KR880012672A - 디히드로피리딘 환 또는 디히드로트리아진 환을 갖는 중합체 그의 제조방법 및 그의 용도 - Google Patents

디히드로피리딘 환 또는 디히드로트리아진 환을 갖는 중합체 그의 제조방법 및 그의 용도 Download PDF

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히메끼 아사노
도시가즈 나라하라
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마다 가쓰시게
가부시기 가이샤 히다찌 세이사꾸쇼
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Abstract

내용 없음

Description

디히드로피리딘 환 또는 디히드로트리아진 환을 갖는 중합체 그의 제조방법 및 그의 용도
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예에서 제조한 반도체 장치의 단면도. 제2도 및 제3도는 본 발명에 따른 반도체 장치의 소자부분의 단면도.

Claims (25)

  1. 주로 다음 일반식으로 표시되는 디하드로피리딘 환
    (여기서, R1은 -CH2- 또는; R2는 -H, -CH3-
    또는이고, R3및 R4는 각기 -CH2- 또는이다)
    (여기에서 R11은 서로 같거나 다른 페닐렌과 같은 방향족 잔기이다)으로 구성된 중합체.
  2. 다음 일반식(I)로 표시되고, 분자의 각 말단에 에틸일기와 분자내에 적어도 두개의 쉬프 결합을 함유하는 화합물의 120 내지 180℃의 온도에서 가열 및 반응에 의해 생성시킨, 주로 디히드로피리딘 환으로 구성된 크로스라더 상 분자 골격을 갖는 중합체.
    HC C-Y1-CH=N-X-N=CH-Y2-C CH (Ⅰ)
    여기에서, X는 -(CH2)m-,치환된 페닐렌,
    또는이고 m은 1 내지 12의 정수이고, P는또는이고, R1및 R2는 같거나 다르며, 각기 -H, -CH3, -C2CH5, -CF3 또는이고, Y1및 Y2는 같거나 다른 2가 유기 잔기이다.
  3. 다음일반식(Ⅱ)로 표시되고, 분자의 각 말단에 에틴일 그룹과 분자내에 적어도 두개의 쉬프 결합을 함유하는, 화합물을 120 내지 180℃의 온도에서 가열 및 반응에 의해 생성시킨, 주로 디히드로피리딘 환으로 구성된 크로스라더 상 분자 골격을 갖는 중합체.
    HC=C-Y1-CH=N-X-N=CH-Y2-C=CH (Ⅰ)Ⅱ)
    상기식에서, X는 -(CH2)m-,치환된 페닐렌,
    또는이고, m은 1내지 12의 정수이고, P는또는이고, R1및 R2는 같거나 다르며, 각기 -H, -CH3, -C2CH5, -CF3 또는이고, Y1및 Y2는 같거나 다른 2가 유기 잔기이다.
  4. 다음일반식(Ⅲ) 및/또는 (Ⅳ)으로 표시되고, 분자의 한쪽 말단에 에틴일 그룹을 함유하는, 쉬프화합물을 120 내지 180℃의 온도에서 가열 및 반응에 의해 생성시킨, 주로 디히드로피리딘 환으로 구성된 크로스라더 상 분자 골격을 갖는 중합체.
    X-CH=N-Y3-C CH (Ⅲ)
    X-N=CH-Y3-C CH (Ⅳ)
    여기에서, X는 -H, C1C18알킬,또는이고 ; R1은 -H, -F, -Cl, -Br, -CH3, CF3, -OH, -NH2 또는이고 ;Y3는 또는m은 1 내지 12의 정수이고, P는 -(CH2)m-,-O-, -CO-, -S-, -SO2-또는이고 R1및 R2는 같거나 다르며, 각기 -H, -CH3, -C2H5, -CF3 또는이다.
  5. 다음 일반식(Ⅴ)로 표시되는 분자의 각 말단에 시아네이토 그룹과 분자내에 복수의 쉬프 결합을 함유하는 쉬프계 화합물의 중합체.
    N=C-O-Y1-N=HC-X1-CH=N-Y2-O-=N (Ⅴ)
    여기에서, X1는 -(CH2)m-, 치환된 페닐렌, ,또는이고 m은 1 내지 12의 정수이고, P는또는 -SO2-이고, R1및 R2는 같거나 다르며, 각기 -H, -CH3, -C2CH5, -CF3 또는이고, Y1및 Y2는 같거나 다른 2가 유기잔기이다.
  6. 제5항에 있어서, 쉬프 화합물을 120 내지 180℃의 온도에서 가열하여 중합하여 제조하는 중합체.
  7. 제5항에 있어서, 디히드로트리아진 환을 포함하는 중합체.
  8. 다음일반식(Ⅵ)으로 표시되고, 분자의 각 말단에 시아네이토 그룹과 분자내에 복수의 쉬프 결합을 갖는 쉬프 화합물계의 중합체.
    N=C-O-Y1-CH=N-X-N=CH-Y2-O-C N (Ⅵ)
    여기에서, X는 -(CH2)m-
    또는이고 m은 1 내지 12의 정수이고, P는-O-, -CO-, -S- 또는 -SO2-이고, R1및 R2는 같거나 다르며, 각기 -H, -CH3, -C2CH5, -CF3 또는이고, Y1및 Y2는 같거나 다른 2가 유기 잔기이다.
  9. 제8항에 있어서, 쉬프 화합물을 120 내지 180℃의 온도에서 가열하여 중합하여 제조하는 중합체.
  10. 제8항에 있어서, 디히드로트리아진 환을 포함하는 중합체.
  11. 다음일반식(Ⅶ) 및/또는 (Ⅷ)로 표시되고 분자의 한쪽 말단에 시아네이토 그룹을 갖는, 쉬프계화합물의 중합체.
    X-CH=N-Y-O-C N (Ⅶ)
    X-N=CH-Y-O-C N (Ⅷ)
    여기에서, X는 -H, C1C8알킬,또는이고, R1은 -H, -F, ecl, -Br, -CH3, -CF3, -OH, -NH2,또는이고 Y는 -(CH2)m-, 또는이고 m은 1 내지 12의 정수이고, P는 -(CH2)m-, -O-, -CO-, -S-, -SO2-,또는이고, R1및 R2는 같거나 다르고, 각기 -H, -CH3, -C2H5, -CF3, |또는이다.
  12. 제11항에 있어서, 디히드로트리아진 환을 포함하는 중합체.
  13. 다음일반식(I)로 표시되며 분자의 각 양단에 에틸일기와 분자내에 적어도 2개 이상의 쉬프결합을 함유하는 화합물을, 두개의 에틴일 그룹이 하나의 쉬프 결합에 첨가하여 화합물이 중합할 수 있도록 120 내지 180℃의 온도에서 가열반응시키는 것으로 이루어진 디히드로피리딘 환을 갖는 중합체의 제조방법.
    HC=C-Y1-N=HC-X1-CH=N-Y2-C=CH (Ⅰ)
    여기에서, X1는 -(CH2)m-,치환된 페닐렌, 또는이고 m은 1 내지 12의 정수이고, P는-C-, -CO-, -S-,-SO2- 또는이고 R1및 R2는 같거나 다르고 각기 -H, -CH3, -C2CH3, -CF3 또는이고, Y1및 Y2는 같거나 다른 2가 유기 잔기이다.
  14. 다음일반식(Ⅱ)으로 표시되며, 분자의 각 양단에 에틴일기 갖고 분자내에 적어도 2개의 쉬프결합을 함유하는 화합물을, 두개의 에틸일 그룹이 하나의 쉬프결합에 첨가하여 화합물이 중합할 수 있도록 120 내지 180℃에서 가열 반응시키는 것으로 이루어진 디히드로피리딘 환을 갖는 중합체의 제조방법.
    HC=C-Y1-CH=N-X-N=CH-Y2-C CH (Ⅱ)
    여기에서, X는 -(CH2)m-,
    _ 또는이고, m은 1내지 12의 정수이고, P는-O-, -CO-, -S-, -SO2- 또는이고, R1및 R2는 같거나 다르며, 각기 -H, -CH3, -C2CH5, -CF3 또는이고, Y1및 Y2는 같거나 다른 2가 유기 잔기이다.
  15. 다음일반식(Ⅲ) 및/또는 (Ⅳ)으로 표시되며, 분자의 한쪽말단에 에틴일기를 갖는, 쉬프계 화합물을, 두개의 에틴일 그룹이 하나의 쉬프결합에 첨가하여 화합물이 중합할 수 있도록 120 내지 180℃의 온도에서 가열 반응시키는 것으로 이루어진 디히드로피리딘 환을 갖는 중합체의 제조방법.
    X-CH=N-Y3-C=CH (Ⅲ)
    X-N=CH-Y2-C CH (Ⅳ)
    여기에서, X는 -H, C1C18알킬,또는이고, R1은 -H, -F, -Cl, -Br, -CH3, -CF3, -OH, -NH2,또는이고 Y3는 -(CH2)m-, 또는이고, m은 1 내지 12의 정수이고, P는 -(CH2)m-, -O-, -CO-, -S-, -SO2-,또는이고 R1및 R2는 같거나 다르며, 각기 -H, -CH3, -C2H5, -CF3 또는이다.
  16. 다음 일반식(Ⅴ)로 표시되며, 분자의 양단에 각각 시아네이토기와 분자내에 복수의 쉬프 결합을 함유하는 쉬프계 화합물.
    N C-O-Y1-CH=N-X1-N=CH-Y2-O-C=N (Ⅴ)
    여기에서, X는 -(CH2)m-,
    또는이고 m은 1 내지 12의 정수이고, P는-O-, -CO-, -S-,또는 -SO1- 이고 R1및 R2는 같거나 다르며, 각기 -H, -CH3, -C2H5, CF3 또는이고, Y1및 Y2는 같거나 다른 2가 유기 잔기이다.
  17. 다음일반식(Ⅵ)으로 표시되고, 분자의 양단에 시아네이토기와 분자내에 복수의 쉬프 결합을 함유하는 쉬프 화합물.
    N C-O-Y1-CH=N-X-N=CH-Y2-O-C N (Ⅵ)
    여기에서, X는 -(CH2)m- 또는이고 m은 1 내지 12의 정수이고, P는-O-, -CO-, -S-, 또는 -SO2-이고, R1및 R2는 같거나 다르며, 각기 -H, -CH3, -C2CH5, -CF3 또는이고, Y1및 Y2는 같거나 다른 2가 유기 잔기이다.
  18. 다음일반식(Ⅶ) 및/또는 (Ⅷ)로 표시되고, 분자의 한쪽 말단에 시아네이토 기을 갖는 쉬프계 화합물.
    X-CH=N-Y-O-C N (Ⅶ)
    X-N-CH-Y-O-C N (Ⅷ)
    여기에서, X는 -H, C1-C8알킬,또는이고 R1은 -H, -F, -Cl, -Br,-CH3, -CF3, -OH, -NH2,또는이고, Y는 -(CH2)m-,또는이고, m은 1 내지 12의 정수이고, P는 -(CH2)m-, -O-,-CO-, -S-, -SO2-,또는이고 R1및 R2는 같거나 다르며, 각기 -H, -CH3, -C2H5, -CF3 또는이다.
  19. 동박, 프리프레그, 그리고 동박을 상호 중첩시키고 전체 적층물을 가열, 가압하여 형성시킨 동장(copper-clad)적층판에 있어서, 프리프레그가 (i)다음일반식으로 표시되는 디히드로피리딘 환
    (여기에서, R1-CH2- 또는이고, R2는 H, -CH3 또는이고, R3및 R4는 각각 -CH2-, 또는이다) 또는 (ii)다음 일반식으로 표시되는 1,2-디히드로-1,3,5-트리아진 환
    (여기서, R11은 서로 같거나 다른 페닐렌과 같은 방향족 잔기이다)을 주된 반복단위로 하는 중합체를 함유하는 동장 적층판.
  20. 강대를 다공성 층으로 형성시키고 이어서 주로 수지로된 윤활성 피막을 형성하여 이루어진 윤활성 부재에 있어서, 수지가 i)다음 일반식으로 표시되는 디히드로피리딘 환.
    (여기에서, R1-CH2- 또는이고, R2는 -H, -CH3 또는이고, R3및 R4는 각각 -CH2-, 또는이다), 또는 ii)다음 일반식으로 표시되는 1,2-디히드로-1,3, 5-트리아진 환
    (여기서, R11은 서로 같거나 다른 페닐렌과 같은 방향족 잔기이다)을 주된 반복단위로 하는 중합체로 이루어진 윤활성부재.
  21. 투명도전막상에 유기막을 형성시켜된 액정 표시소자의 분자배향 제어막에 있어서, 유기막이 i)다음 일반식으로 표시되는 디히드로 피리딘 환.
    (여기에서, R1-CH2- 또는이고, R2는 -H, -CH3 이고, R3및 R4는 각각 -CH2-, 또는이다),
    또는 ii)다음 일반식으로 표시되는 1,2-디히드로-1,3, 5-트리아진 환
    (여기서, R11은 서로 같거나 다른 페닐렌과 같은 방향족 잔기이다)을 주된 반복단위로 하는 중합체로 이루어진 분자 배향제어막.
  22. 유기물질과 무기첨가제로 이루어진 분체도료에 있어서, 유기물질이 경화하면, 주로 i)다음 일반식으로 표시되는 디히드로피리딘 환.
    (여기에서, R1-CH2- 또는이고, R2는 -H, -CH3 또는이고, R3및 R4는 각각 -CH2-, 또는이다),
    또는 ii)다음 일반식으로 표시되는 1,2-디히드로-1,3, 5-트리아진 환
    (여기서, R11은 페닐렌과 같은 같거나 다른 방향족 잔기이다)으로 구성된 반복단위를 형성하는 성분을 함유하는 분체도료.
  23. i)다음 일반식으로 표시되는 디히드로피리딘 환.
    (여기에서, R1은-CH2- 또는이고, R2는 -H, -CH3 또는이고, R3및 R4는 각각 -CH2-, 또는이다),
    또는 ii)다음 일반식으로 표시되는 1,2-디히드로-1,3, 5-트리아진 환
    (여기서, R11은 서로 같거나 다른 페닐렌과 같은 방향족 잔기이다)을 주된 반복단위로 하는 미세하게 분쇄된 중합체로 이루어진 충전계.
  24. 적어도 반도체 부품의 표면을 경화수지로 피복하여서 제조된 수지 밀봉형 반도체 장치에 있어서, 경화수지가 i)다음 일반식으로 표시되는 디히드로피리딘 환.
    (여기에서, R1은-CH2- 또는이고, R2는 -H, -CH3 또는이고, R3및 R4는 각각 -CH2-, 또는이다),
    또는 ii)다음 일반식으로 표시되는 1,2-디히드로-1,3, 5-트리아진 환
    (여기에서, R11은 서로 같거나 다른 페닐렌과 같은 방향족 잔기이다)을 주된 반복단위로 하는 수지밀봉형 반도체 장치.
  25. 용매에 용해한 수지용액으로 된 접착제에 있어서, 수지가 경화되면 i)다음 일반식으로 표시되는 디히드로피리딘 환.
    (여기에서, R1은-CH2- 또는이고, R2는 -H, -CH3 또는이고, R3및 R4는 각각 -CH2-, 또는이다),
    또는 ii)다음 일반식으로 표시되는 1,2-디히드로-1,3, 5-트리아진 환
    (여기에서, R11은 서로 같거나 다른 페닐렌과 같은 방향족 잔기이다)을 주된 반복단위로 하는 중합체를 형성하는 성분으로 이루어진 접착제.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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