KR890002984A - 집적 회로 및 그외의 다른 전자 장치를 제조하기 위한 장치 및 방법 - Google Patents

집적 회로 및 그외의 다른 전자 장치를 제조하기 위한 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

집적 회로 및 그외의 다른 전자 장치를 제조하기 위한 장치 및 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 반도체 집적 회로 웨이퍼의 진공 프로세싱 및 이송에 적합한 로드 록크의 샘플 실시예를 도시한 도면. 제 2 도는 여러가지 크기의 미립자들이 여러 압력에서 공기를 통해 떨어지는데 걸리는 시간을 도시한 그래프. 제 3 도는 웨이퍼가 이송암(28)에 의해 3개의 핀상에 배치되어 인접한 진공 로드 록크 챔버(12)로부터 인터-챔버 이송 포트(30)을 통해 도달하는 프로세스 스테이션내의 샘플 웨이퍼 이송 구조물을 도시한 도면.

Claims (22)

  1. 작업편과 분리되어 있고 유체 교통관계로 되어 있는 화학종을 발생시키는 플라즈마 발생기, 작업편에 결합되어 있는 플라즈마를 발생시키는 원위치 플라즈마 발생기, 작업편에 결합된 가열기, 및 작업편에 결합된 자외광 소오스를 구성되는 것을 특징으로 하는 작업편을 수용할 수 있는 진공 프로세스 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서, 작업편이 하향 내면한 프로세스 면을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 모듈.
  3. 제 1 항에 있어서, 원격 발생기, 가열기 및 소오스가 단독으로 동작하도록 개별 제어되는 것을 특징으로 하는 모듈.
  4. 제 1 항에 있어서, 원격 발생기, 원위치 발생기, 가열기 및 소오스가 소정의 결합 상태로 동작하도록 개별 제어되는 것을 특징으로 하는 모듈.
  5. 제 1 항에 있어서, 가열기가 프로세싱중에 작업편상에 배치되는 것을 특징으로 하는 모듈.
  6. 제 1 항에 있어서, 가열기가 복사 가열기인 것을 특징으로 하는 모듈.
  7. 제 1 항에 있어서, 가열기가 전도 가열기인 것을 특징으로 하는 모듈.
  8. 제 1 항에 있어서, 자외선 소오스가 프로세싱 중에 작업편 하부에 배치되는 것을 특징으로 하는 모듈.
  9. 제 1 항에 있어서, 원위치 플라즈마가 작업편 하부에서 발생되고, 원위치 플라즈마 발생기가 작업편 상.하부에 전극들을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 모듈.
  10. 제 1 항에 있어서, 원격 플라즈마 발생기로부터의 플라즈마가 작업편 하부로부터 표면에 유입되는 것을 특징으로 하는 모듈.
  11. 제 1 항에 있어서, 작업편이 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 모듈.
  12. 동일한 프로세스 챔버내에 결합된 다수의 독립 에너지 소오스, 제 1 입력을 갖고 있는 각 에너지 소오스용 최소한 1개의 전원, 및 제 1 입력에 전기적으로 결합되는 순차 제어를 제공하는 제어 시스템으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 프로세싱 모듈에 사용하기 위한 제어 시스템.
  13. 제12항에 있어서, 제어 시스템이 컴퓨인 것을 특징으로 하는 장치.
  14. 제12항에 있어서, 제어 시스템이 컴퓨터에 결합되는 최소한 1개의 입력을 각각 갖고 있는 다수의 제어기인 것을 특징으로 하는 장치.
  15. 제12항에 있어서, 제어 시스템이 최소한 1개의 제어기인 것을 특징으로 하는 장치.
  16. 자유 래디칼을 작업편에 유입시키는 수단, 에너지 소오스를 프로세스 챔버에 결합시키는 수단, 및 프로세스 챔버내의 자유 래디칼, 및 그외의 다른 입자 오염물과 에너지를 개별 제어하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버내의 작업편 프로세싱 방법.
  17. 제16항에 있어서, 자유 래디칼 유입 동작과 에너지 소오스 결합 동작이 동시에 일어나는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제16항에 있어서, 작업편이 밑을 향한 프로세스면을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제 1 선택된 에너지 레벨을 제 1 에너지 소오스에 제공하는 수단, 제 2 선택된 에너지 레벨을 제 2 에너지 소오스에 제공하는 수단, 및 제 1 선택된 에너지 레벨을 변경시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 동일한 반도체 프로세싱 챔버내에 결합된 다수의 독립 에너지 소오스를 제어하기 위한 방법.
  20. 제19항에 있어서, 제 2 선택된 에너지 레벨을 변병시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 제20항에 있어서, 제 1 선택된 에너지 레벨이 제 2 선택된 에너지 레벨전에 변경되는 것을 특징으로 하는 방법.
  22. 제20항에 있어서, 제 1 선택된 에너지와 제 2 선택된 에너지가 동시에 변경되는 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5221425A (en) * 1991-08-21 1993-06-22 International Business Machines Corporation Method for reducing foreign matter on a wafer etched in a reactive ion etching process
JP2589916Y2 (ja) * 1992-07-24 1999-02-03 日新電機株式会社 マルチプレ−ト型流体導入箱
US6156382A (en) * 1997-05-16 2000-12-05 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition process for depositing tungsten
JP4731694B2 (ja) * 2000-07-21 2011-07-27 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法および基板処理装置
US7501352B2 (en) 2005-03-30 2009-03-10 Tokyo Electron, Ltd. Method and system for forming an oxynitride layer
US7517814B2 (en) 2005-03-30 2009-04-14 Tokyo Electron, Ltd. Method and system for forming an oxynitride layer by performing oxidation and nitridation concurrently
KR100737599B1 (ko) 2005-11-04 2007-07-10 현대자동차주식회사 펌핑레버와 일체로 형성된 리클라이너 레버
US7755064B2 (en) * 2007-03-07 2010-07-13 Tdk Corporation Resist pattern processing equipment and resist pattern processing method
JP6725176B2 (ja) * 2016-10-31 2020-07-15 株式会社日立ハイテク プラズマエッチング方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3916822A (en) * 1974-04-26 1975-11-04 Bell Telephone Labor Inc Chemical vapor deposition reactor
JPS61231716A (ja) * 1985-04-08 1986-10-16 Hitachi Ltd 成膜装置

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