KR900004257B1 - 적층형 알루미늄고체전해 콘덴서의 제조방법 - Google Patents
적층형 알루미늄고체전해 콘덴서의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
제 1 도는 종래 고체전해콘덴서의 개략도.
제 2 도는 본 발명에 따라 알루미늄전극판의 평면도.
제 3 도는 본 발명에 따른 알루미늄고체전해콘덴서의 적층상태단면도.
제 4 도는 본 발명에 따른 알루미늄고체전해콘덴서의 적층상태도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1, 1' : 전극판 2 : 연결부
3 : 리드선 4 : 소자
5 : 수지층 6 : 산화망간
본 발명은 알루미늄고체전해콘덴서의 제조방법에 관한 것으로, 특히 연결부로 연결된 2개의 알루미늄전극판을 형성시켜 화성처리한 다음 이 전극판을 교대로 적층시켜줌으로써 제조공정이 간단해지고, 부품의 전기적특성이 향상되도록 된 적층형알루미늄고체전해콘덴서를 제조하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 알루미늄고체전해콘덴서는 알루미늄건식전해콘덴서와 달리 유기페이스트의 전해액을 사용하지않고, 고체무기페이스트인 산화망간(MnO2)의 고체전해질을 사용하는 것으로서, 종래에는 제 1 도에 개략적으로 도시된 바와같이 진공소결시킨 알루미늄파워(AL power)에 (+)전극이 형성되고, 상기 알루미늄파우다는 화성공정을 통해 그 표면에 산화알루미늄이 형성되며, 그 위에는 함침공정과 열분해공정을 통해 질산망간수용액[Mn(NO3)]이 함침되어 고체전해질인 산화망간(MnO2)이 형성된 뒤 도포공정으로 흑연이 도포되면서 도금공정과 납땜공정에서 은이 도금되고, (-)단자가 납땜 접속되므로서 1개의 고체전해콘덴서가 제조되고 있었다.
그런데 이와같은 공정으로 형성되는 종래의 고체전해콘덴서제조방법은 (-)전극을 접속시켜주기위해 산화망간위에 흑연이 도포되는 도포공정과, 이 흑연위에 은이 도금되는 도금공정이 실시되게 됨으로써 제조공정이 증가되어져 부품의 제조원가가 상승되게 될 뿐만 아니라 흑연과 은에 의한 소체의 전기적저항이 증가되고, 또 흑연과 은의 접촉저항으로 인해 콘덴서의 전기적인 특성이 불량해지게 되는 등 문제점이 있었다.
이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결해 주기 위해 발명된 것으로, 전극형성공정으로(+)전극판과 (-)전극판을 형성시켜주고나서 이 두전극판을 에칭공정 및 화성공정을 거쳐 그 표면에 화성피막을 형성시키며, 이어 적층공정에서 두 전극판이 교차되도록 적층시킨 뒤 수회의 함침공정과 열분해 공정을 통해 적층된 두 전극판 사이에 산화망간을 형성시켜줌으로써 제조공정이 간단해짐은 물론, 제조부품의 전기적특성이향상되도록 된 적층형알루미늄고체전해콘덴서의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
이하 본 발명의 구성 및 작용, 효과를 예시된 도면에 의거 상세히 설명한다.
본 발명은 알루미늄으로 된 (+) 및 (-)전극판(1,1')이 연결부(2)로 각각 연결, 형성되어지는 전극형성공정과, 이 (+) 및 (-)전극판(1,1')의 표면이 에칭되게 되는 에칭공정, 상기 (+)전극판(1)에 화성피막이 형성되게 되는 화성공정, 화성처리된 상기 (+)전극판(1)과 상기 (-)전극판(1')이 상호 교차되도록 적층형성되게 되는 적층공정, 상기 (+) 및 (-)전극판(1,1')에 외부리드선(3)이 접속되게 되는 함침공정과 열분해공정 및 형성된 콘덴서소자(4)의 표면에 에폭시수지층(5)이 형성되는 도포공정으로 이루어진다. 미설명부호 6은 산화망간이다.
상기와 같은 제조공정으로 이루어지는 본 발명은, 종래의 고체전해콘덴서의 제조방법에 비해 그 제조공정이 간단해지게 되고, 또 흑연이나 은을 사용하지 않기 때문에 콘덴서의 전기적인 특성이 향상될 뿐만 아니라, 상기 (+) 및 (-)전극판(1,1')이 상호적층구성되기 때문에 두 전극판의 대향면적이 넓어져 용량특성이 양호한 콘덴서를 제공할 수 있게 된다.
한편 본 발명의 공정과정을 상세히 살펴보면, 먼저 전극형성공정을 통하여 알루미늄판을 제 2 도에서 도시된 바와같이 다수의 연결부(2)로 연결된 상태로 형성시켜 줌으로써 (+) 및 (-)전극판(1,1')을 각각 형성시킨 뒤 에칭공정으로 상기 두 전극판(1,1')의 표면적을 최대로 넓혀주고, 에칭이 이루어진 다음에는 화성공정에서, (+)전극판(1)의 표면을 일정한 화성전압으로 화성처리함으로써 그 표면에 화성피막 즉 산화알루미늄(Al2O3)층을 형성시켜주게 됨과 더불어 적층공정에서, 화성처리된 (+)전극판(1)과 에칭된 상태의 (-)전극을 상호 교대로 적층시켜주게 되며, 이어 접속공정을 통해 외부리드선(4)을 (+) 및 (-)전극판(1,1')에 각각 접속연결시켜주게 됨과 더불어, 함침공정을 통해 적층된 소자를 질산망간수용액[Mn(NO3)2]6에 함침시킨 상태에서 열분해공정을 통하여 화성피막위에 고체전해질인 산화망간(MnO2)을 형성시켜주게 됨과 더불어 도포공정을 통하여 소자(4)의 외면에 에폭시수지층(5)을 형성시켜주게 됨으로써 공정이 끝나게 된다.
한편 상기 적층공정시에는 상기 (+) 및 (-)전극판(1,1')을 직각되게 교차시킨 상태에서 상기 두 전극판(1,1')연결부(2)의 양끝부를 각각 직각되게 교대로 절곡시켜 적층, 형성시켜주게 되는데, 이는 제 3 도와 4 도에 도시된 바와같이 (+) 및 (-)전극판(1,1')이 교대로 적층되어져 상호 대향면적이 증가되게 된다.
또한 상기 함침공정시에는 적층된 소자(4)를 질산망간수용액에 함침시켜주게 되는데, 이와같은 함침공정은 열분해공정과 연관적으로 이루어지게 하면서 수회반복시켜줌으로써 적층된 (+) 및 (-)전극판(1,1)사이에 고체전해질인 산화망간(MnO2)(6)이 형성되어지게 한다.
이와같이 본 발명은 종래의 (-)전극을 접속하기 위해 산화알루미늄위에다 흑연을 도표하고 은을 도금해주던 것과는 달리, 알루미늄판으로 (-)전극을 대체시켜주면서 (+) 및 (-)전극판(1,1)사이에다 고체전해질을 형성시켜주게 됨으로써, 부품의 제조공정이 간단해지고 제조원가가 낮아질 뿐만 아니라 낮은 저항특성으로 인한 부품의 전기적인 특성이 향상되는 효과가 있다.
Claims (1)
- 알루미늄으로 된 (+) 및 (-)전극판(1,1')이 연결부(2)로 각각 연결, 형성되어지는 전극형성공정과, 상기 (+) 및 (-)전극판(1,1')의 표면을 에칭시켜주는 에칭공정, 상기 (+)전극판(1)에 화성피막을 형성시켜주는 화성공정, 화성처리된 상기 (+)전극판(1)과 상기 (-)전극판(1')이 상호교차되도록 적층, 형성되는 척층공정, 상기 (+) 및 (-)전극판(1,1')에 외부리드선(3)을 접속시켜주는 접속공정, 적층된 상기 (+) 및 (-)전극판(1,1') 사이에다 고체전해질을 형성시켜주는 수회의 함침공정과 열분해공정 및 형성된 콘덴서소(4)의 표면에다 에폭시수지층(5)을 형성시켜주는 도포공정으로 이루어지는 적층형 알루미늄고체전해콘덴서의 제조방법.
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