KR890013513A - 광변조 소자 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

광변조 소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명 제1실시예의 단면도.
제6도는 본 발명 제2실시예의 단면도.

Claims (14)

  1. 기판상에 광도파로층 굴절율이 광도파로층 보다 작은 p형 및 n형 클래드층과 전극을 가지고, 전극으로부터 광도파로층에 인가되는 전계에 의해 광도파로층의 입사단면에 입사하는 일정강도의 입사광에 대한 흡수계수를 변화시킴으로써 변조된 변조광은 광도파로층의 출사단면으로부터 나오는 광변조 소자에 있어서 입사광의 광도파로층에 대한 입사강도가 0.1mW이상이면 광도파로층의 밴드갭 에저지는 입사광의 광자에너지보다 50meV이상 크고, 밴드갭 에너지와 입사광 에너지와의 에너지차와 광도파로층의 광입사단면으로부터 광출사단면까지의 길이에 의해 결정되는 고아변조 소자의 길이와의 비는 10mV/mm 보다 크지만 250meV/mm 보다 작은 것을 특징으로하는 광변조 소자.
  2. 기판상에 광도파로층, 굴절율이 광도파로층보다 작은 p형 n형 클래드층과 전극을 가지고, 광도파로층의 광입사단면에 입사되는 일정강도의 광은 전극을 가로질러 광도파로층에 인가되는 전계에 의해 그 입사광에 대한 흡수계수를 변화시킴으로써 변조되고 그 변조된 광이 광도파로층의 출사단면으로부터 나오는 광변조 소자에 있어서, 상기 광변조 소자는 광도파로층에 대한 입사광 강도가 0.1mW 이상이면 광도파로층의 밴드갭 에저지는 입사광의 광자에너지보다 50meV 이상 크고, 광도파로층의 광입사단면으로부터 광출사단면으로의 길이에 의해 결정되는 광변조 소자와 밴드갭 에너지 및 광자에너지 사이의 에너지차의 비는 10meV/mm 보다 크나 250meV/mm 보다 작으며, 광도파로층과 같은 전도형의 반도체층이 광도파로층과 p형 클래드층 사이에 삽입되며, 반도체의 밴드갭 에너지가 광도파로층의 밴드갭 에너지보다는 크나 각 클래드층의 밴드갭 에너지보다 작거나 동등한 것을 특징으로하는 광변조 소자.
  3. 기판상에 광도파로층, 굴절율이 광도파로층 보다 작은 p형 및 n형 클래드층과 전극을 가지고, 광도파로층의 광입사단면에 입사되는 일정강도의 광은 전극을 가로질러 광도파로층에 인가되는 전계에 의해 그 입사광에 대한 흡수계수를 변화시킴으로써 변조되고 그 변조된 광이 광도파로층의 출사단면으로부터 나오는 광변조 소자에 있어서, 상기 광변조 소자의 광도파로층의 두께방향의 밴드갭 에너지는 광도파로층의 흡수계수가 그 두께방향에서 대략 일정하도록 연속 또는 불연속적으로 변화되는 것을 특징으로하는 광변조 소자.
  4. 제3항에 있어서 광도파로층은 다른 에너지 갭을 가지는 다수의 층에 의해 형성되는 것을 특징으로하는 광변조 소자.
  5. 제3항에 있어서 광도파로층은 다수의 다중앙자정층에 의해 형성되며, 상기 각 다중앙자정층의 두께는 불연속적으로 변화하는 것을 특징으로하는 광변조 소자.
  6. 제3항에 있어서 광도파로층 두께 방향의 조성은 그 밴드갭 에너지가 연속적으로 변화하도록 변화되는 것을 특징으로하는 광변조 소자.
  7. 제3항에 있어서 광도파로층은 다른 두께를 가지는 정층으로 구성되는 다중앙자정층에 의해 형성되는 것을 특징으로하는 광변조 소자.
  8. 기판상에 제1전도형의 저분순물 농도 광도파로층, 광도파로층 보다 굴절율이 작고 각각 제1, 제2전도형을 가지는 클래드층들과 전극을 가지며, 광도파로층의 광입사단면에 입사되는 일정강도의 광은 전극을 가로질러 광도파로층에 인가되는 전계에 의해 입사광에 대한 흡수계수를 변화시킴으로써 변조되고, 그 변조된 광이 광도파로층의 광출사단면으로부터 나오는 광변조 소자에 있어서, 상기 광변조 소자의 광도파로층은 입사광에 대한 도파로층의 흡수계수가 광입사단면으로부터 광출사단면으로 연속 또는 불연속적으로 증가하여 광입사단면과 광출사단면 사이의 어는 장소에서도 대략 같은수의 캐리어가 흡수되도록 형성되는 것을 특징으로하는 광변조 소자.
  9. 기판상에 제1전도형의 저분순물 농도 광도파로층, 각각 제1, 제2전도형을 가지며 광도파로층보다 굴절율이 작은 클래드층들과 전극을 가지며, 광도파로층의 광입사단면에 입사되는 일정강도의 광은 전극을 가로질러 광도파로층에 인가되는 전계에 의해 입사광에 대한 흡수계수를 변화시켜 변조되고, 그 변조된 광이 광도파로층의 광출사단면으로부터 나오는 광변조 소자에 있어서, 상기 광변조 소자의 광도파로층은 입사광에 대한 도파로층의 흡수계수가 광입사단면으로부터 광출사단면으로 연속 또는 불연속적으로 증가하여 광입사단면과 광출사단면 사이의 어는 장소에서도 대략 같은수의 캐리어가 흡수되도록 형성되고 또 광도파로층의 밴드갭 에너지가 그 두께방향으로 연속 또는 불연속적으로 변화하여 그 두께방향의 흡수계수를 대체로 일정하게 하도록 형성되는 것을 특징으로하는 광변조 소자.
  10. 기판상에 제1전도형의 저분순물 농도 광도파로층, 각각 제1, 제2전도형을 가지며 광도파로층보다 굴절율이 작은 클래드층들과 전극을 가지며, 광도파로층의 광입사단면에 입사되는 일정강도의 광은 전극을 가로질러 광도파로층에 인가되는 전계에 의해 입사광에 대한 흡수계수를 변화시킴으로써 변조되고 그 변조된 광이 광도파로층의 광출사단면으로부터 나오는 광변조 소자에 있어서, 상기 광변조 소자의 광도파로층은 입사광에 대한 도파로층의 흡수계수가 광입사단면으로부터 광출사단면으로 연속 또는 불연속적으로 증가하여 광입사단면과 광출사단면 사이의 어는 장소에서도 대략 같은수의 캐리어가 흡수되도록 형성되고 또 광도파로층의 밴드갭 에너지가 그 두께방향으로 연속 또는 불연속적으로 변화하여 그 두께방향의 흡수계수를 대체로 일정하게 하도록 형성되는 것을 특징으로하여, 광도파로층의 밴드갭 에너지 갭이 입사광의 광자에너지보다 평균 50meV 이상인 것을 특징으로하는 광변조 소자.
  11. 제8,9항 또는 제10항에 있어서, 광도파로층의 밴드갭 에너지가 광입사단면으로부터 광출사단면으로 연속 또는 불연속적으로 줄어들어 광입사단면과 광출사단면 사이의 어느 장소에서도 대략 같은 수의 캐리어가 흡수되도록 한 것을 특징으로하는 광변조 소자.
  12. 제8,9항 또는 제10항에 있어서, 광도파로층의 두께가 광입사단면으로부터 광출사단면으로 연속 또는 불연속적으로 줄어들어 광입사단면과 광출사단면 사이의 어느 장소에서도 대략 같은 수의 캐리어가 흡수되도록 한 것을 특징으로하는 광변조 소자.
  13. 제8,9항 또는 제10항에 있어서, 광도파로층의 스트라이프 폭이 광입사단면으로부터 광출사단면으로 연속 또는 불연속적으로 증가되어 광입사단면과 광출사단면 사이의 어느 장소에서도 대략 같은 수의 캐리어가 흡수되도록 한 것을 특징으로하는 광변조 소자.
  14. 제8,9항 또는 제10항에 있어서, 클래드층들의 하나가 저불순물 농도로 형성되고 저불순물 농도 클래드층의 두께가 광입사단면으로부터 광출사단면으로 연속 또는 불연속적으로 줄어들어 광입사단면과 광출사단면 사이의 어느 장소에서도 대략 같은 수의 캐리어가 흡수되는 것을 특징으로하는 광변조 소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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