KR880002606B1 - 비스(트리메틸실릴)포스파이트의 제조방법 - Google Patents
비스(트리메틸실릴)포스파이트의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
본 발명은 구조식( I )로 표시되는 비스(트리메틸실릴)포스파이트의 새롭고도 진보된 제조방법에 관한 것인바, 구조식( I )의 비스(트리메틸실릴)포스파이트는 독성이 적을뿐만 아니라 식물성장 조절제, 제초제 등으로 널리 사용되는 아미노 포스포네이트 유도체 제조에 있어서 유용한 출발물질로 사용된다.
구조식( I )에 있어서 메틸기 대신에 탄소수가 5이하인 지방족 탄화수소로서 예컨대 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸기가 사용될 수 있으나 메틸기가 바람직하다. 본 발명의 제조방법을 간단히 설명하면, 구조식(II)의 아인산에 수조식(III)의 트리메틸염화실란과 구조식(IV)의 헥사메틸디실라잔을 테트라히드로푸란 용매 존재하에 또는 용매없이 40~150℃에서 반응시켜 구조식( I )의 비스(트리메틸실릴)포스파이트를 제조하는 것이다. 본 발명은 원래 1985년 5월 9일자로 특허 출원된 출원번호 제85-3134호의 "아미노알킬포스포네이트 유도체의 제조방법"으로부터 분할 된 것이다.
구조식(III) 및 구조식(IV)에 있어서, 메틸기 대신에 탄소수가 5이하인 지방족 탄화수소 예컨대 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸기가 사용될 수 있으나 메틸기가 바람직하다. 구조식( I )의 비스(트리메틸실릴)포스파이트와 관련한 종래의 기술 예컨대 일본국의 공개특허공보 소화 53-56620호에 의하면 구조식(II)의 아인산과 구조식(III)의 트리메틸염화실란을 반응시키고 반응생성물을 증류하여 비스(트리메틸실릴)포스파이트를 제조하였다. 드러나 이 경우에는 염화수소가 부산물로 생성되는데 이것이 구조식( I )의 비스(트리메틸실릴)포스파이트에 침투되어 순도가 저하된다. 더우기 구조식( I )의 화합물을 출발물질로 트리아진과 반응시켜 아미노 포스포네이트를 제조할 때에는 트리아진과 암모늄염을 형성하므로 반응에 지장을 초래한다. 그러므로 구조식( I )의 비스(트리메틸실릴)포스파이트를 사용할 때에는 반드시 증류하여 염화수소를 제거하여야 한다.
본 발명자들은 상기의 종래의 기술에 나타난 단점을 개량하고자 예의 주시한 결과 예측 이상으로 효과가 좋은 새롭고도 진보된 구조식( I )의 비스(트리메틸실릴)포스파이트의 제조방법을 터득하게 되었는바, 이를 자세히 설명하면 다음과 같다.
구조식(II)의 아인산에 구조식(III)의 트리메틸염화실란과 구조식(IV)의 헥사메틸디실라잔을 1 : 1.2의 몰비로 혼합하여 반응시키면 반응속도가 빠를 뿐 아니라 부산물로 생성되는 염화수소와 암모니아가 서로 반응하여 암모늄 염으로 침전된다. 이 침전물은 종래의 기술에와 같은 별도의 증류공정을 거치지 않고 걸러서 용이하게 제거할 수 있다. 본 공정에는 용매가 필요치 않으나 수율을 향상시키기 위해서는 테트라히드로푸란을 용매로 사용하면 수율이 향상되며 반응조건은 50~80℃에서 1~2시간 정도가 바람직하다. 또한 구조식(IV)의 헥사메틸디살라잔을 다소 과량으로 첨가하면 바람직하다. 왜냐하면 과량으로 남아 있는 구조식(IV)의 헥사메틸디살라잔은 2급 아민이므로 이것을 트리아진과 반응할 때에는 염을 형성하지 않기 때문이다. 이와 반대로 구조식(III)의 트리메틸염화실란이 과량일 때에는 트리아진과 반응하여 염을 형성하므로 좋지 않다. 본 발명의 제조공정을 구조식으로 표시하면 다음과 같으며 이때 부생되는 염화암모늄을 쉽게 제거할 수 있음을 볼 수 있다.
다음 실시예는 본 발명을 더욱 상세히 예증하여 줄 것이나 본 발명이 이에 국한되는 것은 아니다.
[실시예 1]
교반기, 작가 깔대기, 그리고 콘덴서를 장치한 1l용량의 주둥이가 3개 달린 둥근바닥 플라스크에 아인산 고체 82g(1mole)을 넣었다. 플라스크의 온도를 서서히 가열하여 60℃로 유지하면서 트리메틸염화실란 108.6g(1mole)을 적가 깔대기로 첨가하였더니 염화수소 개스가 발생하고 액체가 되었다. 트리메틸염화실란을 전부 넣은 후에 다시 헥사메틸디실라잔 193.6g(1.2mole)을 적가 깔대기로 넣어 주었다. 헥사메틸디실라잔이 반응하면서 염화암모늄의 흰고체가 생성되었다. 적가가 끝난뒤 반응을 완결시키기 위하여 1시간 동안 더 교반한 후에 정지하였더니 고체가 가라 앉았다. 고체를 여과하고 얻은 액체를 10mmHg의 감압하에 증류하였더니 77-79℃에서 목적물인 비스(트리메틸실릴)포스파이트 19.4g(수율 86%)이 얻어졌다.
[실시예2]
실시예 1에서 같은 반응을 300ml의 무수 THF을 용매로 사용하여 반응시켰더니 92%의 수율로 목적물을 제조하였다.
Claims (4)
- 구조식(II)의 아인산과 구조식(III)의 트리메틸염화실란 및 구조식(IV)의 헥사메틸디실라잔을 유기용매 존재하에 또는 용매없이 반응시켜서 됨을 특징으로 하는 일반식( I )의 비스(트리메틸실릴)포스파이트의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 구조식(III)의 트리메틸염화실란과 구조식(IV)의 헥사메틸디실라잔의 첨가량이 구조식(II)의 아인산 1몰에 대해 몰비로 1 : 1.2첨가하는 것을 특징으로 하는 비스(트리메틸실릴)포스파이트의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 유기용매로 테트라히드로푸란을 사용하는 것을 특징으로 하는 비스(트리메틸실릴)포스파이트의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 50~80℃에서 1~2시간 반응시키는 것을 특징으로 하는 비스(트리메틸실릴)포스파이트의 제조방법.
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