KR900003980A - 처리 장치 - Google Patents

처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR900003980A
KR900003980A KR1019890010084A KR890010084A KR900003980A KR 900003980 A KR900003980 A KR 900003980A KR 1019890010084 A KR1019890010084 A KR 1019890010084A KR 890010084 A KR890010084 A KR 890010084A KR 900003980 A KR900003980 A KR 900003980A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
space
reaction space
reaction
processing apparatus
pressure
Prior art date
Application number
KR1019890010084A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0134033B1 (ko
Inventor
가츠히코 이와부치
오사무 요코가와
Original Assignee
후세 노보루
테루 사가미 가부시끼 가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 후세 노보루, 테루 사가미 가부시끼 가이샤 filed Critical 후세 노보루
Publication of KR900003980A publication Critical patent/KR900003980A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0134033B1 publication Critical patent/KR0134033B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

처리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 , 본 발명에 관한 처리장치의 1실시예인 기상(氣相) 에피텍셜 성장용의 열처리장치를 나타낸 요부의 확대도.
제 2 도는, 제 1 도에 도시한 장치의 전체의 개요를 나타내기 위한 종단 정면도.

Claims (8)

  1. 반응공간(28) 내로 반응가스를 흘려서 피처리체(22)으 처리를 행하는 처리장치로서, 상기 반응공간(28)을 형성하는 수단과, 상기 반응공간 형성수단의 적어도 일부에 형성된 시일영역과, 이 시일영역을 상기 반응공간(28)내에서 포위하도록 형성된 포위공간(58)과 이 포위공간(58)을 상기 반응공간(28)보다 높은 압력으로 하는 수단과를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 처리장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 시일영역을 대략 페쇄적으로 포위하는 포위공간(58)이 형성되고, 시일드 가스가 상기 포위공간(58)에 대하여 공급되어, 포위공간(58)의 압력이 반응공간(28)의 압력보다도 항상 높게 유지되는 것인 처리장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 포위공간(58)과 반응공간(28)이 좁은 통로에 의하여 연이어 통하고 있는 것인 처리장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 시일 수단이 자성유체로 이루어진 것인 처리장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 반응공간 형성수단이 반응공간(28)을 개방, 및 폐쇄하는 덮개체(36)로 이루어진 처리장치.
  6. 제 2 항에 있어서, 시일드 가스가 반응가스 중에서 선택된 1종류의 가스인 처리장치.
  7. 제 2 항에 있어서, 시일드 가스가 불활성 가스에서 선택된 1종류의 가스인 처리장치.
  8. 제 2 항에 있어서, 포위공간(58)의 압력이 상기 반응공간(28)의 압력보다도 항상 5 내지 10Torr정도 높게 되도록 설정되어 있는 처리장치.
    ※참고사항: 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890010084A 1988-08-26 1989-07-15 처리장치 KR0134033B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP211770 1988-08-26
JP21177088 1988-08-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR900003980A true KR900003980A (ko) 1990-03-27
KR0134033B1 KR0134033B1 (ko) 1998-04-20

Family

ID=16611300

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019890010084A KR0134033B1 (ko) 1988-08-26 1989-07-15 처리장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0134033B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR0134033B1 (ko) 1998-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920012537A (ko) 화학기상 성장장치
BR8304635A (pt) Dispositivo e processo de deposicao de vapor quimico
KR930017103A (ko) 드라이 에칭 방법 및 그 장치
DK412984A (da) Kemisk dampafsaetningsapparat
EP0340411A3 (en) Method for packaging substances in a sterile way
KR910012329A (ko) 질화로 장치
ATE256761T1 (de) Verfahren und ofen zum nitrieren
ES2063612A2 (es) Dispositivo para hacer inerte un baño de soldadura de una maquina de soldadura por olas.
ATE128269T1 (de) Plasma-reaktionskammer.
NO920074L (no) Beskyttelse mot omgivelsene og forsegling
KR920003424A (ko) 표면처리 장치, 표면처리방법 및 반도체장치의 제조방법
FR2455239B1 (ko)
ES468608A1 (es) Un metodo para la produccion de un paquete impermeable a losgases.
BR7902262A (pt) Conjunto de envoltorio selado de lampada de silica fundida,selo de condutor de entrada,lampada de descarga de vapor metalico de alta pressao,miniaturizada e processo de solda de condutor de entrada no envoltorio de silica
GB8428470D0 (en) Sterilising procedures and equipment
FI821410A0 (fi) Colostomipaose
KR900003980A (ko) 처리 장치
JPS53115926A (en) Pressure vessel
KR950016854A (ko) 배기장치
KR890007772A (ko) 내화 금속의 가스상 화합물의 트랩 장치 및 이를 포함하는 펌프 플랜트
JPS5389286A (en) Metal vapor discharge lamp
US3692616A (en) Method and apparatus for heat treatment of packaged products
JPS5646165A (en) Method and device for sealing shaft
JPS57136932A (en) Photochemical reaction device
JPS52140134A (en) Flow adjusting valve

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20111202

Year of fee payment: 15

EXPY Expiration of term