Claims (4)
복수의 반도체 기판에 대해서 열처리를 행하기 위한 장치에 있어서, 그 내부에 피처리 반도체 기판을 수용하고, 이것에 대해서 소망의 열처리를 행하는 노심관-그 일단은 동부에 비해서 세경으로 되어, 여기서 소정의 반응 가스를 그 내부로 도입하며, 또한 그 타단은 뚜껑체에 의해서 밀폐되는-과, 상기 노심관의 외주면에 부설되고, 상기 노심관의 내부를 가열하기 위한 가열 수단과, 상기 노심관내에 복수의 피처리 반도체 기판을 소정의 핏치로 직립시키기 위한 수단과, 노심관내로 도입된 반응가스가 각 반도체 기판의 전면에 대해서 균일하게 접촉하도록 각 반도체 기판의 하방으로 설치된 반응가스 흡기 수단으로 된 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 열처리 장치.In the apparatus for performing heat treatment on a plurality of semiconductor substrates, a core tube for accommodating a semiconductor substrate to be processed therein and performing a desired heat treatment on the semiconductor substrate-one end of which is narrower than the eastern part, where a predetermined A reaction gas is introduced into the inside, and the other end thereof is sealed by a lid body; and is attached to an outer circumferential surface of the core pipe, and heating means for heating the inside of the core pipe; Means for uprighting the semiconductor substrate to be processed at a predetermined pitch, and reaction gas intake means provided below each semiconductor substrate so that the reaction gas introduced into the core tube is brought into uniform contact with the front surface of each semiconductor substrate. A heat treatment apparatus for a semiconductor substrate.
제1항에 있어서, 반응 가스 흡기 수단이 중공 부재로 구성됨과 동시에 상기 부재의 피처리 반도체 기판에 대향하는 부위에 개구를 설치하고, 상기 개구 분분에 피처리 반도체 기판을 배치토록된 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 열처리 장치.The method of claim 1, wherein the reactive gas intake means is constituted by a hollow member, an opening is provided at a portion of the member facing the semiconductor substrate to be processed, and the processing semiconductor substrate is arranged at the opening portion. Heat treatment apparatus of a semiconductor substrate.
제2항에 있어서, 지지수단이 상기 개구부의 연부에 설치된 절결부에 의해서 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 열처리 장치.The heat treatment apparatus for a semiconductor substrate according to claim 2, wherein the supporting means is formed by a cutout portion provided at an edge of the opening portion.
제1항에 있어서, 반응 가스 흡기수단과 지지수단이 석영에 의해서 성형된 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 열처리 장치.The heat treatment apparatus for a semiconductor substrate according to claim 1, wherein the reaction gas intake means and the support means are formed of quartz.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.