KR880011984A - 트랜지스터 차동회로의 전류제어회로 - Google Patents

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KR880011984A
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아끼히로 무라야마
시게루 나까야마
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아오이 죠이찌
가부시기가이샤 도시바
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    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/22—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only
    • G05F3/222—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only with compensation for device parameters, e.g. Early effect, gain, manufacturing process, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
    • G05F3/227—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only with compensation for device parameters, e.g. Early effect, gain, manufacturing process, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage producing a current or voltage as a predetermined function of the supply voltage
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    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
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Abstract

내용없음

Description

트린지스터 차동회로의 전류제어회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도는 본 발명의 일실시예를 도시하는 회로
제 2 도는 본 발명의 다른 실시예를 도시하는 회로도

Claims (4)

  1. 바람직하지 못한 변동을 수반하는 전원전압(Vcc)에 응답적인 제어전압(Vcont)을 공급하는 제어전압공급원, 소정의 기준전압(Vref)을 공급하는 기준전압공급원 및 상기 제어전압 공급원과 기준전압 공급원에 접속되고 상기 제어전압(Vcont)과 기준전압(Vref)과의 차에 따라 제어된 출력전류를 발생하는 트랜지스터 차동회로장치로 구성되는 트랜지스터 차동회로의 전류제어회로에 있어서, 상기 트랜지스터 차동회로장치가 상기 전원전압에 포함되는 바람직하지 못한 변동에 대한 보상을 하도록 서로 병렬접속된 1쌍의 트랜지스터 차동회로(22,26) 및 상기 제어전압(vcont)과 기준전압(Vref)을 각각 제어전류와 기준전류로 변환하여 사이 트랜지스터 차동회로(22,26)의 각각에 공급사는 전압전류 변환회로(Q7,R5,R6/Q6,R4)를 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 차동회로의 전류제어회로.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 트랜지스터 차동회로장치는 상기 제어전류와 기준전류를 상기 트랜지스터 차동회로(22,26)의 각각에 공급하기 위한 싱글 앤드 데드 푸쉬풀회로(Q51,Q48)를 구비하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 차동회로의 전류제어회로.
  3. 바람직하지 못한 변동을 수반하는 전원전압(Vcc)에 응답적인 제어전압(Vcont)을 공급하는 제어전압 공급원, 소정의 기준전압(Vref)을 공급하는 기준전압 공급원 및 상기 제어전압 공급원과 기준전압 공급원에 접속되고, 상기 제어전압(vcont)과 기준전압(vref)과의 차에 따라 제어된 출력전류를 발생하는 트래지스터 차동회로장치로 구성되는 트랜지스터 차동회로의 전류제어회로에 있어서, 상기 트랜지스터 차동회로장치가 1개의 트랜지스터 차동회로(30)와 상기 제어전압(Vcont)과 기준전압(vref)을 각각 제어전류와 기준전류로 변환하여 상기 트랜지스터 차동회로(30)에 차동적으로 공급하는 1쌍의 전압전류 변환회로를 가지는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 차동회로의 전류제어회로.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 전압전류를 변환회로의 각각은 전원전압(Vcc)에 병렬접속된 1쌍의 트랜지스터회로(Q26,Q27/Q3Z,Q31)와 그들의 트랜지스터회로(Q26,Q27/Q3Z,Q31)사이에 접속된 전류미러회로(Q28,Q29/Q32,Q33)를 구비하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 차동회로의 전류제어회로.
    ※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880003413A 1987-03-30 1988-03-29 트랜지스터 차동회로의 전류 제어회로 KR920000729B1 (ko)

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