KR900000502B1 - 방전등 점등장치 - Google Patents

방전등 점등장치 Download PDF

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신경호
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한국전자 주식회사
유원영
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Abstract

내용 없음.

Description

방전등 점등장치
제1도는 종래의 형광등 점등장치 회로도.
제2도는 본 발명의 방전등 점등장치 회로도.
제3도는 제2도의 동작설명을 위한 각부 파형도.
제4도는 제2도의 스위칭트랜지스터를 풀브리지(Full Bridge)로 구성한 일예를 보인 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 브리지다이오드 2 : 저전압공급부
3 : 인버터회로부 4 : 삼각파발진부
5, 6 : 구형파변환부 7, 8 : 전류증폭부
9 : 과전류흐름검출회로부 10 : 직류전압중첩회로부
11 : 직류전압증첩구동제어부 12 : 과염검출회로부
본 발명은 수은등이나 나트륨등과 같은 고압력 방전등을 타려방식에 의한 고주파로 제어하여 점등하고, 점등 초기시에 방전 등에 과전류가 흐름을 방지하여 방전등을 보호할 수 있게 한 방전등 점등장치에 관한 것으로, 특히 방전등이 정상 점등되어 일정시간이 경과된 이후에 방전등 구동맥류전압에 직류전압을 중첩시켜 방전 등의 점등효율을 향상시키게 한 방전등 점등장치에 관한 것이다.
종래의 형광등 점등장치는 제1도에 도시한 바와같이, 교류 전압을 맥류전압으로 변환하는 브리지다이오드(1)와, 교류 전압에 의한 일정한 저전압(Vcc,VEE)을 공급하는 저전압공급부(2)와, 공진용콘덴서(C1,C2) 및 쵸크코일(L1), 초기시동개시용콘덴서(C3), 방전램프(LP1), 스위칭트랜지스터(TR1,TR2)로 구성되어 상기 브리지다이오드(1)의 맥류전압이 공급되는 인버터회로부(3)와, 수십KHz의 삼각파를 발생하는 삼각파발진부(4)와, 이 삼각파발진부(4)의 발진신호를 서로다른 극성의 구형파로 변환하는 구형파 변환부(5),(6)와, 이 구형파변환부(5),(6)의 출력신호를 증폭하여 상기 인버터회로부(3)의 스위칭트랜지스터(TR1),(TR2)의 온·오프를 제어하는 전류증폭부(7),(8)로 구성되어 있다.
따라서, 이러한 종래의 형광등 점등장치는 스위칭트랜지스터(TR1),(TR2)가 동시에 온되는 것을 확실히 방지할 수 있게되어 제품의 신뢰성이 향상되는 것이나, 인버터회로부(3)에 맥류전압만이 공급되므로 그 맥류전압이 영전위로 될 때마다 방전램프(LP1)는 실질적으로 점등되지 않게되어 점등효율이 떨어지는 결점이 있었다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 고압력 방전 등이 정상점등되어 일정시간이 경과된 이후에 방전등 구동맥류전압에 직류전압을 중첩시켜 고압력 방전 등의 점등효율을 향상시키게 창안한 것으로, 이를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
제2도는 본 발명의 방전등 점등장치 회로도로서, 이에 도시한 바와같이, 브리지다이오드(1)에서 출력되는 맥류전압이 인버터회로부(3)에 구동전압으로 인가되고, 삼각파발진부(4)의 발진신호는 구형파변환부(5),(6)에서 구형파로 변환된 후 전류증폭부(7),(8)을 통하여 사익 인버터회로부(3)의 스위칭트랜지스터(TR1),(TR2)의 베이스에 온·오프제어 신호로 인가되며, 상기 인버터회로부(3)의 과전류흐름검출용 저항(R1)에 과전류가 흐를 때 과전류흐름검출회로부(9)에서 저전위 신호가 출력되어 상기 구형파변환부(5),(6)의 출력신호가 전류증폭부(7),(8)의 입력측에 인가되지 않게한 방전등 점등장치에 있어서, 상기 브리지다이오드(1)의 출력측과 인버터회로부(3)의 입력측 사이에 다이오드(D1-D3) 및 저항(R4), 다이리스터(SCR1,SCR2), 콘덴서(C5), 다이액(DA1)으로 구성된 직류전압중첩회로부(10)를 접속하고, 상기 과전류흐름검출회로부(9)의 비교기(COMP3)의 출력측을 단안정멀티바이브레이터(MV2) 및 콘덴서(C7), 저항(R7-R10), 트랜지스터(TR5)로 구성한 직류전압중첩구동제어부(11)의 입력측에 접속하여 그의 출력측을 상기 직류전압중첩회로부(10)의 다이리스터(SCR1)의 게이트에 접속하여, 저항(R11-R14) 및 더미스터(TH1), 비교기(COMP6)로 구성된 과열검출회로부(12)의 출력측을 상기 과전류흐름검출회로부(9)의 출력측에 공통접속하여 구성한 것으로, 이와같이 구성된 본 발명의 작용효과를 상세히 설명하면 다음과 같다.
주전원스위치(SW)를 단락하여 교류전원(AC)이 입력되면 저전압공급부(2)에서 일정한 저전압(Vcc',VEE)이 출력되어 각부에 구동전압으로 공급되고, 또 그 교류전원(AC)은 브리지다이오드(1)에서 정류되어 제3도의 (a)에 도시한 바와같은 맥류전압으로 출력되고, 이 맥류전압은 직류전압 중첩회로부(10)의 다이오드(D1)를 통하여 인버터회로부(3)의 입력측에 인가된다. 한편, 이때 삼각파발진부(4)에서 수십 KHz의 삼각파 발진신호가 출력되어 구형파 변화부(5),(6)의 비교기(COMP1),(COMP2)에서 기준전압(V+ ref),(V- ref)과 비교되므로 그 구형파변환부(5),(6)의 출력측에는 서로 다른 극성주기의 구형파가 출력되고, 즉, 구형파변환부(5)에서 고전위 신호가 출력될 때 구형파변환부(6)에서는 저전위 신호가 출력되고, 구형파변환부(5)에서 저전위 신호가 출력된 후 일정시간차를 두고 구형파변환부(6)에서 고전위 신호가 출력되고 구형파변환부(6)에서 저전위 신호가 출력된 후 일정시간차를 두고 구형파변환부(5)에서 고전위 신호가 출력되게 기준전압(V+ ref),(V- ref)이 설정되어 있다.
이와같이 구형파변환부(5),(6)에서 출력된 구형파 신호는 전류증폭기(7),(8)를 통하여 인버터회로부(3)의 스위칭트랜지스터(TR1),(TR2)의 베이스에 인가되므로 그 스위칭트랜지스터(TR1),(TR2)는 교대로 온된다. 따라서, 스위칭트랜지스터(TR1)가 온되고 스위칭트랜지스터(TR2)가 오프된 상태에서는 그 인버터회로부(3)의 입력측에 인가된 맥류전압이 스위칭트랜지스터(TR1) 및 시동개시용콘덴서(C3), 쵸크코일(L1), 콘덴서(C2), 과전류흐름검출용저항(R1)을 통하여 흐르게 되고, 또 스위칭트랜지스터(TR1)가 오프되고 스위칭트랜지스터(TR2)가 온된 상태에서는 맥류전압이 콘덴서(C1) 및 쵸크코일(L1), 시동개시용콘덴서(C3), 스위칭트랜지스터(TR2)를 통하여 흐르게 된다. 그런데 시동 초기시에는 시동개시용콘덴서(C3) 및 쵸크코일(L1)의 직렬공진에 의하여 방전램프(LP1)에 고압펄스가 공급되므로 그 방전램프(LP4)에서 방전이 개시된다.
이와같이 방전램프(LP1)에서 방전을 개시하는 초기 상태에서는 정상방전시보다 약 1.7배의 전류가 방전램프(LP1)를 통하여 흐르게 되는데, 이때 그 전류에 비례한 전압이 과전류흐름검출용저항(R1)에서 검출되어 과전류흐름검출회로(9)의 비교기(COMP3)의 비반전입력단자에 인가된다.
따라서, 비교기(COMP3)의 반전입력단자에 인가되는 기준전압(Vref1)을 정상방전시보다 약1.7배의 전류가 흐를 때 과전류흐름검출용저항(R1)에서 검출되는 전압과 동일하게 설정시켜 놓으면, 방전램프(LP1)에 정상방전시보다 1.7배 이상의 과전류가 흐르게 될 때 비교기(COMP3)의 출력단자에 고전위 신호가 출력되고, 이 고전위 신호는 단안 정멀티바이브레이트(MV1)의 세트단자(SE)에 인가되어 그를 세트시키므로 그의 출력단자(Q)에 고전위 신호가 출력되어 트랜지스터(TR3)를 오프시키게 된다. 따라서, 이때 콘덴서(C6)에 충전전류가 흐르지 않게 되어 그 충전전압은 제3도의 (c)에 도시한 바와같이 일정하게 유지되고, 한편, 이때 브리지다이오드(1)에서 출력되어 저항(R2)을 통한 맥류전압은 저항(R5),(R6)에 의하여 제3도의 (c)에 도시한 바와같이 일정레벨이 낮아진후 비교기(COMP5)의 반전입력단자에 인가되므로 맥류전압이 상승됨에 따라 그 비교기(COMP5)의 반전입력단자에 인가되는 전압이 그의 비반전입력단자에 인가되는 전압보다 높게될 때 (t1) 그의 출력단자에 저전위 신호가 출력되고, 이에 따라, 구형파변환부(5),(6)의 출력신호는 다이오드(D4),(D5)를 통하여 비교기(COMP5)의 출력단자층으로 흐르게 되므로 인버터회로부(3)의 스위칭트랜지스터(TR1),(TR2)는 오프상태를 유지하여 제2도의 (b)에 도시한 바와 같이 전류의 흐름이 없게된다. 이후 브리지다이오드(1)에서 출력되는 맥류전압이 영전위로 하강되는 상태에서 비교기(COMP5)의 반전입력단자에 인가되는 전압이 그의 비반전입력단자에 인가되는 전압보다 낮게되는 시점(t2)에서 그의 출력단자에 고전위 신호가 출력되어 다이오드(D4),(D5)가 오프상태로 되고, 이에따라 상기에서와 같이 구형파변환부(5),(6)의출력신호가 전류증폭부(7),(8)를 통하여 스위칭트랜지스터(TR1),(TR2)의 온·오프를 제어하게 되므로 그 스위칭트랜지스터(TR1),(TR2)의 전류파형은 제3도의 (b)에 도시한 바와같이 된다.
한편, 과전류흐름검출회로부(9)의 비교기(COMP4)의 비반전입력단자에 인가되는 기준전압(Vref2)은 영전위보다 조금 높게 설정되어 있으므로 상기 브리지다이오드(1)에서 출력되는 맥류전압이 영전위 근방으로 하강되는 시점에서 비교기(COMP4)의 출력단자에 고전위 신호가 출력되고 이 고전위 신호는 트랜지스터(TR4)를 온시키게 되므로 콘덴서(C6)의 충전전압은 그 트랜지스터(TR4)를 통하여 순간적으로 방전되며, 또 그 고전위 신호는 단안정멀티바이브레이터(MV1)를 리세트시키므로 그의 출력단자(Q)에 저전위 신호가 출력되어 트랜지스터(TR3)를 온시키게 된다. 이에따라 콘덴서(C6)의 충전전압은 영전위에서 부터 서서히 상승되어 상기 동작을 반복하게 된다.
한편, 상기 과전류흐름검출회로부(9)의 비교기(COMP3)에서 고전위 신호가 출력될때 직류전압중첩구동제어부(11)의 단안정멀티바이브레이터(MV2)가 세트되어 그의 출력단자(Q)에 고전위 신호가 출력되므로 트랜지스터(TR5)는 온상태를 유지하여 그의 콜렉터에 저전위 신호가 계속 출력되고, 이에따라 직류전압중첩구동제어부(10)의 다이리스터(SCR1)가 오프상태를 유지하므로 그 직류전압중첩회로부(10)는 구동되지 않게 된다.
그러나, 단안정멀티바이브레이터(MV2)의 시정시간이 지나 그의 출력단자(Q)에 저전위 신호가 출력될 때 직류전원(Vcc)이 저항(R7)을 통하여 콘덴서(C7)에 충전되면서 트랜지스터(TR5)는 순간적으로 온프되고 이에따라 그 트랜지스터(TR5)의 콜렉터에 고전위 펄스신호가 출력되며, 이 펄스신호는 직류전압중첩회로부(10)의 다이리스터(SCR1)의 게이트에 인가되므로 그 다이리스터(SCR1)는 온되고, 이때 직류전원(Vcc)이 다이오드(D3) 및 저항(R4)을 통하여 그 다이리스터(SCR1)의 에노드에 인가되고 있으므로 그 다이리스터(SCR1)는 온상태를 계속 유지하게 된다. 따라서, 브리지다이오드(1)에서 출력된 맥류전압은 다이오드(D2)를 통하여 콘덴서(C5)에 충전되고, 이 콘덴서(C5)의 충전전압이 다이오드( D1)를 통하는 맥류전압보다 높게될때 다이리스터(SCR1)를 통하여 그 맥류전압에 중첩된다.
따라서, 이때 인버터회로부(3)의 입력측에 인가되는 전압파형은 제3도의 (d)에 도시한 바와같이 되고, 스위칭트랜지스터(TR1),(TR2)를 통하는 전류파형은 제3도의 (e)에 도시한 바와같이 된다.
결국, 직류전압중첩구동제어부(11)의 단안정멀티바이브레이터(MV2)의 시정수를 방전램프(LP1)가 정상방전을 수행하는데 소요되는 시간보다 충분히 길게 설정시켜 놓으면 방전램프(LP1)가 정상방전된 이후에 직류전압중첩회로부(10)가 구동되어 제3도의 (d)에 도시한 바와같은 전압파형이 인버터회로부(3)이 입력측에 공급되고, 또한, 이때 스위칭트랜지스터(TR1),(TR2)의 전류파형은 제3도의 (e)에 도시한 바와같이 된다.
한편, 방전램프(LP1)의 주위온도가 정상상태에서는 과열검출회로부(12)의 비교기(COMP6)에서 고전위 신호가 출력되어 구형파변환부(5),(6)의 출력신호에 영향을 미치지 않게 되나, 방전램프(LR)의 주위온도가 일정온도이상으로 과열 되었을 경우에는 더미스터(TH1)에서 검출되어 비교기(COMP6)의 비반전입력단자에 인가되는 전압이 그의 반전입력단자에 입가되는 기준전압(Vref3)보다 낮게 되어 그의 출력단자에 저전위 신호가 출력되고, 이에따라 구형파변화부(5),(6)의 출력신호가 다이오드(D4),(D5)를 통하여 비교기(COMP6)의 출력단자로 흐르게 되어 인버터회로부(3)의 스위칭트랜지스터(TR1),(TR2)가 오프상태를 유지하게 되고, 이에따라 방전램프(LP1)가 점등되지 않아 과열을 방지하게 된다.
그리고, 제4도는 제2도의 하프브리지형 인버터회로부(3)를 풀브리지인버터회로부(3')로 구성한 일예를 보인 것으로, 구형파변환부(5)에서 고전위 신호가 출력되고 구형파변환부(6)에 저전위 신호가 출력된 상태에서는 스위칭트랜지스터(TR1),(TR1')는 온되고 스위칭트랜지스터(TR2),(TR2')는 오프되며, 반대로 구형파변환부(5)에서 저전위신호가 출력되고 구형파변환부(6)에서 고전위 신호가 출력된 상태에서는 스위칭트랜지스터(TR1),(TR1')는 오프되고 스위칭트랜지스터(TR2),(TR2')는 온된다. 이 풀브리지방식의 회로는 방전램프(LP1)가 킬로와트이상의 고전력용일때 적합하다.
이상에서 상세히 설명한 바와같이 본 발명은 방전램프의 방전초기시에 과전류 흐름을 확실히 방지할 수 있게되고, 특히 방전램프가 정상 방전상태로 된 이후에 맥류전압에 직류전압을 중첩시켜 방전램프의 구동전압으로 공급하므로 맥류전압의 영전위 근방에서도 방전을 계속하게 되어 방전램프의 점동효율이 향상되는 이점이 있게된다.

Claims (2)

  1. 브리지다이오드(1)의 출력전압이 인버터회로부(3)에 구동전압으로 인가되고, 삼각파발진부(4)의 발진신호는 구형파변환부(5),(6) 및 전류증폭부(7),(8)를 통하여 상기 인버터회로부(3)의 스위칭트랜지스터(TR1),(TR2)에 온·오프제어신호로 인가되며, 상기 인버터회로부(3)에 과전류가 흐를 때 그를 과전류흐름검출회로부(9)로 검출하여 상기 구형파변환부(5),(6)의 출력신호가 전류증폭부(7),(8)에 입력되지 않게 한 방전등 점등장치에 있어서, 상기 브리지다이오드(1)의 출력측과 인버터회로부(3)의 입력측사이에 다이오드(D1-D3) 및 다이티스터(SCR1,SCR|2), 저항(R4), 콘덴서(C5), 다이액(DA1)으로 구성된 직류전압중첩회로부(10)를 접속하고, 상기 과전류흐름검출회로부(9)의 비교기(COMP3)의 출력측을 단안정멀티바이브레이터(MV2) 및 콘덴서(C7), 저항(R7-R10), 트랜지스터(TR5)로 구성된 직류전압중첩구동제어부(11)의 입력측에 접속하며, 이 직류전압중첩구동제어부(11)의 출력측을 상기 직류전압중첩회로부(10)의 다이리스터(SCR1)의 게이트에 접속하여 구성함을 특징으로 하는 방전등 점등장치.
  2. 제1항에 있어서, 더미스터(TH1) 및 저항(R11-R14), 비교기(COMP6)로 구성된 과열검출회로부(12)의 출력측을 상기 과전류흐름검출회로부(9)의 출력측에 공통접속하여 구성함을 특징으로 하는 방전등 점등장치.
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