KR890015301A - 반도성 BaTiO₃의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명에 따른 개략제조 공정도. 제 3 도는 우리프리트를 첨가하여 제조된 반도성 BaTiO3의 미세구조 모식도, 1 : 반도체화된 BaTiO3의 결정립, 2 : 유리프리트에 의해 형성된 결정립계면.
Claims (3)
- PCT 서머스터 및 히터에 사용되는 반도성 BaTiO3를 제조하는 방법에 있어서, PCT 효과를 증대시키는 첨가제 및 내전압 특성을 증대시키는 첨가제 Al2O3, SiO2, CaO, MgO, MnO2를 혼합 분쇄하고 건조 용융시킨후 급냉하여 분말로 만들어 유리프리트로 만드는 제 1 공정과, PbO, BaCO3, TiO2, Sb2O3를 혼합, 건조하고 1120C-1200C에서 2시간 열처리한후 이를 분쇄, 건조시켜 BaTiO3를 반도체 시키는 제 2 공정과, 제 1 공정에서 얻어진 유리프리트 및 제 2 공정에서 얻어진 반도체화된 BaTiO3를 혼합하고 재분쇄하며 건조, 성형 시킨후 이를 노결하는 제 3 공정으로 제조하는 것을 특징으로 하는 전도성 BaTiO3의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 제 1 공정의 유리프리트의 조성이 Al2O3, SiO2, CaO, MgO, MnO2를 각각 0.1-0.2, 0.5-0.7, 0.-0.2, 0.1-0.2, 0.1-0.02의 몰%로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도성 BaTiO3의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 반도체화된 BaTiO3를 유리프리트를 첨가함에 있어서 유리프리트는 0.5-5wt%의 범위인 것을 특징으로 하는 반도성 BaTiO3의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019880003350A KR940009872B1 (ko) | 1988-03-26 | 1988-03-26 | 반도성 BaTiO₃의 제조방법 |
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Publication Number | Publication Date |
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KR890015301A true KR890015301A (ko) | 1989-10-28 |
KR940009872B1 KR940009872B1 (ko) | 1994-10-18 |
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KR1019880003350A KR940009872B1 (ko) | 1988-03-26 | 1988-03-26 | 반도성 BaTiO₃의 제조방법 |
Country Status (1)
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KR (1) | KR940009872B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20170134186A (ko) * | 2016-05-26 | 2017-12-06 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 적층 세라믹 콘덴서 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE102007026924A1 (de) * | 2007-06-12 | 2008-12-18 | Epcos Ag | Werkstoff mit positivem Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstands und Verfahren zu seiner Herstellung |
CN106278249A (zh) * | 2016-08-10 | 2017-01-04 | 安徽省宁国天成电工有限公司 | 一种热敏电阻器介质材料及其制备方法 |
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1988
- 1988-03-26 KR KR1019880003350A patent/KR940009872B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20170134186A (ko) * | 2016-05-26 | 2017-12-06 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 적층 세라믹 콘덴서 |
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Publication number | Publication date |
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KR940009872B1 (ko) | 1994-10-18 |
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