電流が電流制限
装置4を流れ、負荷3に供給される。
【0018】正常な動作中、即ち過電流又は短絡状態が
ない場合、電流制限装置4は、その低抵抗領域内で動作
する(図1参照)。これにより、正常動作中、装置1は
低電力消費となる。
ない場合、電流制限装置4は、その低抵抗領域内で動作
する(図1参照)。これにより、正常動作中、装置1は
低電力消費となる。
【0019】電源からの過電流又は負荷3の短絡が生じ
た場合、電流制限装置4を流れる電流は、閾値「IC
L」に達する。電流制限装置4の動作点は電流制限領域
内であり、これにより電流制限装置4の端子間の電圧が
増大する。
た場合、電流制限装置4を流れる電流は、閾値「IC
L」に達する。電流制限装置4の動作点は電流制限領域
内であり、これにより電流制限装置4の端子間の電圧が
増大する。
【0020】この電圧がダイオードDの電子なだれ電圧
によって決まる閾値に達すると、電流がこのダイオード
Dを通って補助サイリスタT2 のゲートへ流れ、このサ
イリスタがオンとなる。
によって決まる閾値に達すると、電流がこのダイオード
Dを通って補助サイリスタT2 のゲートへ流れ、このサ
イリスタがオンとなる。
【0021】補助サイリスタT2 のこのトリガによっ
て、GTOサイリスタT1 のゲート及びカソード間の差
電圧が負の高い値に到達し、これによってこのGTOサ
イリスタT1 がターンオフする。ターンオフの最中に、
GTOサイリスタT1 内を大きな電流が流れることを電
流制限装置4が防止しているため、この保護回路が高品
質のGTOサイリスタを要しないことは好都合である。
GTOサイリスタをターンオフさせる2つの条件は、こ
のようにして満たされる。次いで装置1は、抵抗R1 に
よって決まる高インピーダンスとなり、これは電流が流
れることを阻止する。
て、GTOサイリスタT1 のゲート及びカソード間の差
電圧が負の高い値に到達し、これによってこのGTOサ
イリスタT1 がターンオフする。ターンオフの最中に、
GTOサイリスタT1 内を大きな電流が流れることを電
流制限装置4が防止しているため、この保護回路が高品
質のGTOサイリスタを要しないことは好都合である。
GTOサイリスタをターンオフさせる2つの条件は、こ
のようにして満たされる。次いで装置1は、抵抗R1 に
よって決まる高インピーダンスとなり、これは電流が流
れることを阻止する。
【0022】スイッチングの間、即ち回路のターンオフ
の間、負荷電流は制御されたままであり、電流制限装置
4の閾値電流「ICL」に等しい。
の間、負荷電流は制御されたままであり、電流制限装置
4の閾値電流「ICL」に等しい。
【0023】整流されているが平滑されてない電圧「V
alim」が供給された場合、即ち各半周期に零交差す
る電圧が供給された場合、サイリスタT2 はその信号の
零交差時にターンオフし、これによりサイリスタT1 は
次の半周期の開始時点でターンオンする。従って装置1
は、負荷3に短絡が生じている限り、各半周期毎にター
ンオフ及びターンオンを繰り返す。短絡がなくなると直
ちに回路の正常動作が復帰し、保護装置1をリセットす
る動作は不要となる。従って、特別の安全測定なしに、
自動再トリガ動作が得られることとなる。
alim」が供給された場合、即ち各半周期に零交差す
る電圧が供給された場合、サイリスタT2 はその信号の
零交差時にターンオフし、これによりサイリスタT1 は
次の半周期の開始時点でターンオンする。従って装置1
は、負荷3に短絡が生じている限り、各半周期毎にター
ンオフ及びターンオンを繰り返す。短絡がなくなると直
ちに回路の正常動作が復帰し、保護装置1をリセットす
る動作は不要となる。従って、特別の安全測定なしに、
自動再トリガ動作が得られることとなる。
【0024】これに対して、図示されてないが、直流電
圧、又は整流されかつ平滑された電圧が供給された場
合、サイリスタT2 が負荷に短絡がなくなった時にター
ンオンするので、抵抗R1 の値は、幹線電圧が正常であ
り負荷3の値が正常である際にサイリスタT2 を流れる
電流がその保持電流より小さくなるように課する値に選
択されねばならない。これによって、自動再トリガブレ
ーカを得ることができる。
圧、又は整流されかつ平滑された電圧が供給された場
合、サイリスタT2 が負荷に短絡がなくなった時にター
ンオンするので、抵抗R1 の値は、幹線電圧が正常であ
り負荷3の値が正常である際にサイリスタT2 を流れる
電流がその保持電流より小さくなるように課する値に選
択されねばならない。これによって、自動再トリガブレ
ーカを得ることができる。
【0025】低抵抗R2 の機能は、短絡がないにもかか
わらずアバランシェダイオードD内の漏れ電流がサイリ
スタT2 をトリガするに充分な値となった時に生じ得
る、サイリスタT2 のスプリアス(偽)トリガを避ける
ためにある。
わらずアバランシェダイオードD内の漏れ電流がサイリ
スタT2 をトリガするに充分な値となった時に生じ得
る、サイリスタT2 のスプリアス(偽)トリガを避ける
ためにある。
【0026】上述したように、負荷電流が装置1によっ
て常に制御されているので、回路に最適な信頼性を与え
ている。
て常に制御されているので、回路に最適な信頼性を与え
ている。
【0027】図3に示すごとき、本発明による装置の電
圧−電流特性曲線は、上述した動作を説明している。正
常動作時(領域A)、即ちGTOサイリスタT1 がオン
の時は、装置1の特性曲線は、電流制限装置4のその低
抵抗領域内における特性曲線(図1参照)に従ってい
る。装置1を流れる電流が値「ICL」に達すると、こ
の値に制限され(領域B)、特性曲線は電流制限装置4
の特性曲線に同じく従う。この装置の両端間の電圧が、
アバランシェダイオードDの閾値電圧とサイリスタT2
のゲート−カソード接合電圧との和に対応する閾値「V
th」に達すると、両サイリスタがターンし、ターンオ
フ領域Cにおける抵抗R1 で制限される値まで負荷へ流
れる電流が急激に低下する。
圧−電流特性曲線は、上述した動作を説明している。正
常動作時(領域A)、即ちGTOサイリスタT1 がオン
の時は、装置1の特性曲線は、電流制限装置4のその低
抵抗領域内における特性曲線(図1参照)に従ってい
る。装置1を流れる電流が値「ICL」に達すると、こ
の値に制限され(領域B)、特性曲線は電流制限装置4
の特性曲線に同じく従う。この装置の両端間の電圧が、
アバランシェダイオードDの閾値電圧とサイリスタT2
のゲート−カソード接合電圧との和に対応する閾値「V
th」に達すると、両サイリスタがターンし、ターンオ
フ領域Cにおける抵抗R1 で制限される値まで負荷へ流
れる電流が急激に低下する。
【0028】回路のスイッチング時間は短いが、その応
答時間は、比較的長いかも知れないダイオードDのアバ
ランシェ電圧によって決定される。しかしながら、負荷
電流が電流制限装置4によって常に「ICL」に制限さ
れているので、この遅延は回路の信頼性又は負荷の保護
における信頼性を損なうものではない。
答時間は、比較的長いかも知れないダイオードDのアバ
ランシェ電圧によって決定される。しかしながら、負荷
電流が電流制限装置4によって常に「ICL」に制限さ
れているので、この遅延は回路の信頼性又は負荷の保護
における信頼性を損なうものではない。
【0029】これに限定されない例として、ダイオード
ブリッジによって整流された220ボルトの交流電圧が
供給され、100Wのランプによって構成される負荷3
が接続される本発明の静的ブレーカは、以下の要素を含
んでいる。 (1)600mAの電流制限値「ICL」を有する電流
制限装置4、(2)これを流れる電流が700mAを越
えない場合にはターンオフ可能な、TN25−1600
D(SOT82)なる型番で市販されているゲートター
ンオフ(GTO)サイリスタT1 、(3)PO102A
(TO92)なる型番で市販されているサイリスタT
2 、(4)12ボルトのアバランシェ電圧を有するアバ
ランシェダイオードD、(5)27kΩの抵抗R1 、及
び(6)100Ωの抵抗R2 。
ブリッジによって整流された220ボルトの交流電圧が
供給され、100Wのランプによって構成される負荷3
が接続される本発明の静的ブレーカは、以下の要素を含
んでいる。 (1)600mAの電流制限値「ICL」を有する電流
制限装置4、(2)これを流れる電流が700mAを越
えない場合にはターンオフ可能な、TN25−1600
D(SOT82)なる型番で市販されているゲートター
ンオフ(GTO)サイリスタT1 、(3)PO102A
(TO92)なる型番で市販されているサイリスタT
2 、(4)12ボルトのアバランシェ電圧を有するアバ
ランシェダイオードD、(5)27kΩの抵抗R1 、及
び(6)100Ωの抵抗R2 。
【0030】当業者によれば明らかのように、上述した
実施例に対して種々の変更を行うことが可能である。例
えば、各構成要素は同様の機能を有する1つ又はそれ以
上の素子と置換可能である。
実施例に対して種々の変更を行うことが可能である。例
えば、各構成要素は同様の機能を有する1つ又はそれ以
上の素子と置換可能である。
【0031】本発明の少なくとも1つの例示的な実施例
について述べたが、種々の変更、修正及び改良は、当業
者によれば容易に行うことができる。このような変更、
修正及び改良は本発明の精神及び範囲内についてのみな
されるものであり、従って上述した記載は単なる例示で
あり、これに限定されるものではない。本発明は、前述
した特許請求の範囲及びそれらの均等物についてのみ限
定されるものである。
について述べたが、種々の変更、修正及び改良は、当業
者によれば容易に行うことができる。このような変更、
修正及び改良は本発明の精神及び範囲内についてのみな
されるものであり、従って上述した記載は単なる例示で
あり、これに限定されるものではない。本発明は、前述
した特許請求の範囲及びそれらの均等物についてのみ限
定されるものである。
【図1】電流制限装置の電圧−電流特性曲線を表す図で
ある。
ある。
【図2】本発明の過電流保護装置の一実施例を概略的に
示すブロック図である。
示すブロック図である。
【図3】図2の装置の電圧−電流特性曲線を表す図であ
る。
る。
1 保護装置 2 ダイオードブリッジ 3 負荷 4 電流制限装置 T1 、T2 サイリスタ D アバランシェダイオード R1 、R2 抵抗
Claims (6)
- 【請求項1】 負荷(3)と電源との間に直列接続され
るべき過電流保護装置であって、電流制限装置(4)の
両端に現れる電圧によって制御されるスイッチを含んで
おり、前記電流制限装置が電流を広い電圧領域において
一定である所定値に制限するように構成されていること
を特徴とする過電流保護装置。 - 【請求項2】 前記スイッチが前記電流制限装置(4)
に直列のゲートターンオフ(GTO)サイリスタ(T
1 )によって構成されており、該GTOサイリスタのカ
ソードが前記電流制限装置の入力に接続されており、該
GTOサイリスタのアノードが供給電圧を受け取るよう
に構成されており、前記電流制限装置の出力が前記負荷
(3)に接続されており、該GTOサイリスタ(T1 )
のゲート及びアノード間に第1の高抵抗(R1 )が設け
られていることを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 【請求項3】 前記電流制限装置(4)に並列に接続さ
れておりかつ前記GTOサイリスタ(T1 )によって構
成される前記スイッチのターンオフ閾値を設定するアバ
ランシェダイオード(D)を含んでいることを特徴とす
る請求項2に記載の装置。 - 【請求項4】 前記電流制限装置(4)の両端間の電圧
が前記アバランシェダイオード(D)によって固定され
た閾値に達した際に前記GTOサイリスタ(T1 )のタ
ーンオフを制御するように設計された補助サイリスタ
(T2 )を含んでおり、該補助サイリスタ(T2 )のゲ
ートが前記アバランシェダイオード(D)のアノードに
接続されており、該補助サイリスタのカソードが前記電
流制限装置の出力に接続されており、該補助サイリスタ
のアノードが前記GTOサイリスタのゲートに接続され
ていることを特徴とする請求項3に記載の装置。 - 【請求項5】 前記補助サイリスタ(T2 )のゲート及
びカソード間に設けられておりかつ正常動作時に前記ダ
イオード(D)を流れる漏れ電流を吸収するように設計
された第2の抵抗(R2 )をさらに含んでいることを特
徴とする請求項4に記載の装置。 - 【請求項6】 前記電流制限装置(4)及び前記GTO
サイリスタ(T1 )は、該電流制限装置の制限電流値
「ICL」が該GTOサイリスタの最大ターンオフ電流
値より低くなるように選択されていることを特徴とする
請求項2から5のいずれか1項に記載の装置。
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