KR880005286A - 알루미나의 탄소-질화에 의한 고순도 초미세 질화알루미늄의 연속 제조공정 - Google Patents

알루미나의 탄소-질화에 의한 고순도 초미세 질화알루미늄의 연속 제조공정 Download PDF

Info

Publication number
KR880005286A
KR880005286A KR870011588A KR870011588A KR880005286A KR 880005286 A KR880005286 A KR 880005286A KR 870011588 A KR870011588 A KR 870011588A KR 870011588 A KR870011588 A KR 870011588A KR 880005286 A KR880005286 A KR 880005286A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
aluminum nitride
reactor
agglomerates
heating
carbon
Prior art date
Application number
KR870011588A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960000942B1 (ko
Inventor
제이. 김 조나썬
벤카테스와란 비스와나썬
디. 카츠 조엘
하이취 멕머트리 카알
와이. 세인 어지트
Original Assignee
데이비드 엠. 로니악
스템코 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 데이비드 엠. 로니악, 스템코 코포레이션 filed Critical 데이비드 엠. 로니악
Publication of KR880005286A publication Critical patent/KR880005286A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR960000942B1 publication Critical patent/KR960000942B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/072—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with aluminium
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
    • B01J8/18—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with fluidised particles
    • B01J8/1836—Heating and cooling the reactor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/072—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with aluminium
    • C01B21/0726—Preparation by carboreductive nitridation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
    • B01J2208/00008—Controlling the process
    • B01J2208/00017—Controlling the temperature
    • B01J2208/00026—Controlling or regulating the heat exchange system
    • B01J2208/00035—Controlling or regulating the heat exchange system involving measured parameters
    • B01J2208/00044—Temperature measurement
    • B01J2208/00061—Temperature measurement of the reactants
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
    • B01J2208/00008—Controlling the process
    • B01J2208/00017—Controlling the temperature
    • B01J2208/00106—Controlling the temperature by indirect heat exchange
    • B01J2208/00168—Controlling the temperature by indirect heat exchange with heat exchange elements outside the bed of solid particles
    • B01J2208/00203—Coils
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
    • B01J2208/00008—Controlling the process
    • B01J2208/00017—Controlling the temperature
    • B01J2208/00106—Controlling the temperature by indirect heat exchange
    • B01J2208/00265—Part of all of the reactants being heated or cooled outside the reactor while recycling
    • B01J2208/00274—Part of all of the reactants being heated or cooled outside the reactor while recycling involving reactant vapours
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
    • B01J2208/00008—Controlling the process
    • B01J2208/00017—Controlling the temperature
    • B01J2208/00389—Controlling the temperature using electric heating or cooling elements
    • B01J2208/00398—Controlling the temperature using electric heating or cooling elements inside the reactor bed
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
    • B01J2208/00008—Controlling the process
    • B01J2208/00017—Controlling the temperature
    • B01J2208/00389—Controlling the temperature using electric heating or cooling elements
    • B01J2208/00407—Controlling the temperature using electric heating or cooling elements outside the reactor bed
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
    • B01J2208/00008—Controlling the process
    • B01J2208/00017—Controlling the temperature
    • B01J2208/00477—Controlling the temperature by thermal insulation means
    • B01J2208/00495—Controlling the temperature by thermal insulation means using insulating materials or refractories
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
    • B01J2208/00008—Controlling the process
    • B01J2208/00017—Controlling the temperature
    • B01J2208/0053—Controlling multiple zones along the direction of flow, e.g. pre-heating and after-cooling

Abstract

내용 없음

Description

알루미나의 탄소-질화에 의한 고순도 초미세 질화알루미늄의 연속 제조공정
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 공정에 대한 흐름도.
제2도는 본 발명의 공정을 위한 바람직한 반응용기인 유동층 반응기의 수직단면도.
제3도는 제2도의 유동층 반응기의 버블캡의 두껑에 대한 평면도.

Claims (18)

  1. 효과적인 양의 촉매를 첨가하여, 산화알루미늄과 탄소의 화학양론전 혼합물인, 균인한 크기와 균일한 조성을 갖는 집괴를 형성하고 ; 집괴를 반응용기내에서 1850°C 이하의 온도로 가열하여, 균일하고 일관성 있는 전환율을 얻고 ; 조절된 분위기하에서 반응된 그대로의 집괴를 분쇄하여, 고순도의 미크론 크기의 질화알루미늄을 제조함으로 이루어지는 질화알루미늄의 연속 제조공정.
  2. 제1항에 있어서, 촉매가 플루오르화칼슘, 플루오르화이트륨 및 플루오르화나트륨으로 이루어진 그룹으로부터 선택됨을 특징으로 하는 질화알루미늄 연속 제조공정.
  3. 제1항에 있어서, 반응물인 화학양론적 혼합물이 탄소에 대한 산화알루미늄의 1:3 몰비와 0.5 중량% 촉매로 이루어짐을 특징으로 하는 질화알루미늄 연속 제조공정.
  4. 제1항에 있어서, 집괴의 가열이 1600-1800°C의 온도범위에서 행해짐을 특징으로 하는 질화알루미늄 연속 제조공정.
  5. 제1항에 있어서, 가열단계가 유동층 반응기내에서 행해짐을 특징으로 하는 질화알루미늄 연속 제조공정.
  6. 제5항에 있어서, 유동층 반응기가 수지개열된 적어도 3개의 체임버, 상부, 중간부, 및 하부 체임버로 되어있고, 체임버가 다른 체임버와 견고하게슬리이브 끼워 맞춤되도록 가공된 노 ; 반응기의 상부끝에 있는 집괴용 입구 ; 집괴를 반응기에 장입하기 위한 수단 ; 반응기의 상부끝에 놓여 있는 유동화질소가스용 입구수단 ; 하부 체임버를 둘러싸는 서셉터수단 ; 하부체임버와 서셉터 수단을 둘러싸는 가열수단 ; 하부체임버내의 유동층 ; 다수의 구멍을 갖는 덮개를 가진 체임버로 이루어지며, 유동화가스용 입구 수단의 말단끝에 놓여 있는 유동화가스를 분산시키는, 버블캡 ; 하부 반응 체임버의 상부끝에, 유동층의 상부 가까이에 놓여있는 반응된 그대로의 집괴용 출구수단 ; 노의 상부끝에 있는 반응 가스용 출구수단 ; 및 반응된 그대로의 집괴와 반응 가스용 다수의 냉각수단으로 이루어짐을 특징으로 하는 질화알루미늄 연속 제조공정.
  7. 제6항에 있어서, 반응된 그대로의 집괴가 반응기로부터 흘러 넘쳐 회전식 수냉실린더로 배출됨을 특징으로 하는 질화 알루미늄 연속제조공정.
  8. 제7항에 있어서, 전환반응이 회전식수냉실린더에서 약 150°C고, 냉각되고, 분쇄전에 더욱 더 냉각됨을 특징으로 하는 질화알루미늄 연속 제조공정.
  9. 제8항에 있어서, 가열및 냉간단계가 질화알루미늄에 대한 불활성인 분위기에서 행해짐을 특징으로 하는 질화알루미늄 연속 제조공정.
  10. 제1항에 있어서, 분쇄단계가 질화알루미늄에 불활성이고, 산소가 없는 분위기에서 행해짐을 특징으로 하는 질화알루미늄 연속 제조공정.
  11. 제10항에 있어서, 분위기가 질소이고, 탄소와 산소가 각각 0.5 내지 1.0%를 함유하는 질화알루미늄이 제조됨을 특징으로 하는 질화알루미눔 연속 제조공정.
  12. 제1항에 있어서, 노에체류시간이 3-20시간임을 특징으로 하는 질화알루미늄 연속 제조공정.
  13. 제1항에 있어서, 집괴가 0.5-6 1b/hr의 율로 가열용 용기에 도입됨을 특징으로 하는 질화알루미늄 연속 제조공정.
  14. 산화알루미늄과 탄소의 화학양론적인 혼합물, 유효량의 플루오르화 칼슘촉매 및 결합제로서 폴리비닐 알코올용액을 혼합함으로써 균일한 크기와 균일한 화학조성의 집괴를 만들고 ; 습윤 집괴를 팬을 사용하여 120°C의 오븐에서 건조시켜, 좁은 크기분포를 포래하고 ; 집괴를 1850°C이하의 온도에서 집괴를 가열하여 균일하고 일관된 전환율을 얻고 ; 반응된 그대로의 집괴를 질소분위기에서 분쇄하여 고순도의 미크론크기인 질화알루미늄분말을 제조함으로 이루어지는 질화알루미늄 연속 제조방법.
  15. 제14항에 있어서, 반응물인 화학양론적인 혼합물이 탄소에 대한 산화알루미늄의 1:3 몰비와 0.5 중량 % 촉매로 이루어짐을 특징으로 하는 질화알루미늄 연속 제조공정.
  16. 제14항에있어서, 집괴의 가열이 1600-1800°C으 온도범위에서 행해짐을 특징으로 하는 질화알루미늄 연속 제조공정.
  17. 제14항에 있어서, 수직배열된 적어도 3개의 체임버, 상부, 중간부 및 하부 체임버, 로 되어 있고, 체임버가 다른 체임버와 견고하게 슬리이브 끼워 맞춤되도록 가공된 노 ; 반응기의 상부끝에 있는 집괴용 입구 ; 집괴를 반응기에 장입하기 위한 수단 ; 반응기의 상부 끝에 놓여 있는 유동화질소가스용 입구수단 ; 하부 체임버를 둘러싸는 서셉터 ; 하부 체임버와 서셉터 수단을 둘러싸는 가열수단 ; 하부 체임버내의 유동층 ; 다수의 구멍을 갖는 덮개를 가진 체임버로 이루어지며, 유도화가스용 입구 수단의 말단끝에 놓여있는 유동화가스를 분산시키는 버블켑 ; 하부반응 체임버의 상부끝에 유동층의 상부 가까이에 놓여 있는 반응된 그대로의 집괴용 출구수단 ; 노의 상부끝에 있는 반응 가스용 출구수단 및 반응된 그대로의 집괴와 반응 가스용 다수의 냉각수단으로 이루어지는 유동층반응기에서 행해짐을 특징으로 하는 질화알루미늄 연속 제조공정.
  18. 제17항에 있어서, 가열단계가 약 3-20시간동안 행해짐을 특징으로 하는 질화알루미늄 연속 제조공정.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870011588A 1986-10-15 1987-10-15 알루미나의 탄소-질화에 의한 고순도, 초미세 질화알루미늄의 연속제조 공정 KR960000942B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US91898086A 1986-10-15 1986-10-15
US918,980 1986-10-15
US918980 1986-10-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR880005286A true KR880005286A (ko) 1988-06-28
KR960000942B1 KR960000942B1 (ko) 1996-01-15

Family

ID=25441272

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019870011588A KR960000942B1 (ko) 1986-10-15 1987-10-15 알루미나의 탄소-질화에 의한 고순도, 초미세 질화알루미늄의 연속제조 공정

Country Status (12)

Country Link
EP (1) EP0266927B1 (ko)
JP (1) JP2601487B2 (ko)
KR (1) KR960000942B1 (ko)
CN (1) CN87107018A (ko)
AT (1) ATE75460T1 (ko)
AU (1) AU597432B2 (ko)
BR (1) BR8705502A (ko)
CA (1) CA1310171C (ko)
DE (1) DE3778647D1 (ko)
DK (1) DK537487A (ko)
IL (1) IL83959A (ko)
NO (1) NO874291L (ko)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63297205A (ja) * 1987-05-29 1988-12-05 Ibiden Co Ltd 窒化物の製造方法
GB2233969A (en) * 1989-07-06 1991-01-23 Carborundum Co Improvements in or relating to the manufacture of aluminium nitride.
US5096860A (en) * 1990-05-25 1992-03-17 Alcan International Limited Process for producing unagglomerated single crystals of aluminum nitride
JP2525074B2 (ja) * 1990-06-15 1996-08-14 株式会社トクヤマ 窒化アルミニウム顆粒及びその製造方法
US5190738A (en) * 1991-06-17 1993-03-02 Alcan International Limited Process for producing unagglomerated single crystals of aluminum nitride
FR2710047B1 (fr) * 1993-09-17 1995-10-13 Atochem Elf Sa Procédé de préparation en continu de nitrure d'aluminium par carbonitruration d'alumine dans un réacteur à lit coulant.
FR2710048B1 (fr) * 1993-09-17 1995-11-03 Atochem Elf Sa Procédé de préparation en continu de nitrure d'aluminium par carbonitruration d'alumine.
CN1057063C (zh) * 1995-08-04 2000-10-04 中国科学院上海硅酸盐研究所 自蔓延高温合成氮化铝粉末的制备方法
JP4578009B2 (ja) * 2001-03-16 2010-11-10 東洋アルミニウム株式会社 窒素含有無機化合物の製造方法
US20030047141A1 (en) * 2001-09-10 2003-03-13 Warnes Bruce M. Coating gas generator and method
US9121104B2 (en) * 2011-01-31 2015-09-01 Alcoa Inc. Systems and methods for determining alumina properties
JP5627515B2 (ja) * 2011-03-15 2014-11-19 株式会社トクヤマ 窒化アルミニウム粉末およびその製造方法
JP5804910B2 (ja) * 2011-11-23 2015-11-04 株式会社トクヤマ 窒化アルミニウム粉末および窒化アルミニウム粉末の製造方法
CN103979507A (zh) * 2014-06-04 2014-08-13 天津纳德科技有限公司 一种利用高气压和氟化物添加剂辅助制备球形氮化铝粉体的方法
CN106085221A (zh) * 2016-06-25 2016-11-09 张静 一种有机硅树脂散热涂料的制备方法
CN106699189B (zh) * 2016-11-25 2020-09-01 河北利福光电技术有限公司 一种氮化铝陶瓷基板用氮化铝粉体及其制备方法
CN108610054A (zh) * 2018-05-21 2018-10-02 北京中材人工晶体研究院有限公司 一种高纯AlON粉末的制备方法
CN115448265A (zh) * 2022-09-15 2022-12-09 大连海事大学 一种持续高温批量合成高纯高烧结活性AlN粉体的方法及设备

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR543529A (fr) * 1921-11-14 1922-09-05 Procédé et appareil pour la fabrication du nitrure d'aluminium
GB784126A (en) * 1954-10-23 1957-10-02 Atomic Energy Authority Uk Improvements in or relating to the production of aluminium nitride
FR1327707A (fr) * 1956-07-31 1963-05-24 Pechiney Prod Chimiques Sa Procédé de fabrication du nitrure d'aluminium
NL248400A (ko) * 1959-02-13 1900-01-01
US3036888A (en) * 1959-12-29 1962-05-29 Norton Co Process for producing titanium nitride
JPS61228288A (ja) * 1985-03-30 1986-10-11 日本セメント株式会社 非酸化物粉末の連続合成炉

Also Published As

Publication number Publication date
NO874291D0 (no) 1987-10-14
EP0266927B1 (en) 1992-04-29
CN87107018A (zh) 1988-06-15
JP2601487B2 (ja) 1997-04-16
KR960000942B1 (ko) 1996-01-15
NO874291L (no) 1988-04-18
AU7959087A (en) 1988-04-21
JPS63103807A (ja) 1988-05-09
CA1310171C (en) 1992-11-17
DK537487D0 (da) 1987-10-14
DE3778647D1 (de) 1992-06-04
DK537487A (da) 1988-04-16
AU597432B2 (en) 1990-05-31
IL83959A0 (en) 1988-02-29
ATE75460T1 (de) 1992-05-15
EP0266927A1 (en) 1988-05-11
BR8705502A (pt) 1988-05-24
IL83959A (en) 1991-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR880005286A (ko) 알루미나의 탄소-질화에 의한 고순도 초미세 질화알루미늄의 연속 제조공정
US4387079A (en) Method of manufacturing high-purity silicon nitride powder
Haussonne Review of the synthesis methods for AIN
EP0187431B1 (en) Process for producing silicon aluminum oxynitride
US4619905A (en) Process for the synthesis of silicon nitride
JPH0638911B2 (ja) 非酸化物粉末の製造方法
AU647759B2 (en) Continuous carbothermal reactor
US5154907A (en) Process for the continuous production of high purity, ultra-fine, aluminum nitride powder by the carbo-nitridization of alumina
EP0620803A1 (en) Process for preparing ultrafine aluminum nitride powder
Zhu et al. Synthesis of ultra-fine SiC powders in a dc plasma reactor
US4511666A (en) Process for producing beta'-silicon aluminum oxynitride (B'-SiAlON)
US3760066A (en) Process for preparing aluminum trichloride
EP0206795B1 (en) Method of producing silicon nitride powders
JPH0211521B2 (ko)
JPH0221938A (ja) 環状加熱流動床反応器
KR100386510B1 (ko) 자전고온 합성법을 이용한 질화 알루미늄 분말 제조방법
US5112579A (en) Continuous carbothermal reactor
CA1235710A (en) PROCESS FOR PRODUCING .beta.'-SILICON ALUMINUM OXYNITRIDE (.beta.'-SIALON)
US4073875A (en) Oxidation of magnesium chloride
US3560151A (en) Process for the production of finely divided silicon dioxide
JP2797678B2 (ja) α型窒化ケイ素粉末の製造方法
US5108713A (en) Apparatus for the continuous production of high ultra-fine, aluminum nitride powder by the carbo-nitridization of alumina
US3321271A (en) Synthesis of aluminum silicate whiskers
JPH02192408A (ja) 窒化アルミニウム粉末の製造方法
RU79882U1 (ru) Устройство для напыления поликристаллического кремния

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20030108

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee