KR900003258B1 - 대규모 집적회로(lsi) - Google Patents

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Abstract

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Description

대규모 집적회로(LSI)
제 1 도 a는 종래기술 설계법에 의해 형성된 게이트배열에 의한 예시패턴의 평면도이다.
제 1 도 b는 본 발명의 설계기술을 사용하여 형성된 게이트배열에 의한 예시패턴의 평면도이다.
제 2 도는 제 1 도 b의 회로패턴을 좀 더 상세히 보여주는 것이다.
제 3 도 a는 제 2 도의 일부분확대도이고, 이는 내부셀배열과 외부셀영역의 평면도이며, 외부영역, 접합패드영역, 그리고 내부영역을 포함한 것이다.
제 3 도 b는 제 3 도 a에서 보여주는 D-E선을 따라 외부셀의 확대단면도이다.
제 4 도는 LSI 회로의 종래기술에 대한 패턴설계의 기준전압도선연결을 도시하는 블록선도이다.
제 5 도는 제 4 도의 것에 관한 블록선도이며, 본 발명에 의한 기준전압도선연결을 도시하는 것이다.
제 6 도는 제 2 도의 내부셀의 회로선도의 실체를 나타내며, 본 발명에 의해 기준전압도선연결을 응용한 것이다.
제 7 도는 제 3 도 또는 제 5 도에서 외부셀의 회로선도의 실체를 나타내며, 본 발명의 기준전압도선연결을 응용한 것이다.
마스터슬라이스 반도체 기술은 낮은 가격으로 짧은시간내에 주문제작된 LSI를 공급하기 위한 수단으로 제안되었다. 이는 많은 트랜지스터와 저항이 이미 반도체 칩에 형성되어 있고 각 고객의 특정한 요구를 만족하는 기능회로를 실현하기 위하여 필요한 전선패턴을 갖는 마스크의 사용으로 서로 연결되었다는 것이다.
LSI 회로에서 LSI에 제공된 출력 트랜지스터에 의해 외부회로를 구동하는 것이 요구된다. 그것은 종래기술의 스위칭 회로로 알려졌으며, LSI에서 외부셀의 출력 트랜지스터들이 동작할때, 자주 대용량의 잡음이 발생한다. 그것은 접지선을 통하여 흐르는 출력 트랜지스터의 대전류에 의한 접지준위의 변화로 야기된다.
접지준위의 동요는 LSI의 형성을 방해하고, 잡음을 야기시키며, 회로의 신뢰도가 감소된다.
출력 트랜지스터의 고전류를 스위칭함으로써 발생되는 잡음을 감소시키는 LSI의 회로를 제공하는 것이 본 발명의 목적이다. 개량된 칩의 패턴설계를 제공함으로써 본 목적이 완성된다. 주로 칩은 내부셀배열과 접합패드배열, 그리고 외부셀배열로 구성된다. 칩상에서 중앙부에 배열된 내부셀배열은 소전류 트랜지스터들을 포함한다. 내부셀배열의 외부에 배열된 외부셀배열은 그 외부회로를 구동하기 위한 대전류 트랜지스터로 구성된다. 내부셀배열 외부에 배열된 접합패드배열은 단일패드와 기준전압공급패드로 구성된다. 외부셀영역은 접합패드영역에 의하여 내부셀영역과 분리된다. 내부기준전압도선은 접합패드배열의 내측에 위치하고, 전원공급패드와 내부셀들을 연결한다. 그 외부기준전압도선은 접합패드배열의 외측에 위치하며 외부셀들과 전원공급패드와 연결한다.
칩의 설계에서 잡음원인 외부셀들에 연결되는 그 외부기준전압도선은 내부셀들에 연결된 내부기준전압도선으로 분리되기 때문에 외부셀에서 잡음의 발생은 내부셀에서 제외된다. 그 때문에 내부셀들의 회로들은 외부셀들에서 발생하는 잡음에 의하여 영향을 받지 않고 동작시킬 수 있으므로 회로의 신뢰도가 개선된다.
발명이 실예는 다음 도면에 대하여 게이트배열을 예를들어 설명하겠다.
제 1 도 a는 종래기술의 게이트배열의 예시패턴 평면도를 도식적으로 나타낸 것이다. 제 1 도 a에서 나타난 것처럼 반도체 칩 1상에 셀 2가 종으로 배열되고, 셀배열 BL1, BL2, …,BLn을 구성한다. 셀 2의 각각은 일반적으로(트랜지스터 트랜지스터로직)회로, ECL(에미터결합로직)회로 혹은 CMIS(컴프리멘타리 금속산화절연반도체)회로를 포함한다.
셀 2는 규정된 공간 사이에 각 셀배열 BL들을 각각 위치하며 각 셀배열들의 셀들은 횡으로 배열된다. 각 인접 셀배열 사이의 공간은 한 셀배열 또는 다른 셀배열들에서 셀들을 서로 연결하는 전송선들을 배치하는데 사용된다. 칩 1의 주변에 패드들이 외부회로에 IC를 연결하는 패드영역 PD가 있다. 패드영역 PD 내부에 셀들이 종래기술에 의하여 형성된 입출력(I/O)회로를 포함하도록 할당되는 외부셀영역 IOC 1 이 있다.
패턴의 설계에서 주 논리회로로 사용되는 내부셀배열 ICA는 자주 접지전위도선에 스위칭 잡음으로 영향을 준다. 스위칭 잡음은 주로 I/O 회로에서 출력 트랜지스터의 대전류스위칭에 대하여 접지준위의 변화로 야기된다.
제 1 도 b는 본 발명의 설계기술을 사용하여 형성되는 게이트배열에 의한 예시패턴의 평면도를 도식적으로 나타낸 것이다. 그림에서 추가된 수는 제 1 도 a에서 보여주는 칩 1의 유사 또는 동일 부분을 구분한다. 제 1 도 a에서 제 1 도 b를 비교할때 제 1 도 a에서는 공통 접지기준전압도선(무표시)이 내부셀과 외부셀들을 배열하고, 제 1 도 b에서는 외부셀들, 특히 출력 트랜지스터들에 대하여 접지기준전압도선(무표시)이 내부셀들에서 외부셀들내에서 발생된 잡음의 영향을 받지 않도록 분리된다. 또한 또다른 차이는 세개의 영역, 즉 외부영역 3, 접합패드영역 PD, 그리고 내부영역 4를 포함하는 외부셀영역 IOC 2가 있다는 것이다. 대전류를 제어하는 외부영역 3은 제 1 도 a에서 외부영역 IOC 1의 I/O 회로로부터 분리되고 최외부영역으로 할당된다. 그것은 외부영역이 접합패드배열 PD의 외측에 위치하는 외부기준전압도선에 연결된 출력 트랜지스터를 포함한다는 것이다.
그러므로 내부셀 2의 회로는 외부영역 3에서 발생되는 잡음의 영향을 받지 않고 동작할 수 있다.
제 2 도는 제 1 도 b의 회로패턴을 더 자세히 나타내고 있다. 칩 1의 중앙부에 내부셀 2가 배열되고 제 1 도에 대하여 설명된 바와같은 매트릭스에서 주 논리회로를 구성하는데 사용된다.
칩의 이 부분은 내부셀영역 ICA라 한다. 내부셀 2의 접지단자는 셀배열들에서 옆으로 내부셀영역에 제공되는 첫번째 기준전압도선 GND1에 연결된다. 첫번째 내부기준전압도선 GND1은 각각 적당한 간격으로 위치하며 그 간격사이에 배열된 각각의 내부셀에 연결된다. 전원공급전송선 Vcc1은 내부셀배열들 사이에 형성되며, 첫번째 내부기준전압도선 GND1를 가로질러 형성된다. 이 도선들 Vcc1, GND1은 각각 다른 층에 제공된다.
첫번째 내부기준전압도선 GND1과 두번째 내부기준전압전선 GND2를 포함하는 내부기준전압도선이 있다. 첫번째 기준전압도선 GND1의 양끝은 A점에서 두번째 내부기준전압도선 GND2에 연결된다. 전원공급 전송된 Vcc1은 B점에서 전원공급전압트렁크(Trunk)도선에 연결된다.
두번째 내부기준전압도선 GND2는 접지전위패드 PGND에 연결되고 전원공급전압트렁크도선 Vcc2는 전원공급전압패드 Pcc에 연결된다.
더구나 칩의 주변에 제공되며 출력버퍼소자들과 접지기준전원공급패드 PGND의 접지단자에 연결되는 외부기준전압도선 GND3가 있으며 대전류를 조정한다.
외부기준전압도선 GND3는 칩 1의 구석에 C점에서 두번째 내부기준전압도선 GND2에 연결되며 내부기준 전압도선 GND2와 외부기준전압도선 GND3 사이에 과다 분리를 피하도록 한다.
제 2 도에서 볼 수 있는 바와같이 두번째 내부기준전압전선 GND2, 외부기준전압도선 GND3, 전원공급전압트렁크도선 Vcc2는 내부셀배열주위에 배열된다. 그들은 내부셀배열 ICA에 배열된 전원공급전압전송선 Vcc1과 첫번째 내부기준전압도선 GND1을 비교하는 브로드(broad)선으로 형성된다. 두번째 내부기준전압도선 GND2와 그 외부기준전압도선 GND3의 폭은 첫번째 내부기준전압전선 GND1의 폭에 비해 3배 이상이다. 또한 전원공급전압 트렁크도선 Vcc2의 폭은 전원공급전압전송선 Vcc1의 폭에 비해 3배 이상이다.
제 2 도의 설계의 장점은 첫번째 내부기준전압도선 GND1과 외부셀들, 즉 출력트랜지스터에 의해 야기되는 잡음으로부터 내부셀들을 분리하도록 접합패드배열을 통하여 외부 기준전압도선 GND3로부터 분리된다.
제 2 도의 설계의 포인트는 내부셀 2가 두번째 내부기준전압도선 GND2에 의하여 외부셀영역 IC2의 외부영역 3으로부터 분리되며, 외부영역 3은 접합패드영역 PD보다 외부영역에 분리, 위치한다. 외부기준전압도선 GND3와 전원공급전압 트렁크전선 Vcc 2는 외부셀을 지나 형성되지만 그들은 절연필름에 의하여 외부셀들로부터 절연된다.
위에서 언급한 바와같이 제 1 도에서 IC칩의 주변에 제공되는 I/O회로는 외부회로들을 구동하는 대전류를 조정하는 외부영역 3과 I/O회로의 버퍼로 사용되며, 더 작은 전류로 동작하는 내부영역 4를 포함한다.
제 2 도에서 볼수 있는 바와같이 외부영역 3은 두번째 내부기준전압도선 GND2와 전원공급전압 트렁크전선 Vcc2에 의하여 내부셀배열 ICA로부터 분리된다. 더구나 외부영역 3은 접합패드영역에 의하여 내부영역 4로부터 분리되며 최외부 영역에 위치하고 외부기준전압도선 GND3에 의하여 둘러싸이며 보호된다. 그리고 접합패드영역 PD와 내부영역 4는 외부영역 3에서 내측에 배정된다. 그들은 두번째 내부기준전압도선 GND2와 접합패드영역 PD에 의하여 둘러싸이며 보호된다.
제 3도 a는 제 2 도의 부분적인 확대도이며 내부셀배열과 외부셀영역들의 평면도를 보여주고 있으며, 외부영역과 접합패드영역, 그리고 내부영역들을 포함한다. 외부셀의 이들 세 영역은 내부셀들 2의 외측으로부터 질서있게 배열된다. 외부영역 3의 회로는 칩의 최외부에 있으며, 출력트랜지스터 Q8, 다이오드 Q5와 저항 R4등을 비교한다.
접합패드영역 PD는 외부영역 3의 내측에 위치하고 내부영역 4는 패드 PD(PGND와 Ps)의 내측에 위치한다.
제 3 도 b는 제 3 도 a에서 보여주는 선 D-E를 따라 외부셀영역의 확대횡단면을 나타내고 있다. 도면은 칩의 다층 전송선의 구조를 도시한다. 도면에서 첨수는 제 2 도에서 나타난 칩의 유사 또는 동일부분을 구분한다. 도면은 다수의 트랜지스터와 저항을 비교하는 외부셀영역과 외부영역 3, 그리고 내부영역 4의 단면을 나타내며 반도체기판 S에 형성된다.
이 도면에서 보여준 바와같이 외부영역 3에서 출력트랜지스터에 연결된 외부기준전압도선 GND3는 패드영역 PD에 의하여 내부셀에 연결된 내부기준전압도선 GND1과 GND2로부터 구분된다. 각 외부, 내부기준전압도선 GND1, GND2와 GND3는 접합패드 PGND에 직접 연결된다.
기판 S의 표면은 산화규소(SiO2)필름과 같은 1차절연필름 IL1으로 코팅되었다. 예를들어 알루미늄이나 복수 실리콘으로된 1차전송층 WL1은 1차절연층 IL1위에 제작, 형성된다. 2차절연층 IL2는 1차전송층 WL1위에 제작된다.
예를들어 2차 전송층 WL2의 알루미늄필름이 2차절연층 IL2위에 제작, 형성된다.
추가로 외부기준전압도선 GND3영역(화살표로 표시)의 확대단면도는 아래쪽으로 2차전송층 WL2의 알루미늄필름과 2차절연층 IL2, 1차전송층 WL1, 1차절연필름 IL1과 칩 1의 반도체기판 S로 구성된다. 접지전위패드 PGND영역은 2차 전송층 WL2, 1차전송층 WL1, 1차 절연필름 IL1과 기판 S로 구성된다. 전원공급전압 트렁크도선 Vcc2 영역은 2차전송층 WL2, 2차절연층 IL2, 1차전송층 WL1, 1차절연필름 IL1과 기판 S로 구성된다. 두번째 내부기준전압전선 GND2 2영역은 2차전송층 WL2와 2차절연층 IL2, 1차절연필름 IL1과 기판 S로 구성된다. 첫번째 내부기준전압전선 GND, 영역은 2차전송층 WL2, 2차절연층 IL1, 1차절연필름 IL2과 기판 S로 구성된다.
제 2 도에서 볼 수 있는 바와같이 외부영역 3과 내부영역 4는 기준전압도선으로 코팅되지만, 절연층에 의하여 절연된다. 다음 외부셀영역의 동작은 아래에 설명하겠다.
제 4 도는 종래기술의 LSI회로에 대한 패턴설계의 기준전압도선 연결을 도시하는 블록선도이다. 보통 기준전압도선과 같이 외부셀영역 IOC1의 접지전위도선 ECGND는 외부셀 2의 접지전위도선 ICGND에 연결된다. 교차점 R에서 패드 PGND까지의 접지선 RGND로 된다. 그러한 종래기술배열에서 회로는 흔히 잡음에 의하여 야기되는 오동작을 나타낸다. 잡음은 주로 IC칩 자체에 포함된 출력트랜지스터의 고전류 스위칭 때문이다. 그것은 공통접지선 RGND에서 전위변화 때문이기도 하다. 공통접지선 RGND에서 전위변화는 도선상의 신저항에 의하여 야기되는데 공통접지선 RGND가 칩상에 도선이 길고 가는 나선으로 만들어졌기 때문이다.
외부영역 3에서 대전류를 조절하는 다수의 출력트랜지스터 Q8을 포함한다. 그러한 대전류가 접지선 ECGND에 쇄도할때 접지전위는 변하며 내부셀 2는 잡음의 영향을 받게 된다.
제 5 도는 제 4 도의 것과 동일한 블록선도이며, 본 발명에 의하여 기준전압도선연결을 도시하고 있다. 잡음을 줄이기 위하여 출력트랜지스터는 접합패드배열의 외측에 배열된 외부영역 3에 제작되고 특히 출력트랜지스터에 대한 외부기준전압도선 GND3는 접합패드배열 PD의 외측에 위치한다.
더우기 외부셀의 접지선은 두 부분의 회로로 분리된다. 하나는 외부기준전압도선 GND3을 포함하는 회로이며, 출력트랜지스터 Q8, 다이오드 Q5,저항 R4가 연결된다.
다른 회로는 내부기준전압도선 GND1과 GND2를 포함하고 외부셀영역의 내부영역에 상응하는 나머지를 접지시킨다. 그러므로 내부셀배열 2는 외부셀영역 IOC2의 외부영역 3에서 잡음발생을 억제한다. 내부셀 2의 회로는 접지전위변동으로부터 영향을 받지않고 동작할 수 있으므로 신뢰도가 개선된다.
제 6 도는 제 2 도의 내부셀의 회로도의 실예를 나타내며, 본 발명에 의해 기준전압도선연결을 응용한 것이다. 내부셀 2의 회로는 일반적인 회로도로서 3입력 NAND게이트와 등가이며, 게이트 트랜지스터 Q1, Q2, Q3, Q4, Q5와 Q6다이오드 D1, 저항 R1, R2, R3, 와 R4입력단자 IN1, IN2와 IN3그리고 출력단자 OUT로 구성된다. 이들 써큐트리(Circuitry)들은 첫번째 내부기준전압도선 GND1에 연결된다.
제 7 도는 제 3 도 또는 제 5 도에서 외부셀의 회로도의 실예를 보여주며, 본 발명의 기준전압도선연결을 응용한 것이다. 회로는 3단자 출력버퍼 게이트와 등가이다. 외부영역 3의 회로는 외부기준전압도선 GND3에 접지되고 내부영역 4에 대응하는 출력버퍼회로의 나머지는 두번째 내부기준전압도선 GND2에 접지된다.
이들 회로는 본 발명에 의하여 접지전위전송의 실예를 나타낸 것이며, 회로의 기능은 뚜렷이 발명과 관계없으므로 회로기능의 설명은 생략하겠다.
비록 단 하나가 발명의 TTL게이트 배열 실예에 대하여 고정된 저전압원에 연결되었다고 할지라도 기준전압과 같은 접지전위는 설명되어졌다. 나머지 기준전위로서 고전압원에 연결되어 발명의 변형이 가능하다는 것이 명백하다.

Claims (8)

  1. 다수의 내부셀들로 이루어진 하나의 내부셀배열이 칩의 중심부에 배열되어 있고, 다수의 외부셀들로 이루어진 하나의 외부셀 배열이 상기의 내부셀배열의 외측에 배열되어 있으며, 기준 전원공급패드와 신호패드로 이루어진 접합패드 배열이 상기 내부셀배열의 외각에 배열되고, 내부기준전압도선이 상기 접합패드 배열의 내측에 위치하며, 상기 전원공급패드와 상기 내부셀들에 연결되고, 외부의 기준전압도선이 상기 접합패드 배열의 외측에 위치하며, 상기 외측 셀들과 상기 전원공급패드에 연결되어 이루어진 하나의 칩을 갖는 대규모 집적회로.
  2. 청구범위 제 1 항에 있어서, 상기 내부의 기준전압도선이 내부셀배열에 배열되고, 내부셀들에 연결된 첫번째 내부 기준전압도선과 내부셀배열의 주변에 배열되고, 첫번째 내부 기준전압도선에 연결된 두번째 기준전압도선, 상기 두번째 기준전압도선이 전원공급패드에 직접 연결로 이루어진 대규모 집적회로 장치.
  3. 청구범위 제 1 항에 있어서, 상기 외부기준전압도선이 상기 칩의 가장자리를 따라 배열되고, 상기 전원공급패드에 직접연결되는 대규모 집적회로.
  4. 청구범위 제 1 항에 있어서, 상기 외부셀이 접합패드배열의 외측에 위치한 외부구역과 접합패드배열이 있는 접합패드 구역과 접합패드배열의 내측에 배열된 내부구역으로 이루어진 대규모 집적회로.
  5. 청구범위 제 4 항에 있어서, 상기 외부셀의 외부구역이 외부기준전압도선과 신호 패드에 연결된 출력트랜지스터를 포함하는 대규모 집적회로.
  6. 청구범위 제 4 항에 있어서, 상기 외부셀 배역이 칩의 네 가장자리에 배열되어 있는 대규모 집적회로.
  7. 청구범위 제 1 항에 있어서, 낮은 전압의 전원공급도선과 높은 전압의 전원공급도선으로 더 이루어지고, 여기서 내부와 외부의 기준전압도선이 낮은 전압의 전원공급도선들인 대규모 집적회로.
  8. 청구범위 제 2 항에 있어서, 낮은 전압의 전원공급도선과 높은 전압의 전원공급도선으로 더 이루어지고, 여기서 내부와 외부의 기준전압도선은 낮은 전압의 전원공급도선들인 대규모 집적회로.
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